栅极驱动IC

• 高压半桥栅极驱动芯片共性问题及应对方案

  在一些低成本的应用中，为了取代隔离驱动，自举式电源成为一种广泛的给高压栅极驱动电路供电的方法。这种自举式电源具有电路简单、成本低的优点。高压半桥栅极驱动广泛应用于各种常见电路拓扑中，包括降压电路、同步升压电路、半桥电路、全桥电路和三相全桥电路等等。本应用指南以SGM48211为例，分析高压半桥栅极驱动芯片的共性问题，并给出应对措施。

  圣邦微电子

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  05/26 11:03

  半桥驱动器 栅极驱动IC

  
• 隔离式栅极驱动器，如何强化欠压保护、优化死区控制、降低时序失真？

  隔离驱动芯片是指在栅极驱动器中集成电气隔离功能的数字隔离器件，其主要负责实现低压控制端（MCU、DSP）与高压功率端（如IGBT、MOSFET和SiC MOSFET）的电气隔离，同时通过芯片内部集成的微型电容（抑或是光敏元件/变压器线圈）作为核心传输介质来实现控制信号的跨隔离域传输。 其中，集成微型电容是生产隔离式栅极驱动器的主流方案之一，它主要通过OOK调制技术将PWM控制信号调制为一种“载波有

  华普微 HOPERF

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  04/08 15:58

  数字隔离器 栅极驱动IC

  
• 杰盛微JSM2113STR 4A 700V 单相高低侧带SD功能栅极驱动芯片

  在电子设备的世界里，芯片如同精密的 “心脏”，驱动着整个系统的高效运转。对于众多工程师和电子产品制造商而言，寻找性能卓越且适配的芯片至关重要。今天，我们要为大家介绍一款来自杰盛微半导体的明星产品 ——JSM2113STR，它在众多方面展现出超越经典芯片 IR2113 的实力，成为理想的替代方案。 一、产品概述 JSM2113S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高

  杰盛微半导体JSMSEMI

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  2025/09/09

  驱动芯片 栅极驱动IC
• JSM2110STR4A 700V 单相高低侧带SD功能栅极驱动芯片

  JSM2110S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道JSM2110S的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。 JSM2110S内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。ISM2110S采用宽体SOP-16(W)封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。应用

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  2025/09/08

  驱动芯片 电机驱动器
• JSM2106STR 700V 单相高低侧同相栅极驱动芯片

  在高压驱动芯片领域，IRS2106 曾凭借稳定的性能成为工程师选型清单中的 “常客”。但随着电力电子设备对耐压、抗干扰、效率的要求不断提升，一款更具竞争力的替代产品逐渐走进大众视野 —— 杰盛微自主研发的 JSM2106STR。这款 700V 单相高低侧同相栅极驱动芯片，不仅完美兼容 IRS2106 的应用场景，更在关键性能指标上实现突破，为行业带来更优的驱动解决方案。 一、产品概述 JSM210

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  2025/09/06

  驱动芯片 栅极驱动IC
• 杰盛微JSM2104STR 700V 集成自举带SD功能单相高低侧栅极驱动芯片

  在电子科技飞速发展的当下，驱动芯片作为电子设备中的关键组件，其性能优劣直接影响着整个系统的运行效率与稳定性。一直以来，IRS2104 凭借其出色的性能在高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动领域占据着重要地位。然而，今天我们要为大家带来一个令人振奋的消息：杰盛微半导体推出的 JSM2104STR，以其卓越的性能和高性价比，成为了 IRS2104 的有力替代者，为广大工程师和电子设备制造商

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  2025/09/05

  MOSFET 驱动芯片
• JSM2101STR 700V单相高低侧同相栅极驱动芯片

  在电机控制、空调洗衣机变频驱动、通用逆变器等领域，高压高低侧栅极驱动芯片是核心元器件之一 —— 而 IRS2101 作为经典进口型号，长期占据市场主流。但近年来，受供应链波动、进口周期长、成本居高不下等问题影响，不少企业开始寻找性能匹配、供货稳定的国产替代方案。今天要给大家推荐的，正是杰盛微推出的 JSM2101STR：一款 700V 单相高低侧同相栅极驱动芯片，不仅能无缝替代 IRS2101，更

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  2025/09/01

  MOSFET 逆变器
• JSM21844STR4A 700V带SD功能高低侧栅极驱动芯片

  在电力电子设计领域，IR21844 作为经典的高压栅极驱动芯片，曾是众多工程师的 “老朋友”。但随着工业场景对电压、电流、抗干扰能力的要求不断提升，一款能全面替代且性能更优的芯片逐渐走进视野 —— 来自 杰盛微 的 JSM21844STR。从《JSM21844STR SOP-14.pdf》文档中不难发现，这款 4A/700V 带 SD 功能的高低侧栅极驱动芯片，在核心参数、保护机制、应用适配性上都

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  2025/08/29

  驱动芯片 功率MOSFET
• 杰盛微JSM2184STR 4A 700V集成自举带SD功能栅极驱动芯片

  在工业电机驱动、电动工具、电源转换系统等高压功率场景中，栅极驱动芯片就像 “功率器件的大脑”，直接决定了整个电路的稳定性、效率与安全性。长期以来，IRS2184 作为经典的高压栅极驱动方案，占据了不少市场份额。但随着国内半导体技术的飞速发展，杰盛微半导体推出的JSM2184STR凭借更优的性能、更完善的保护机制与高兼容性，成为了 IRS2184 的理想替代型号，今天就带大家全面拆解这款 “国产高压

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  2025/08/28

  MOSFET 功率器件
• 杰盛微JSM21867STR 4A 700V集成BSD单相高低侧同相栅极驱动芯片

  在功率电子领域，高压栅极驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了电机驱动、电源转换等系统的可靠性与效率。一直以来，IRS21867 作为经典的 4A700V 高低侧驱动芯片，广泛应用于工业与家电场景，但国产替代需求的日益增长，也推动着本土半导体企业推出更具竞争力的产品。杰盛微半导体（JSMSEMI）研发的JSM21867STR，正是一款对标 IRS21867 的集成 BSD

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  2025/08/27

  MOSFET 驱动芯片
• JSM21867STR 4A 700V集成BSD单相高低侧同相栅极驱动芯片

  JSM21867S是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。IRS21867S采用SOP-8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。广泛应用于电机驱动与控制、电动工具、通用逆变器、电源转换系统、伺服驱动器

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  2025/08/23

  MOSFET 驱动芯片
• JSM21864STR4A700V单相高低侧同相栅极驱动芯片

  在电子工程师的日常研发中，“芯片替代” 往往是绕不开的课题 —— 供应链波动、成本控制、性能升级等需求，都可能让一款成熟产品的核心器件面临替换。而在高压栅极驱动领域，IRS21864 作为经典型号，其替代选型更是备受关注。今天，我们就来深度解析一款来自杰盛微（JSMSEMI）的高性价比替代方案 ——JSM21864STR，从参数匹配到场景适配，全方位验证它为何能成为 IRS21864 的 “理想平

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  2025/08/22

  MOSFET 驱动芯片
• JSM2186STR4A 700V单相高低侧同相栅极驱动芯片

  JSM2186S是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。JSM2186S采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。广泛应用于电机控制、空调 / 洗衣机、通用逆变器、微型逆变器驱动程序等场景，

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  2025/08/21

  MOSFET 驱动芯片
• JSM2181STR 700V单相高低侧栅极驱动芯片

  在功率电子领域，栅极驱动芯片如同系统的 “神经中枢”，直接决定着功率器件的开关性能与系统可靠性。长期以来，IRS2181 作为经典的 600V 半桥驱动芯片，凭借稳定的性能占据着不小的市场份额。但随着高压应用场景的不断拓展，一款名为 JSM2181STR 的 700V 单相高低侧栅极驱动芯片正凭借更优异的性能参数，成为工程师眼中替代 IRS2181 的理想之选。今天我们就从技术参数、保护机制、应用

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  2025/08/17

  驱动芯片 栅极驱动IC
• JSM2104STR700V 集成自举带SD功能单相高低侧栅极驱动芯片

  在功率电子领域，栅极驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”，其性能直接影响系统的稳定性、效率与可靠性。今天给大家推荐一款国产高性价比栅极驱动芯片 ——JSM2104STR，它不仅性能优异，更是 EG2104 的理想替代型号，轻松适配各类功率应用场景。 一、产品核心亮点：为什么选 JSM2104STR？ JSM2104STR 是杰盛微半导体推出的700V 集成自举带 SD 功能的单相高低侧栅极

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  2025/08/12

  电机驱动 驱动芯片
• JSM2203STR 4A 250V集成自举半桥高同低反栅极驱动芯片

  在功率电子驱动领域，稳定可靠的栅极驱动芯片是电路高效运行的核心。如果你正在寻找 FD2203 的高性价比替代方案，杰盛微半导体推出的JSM2203STR绝对值得关注！这款 4A250V 集成自举半桥高同低反栅极驱动芯片，不仅兼容 FD2203 的核心功能，更在性能、可靠性和应用灵活性上实现升级，为电机控制、逆变器、充电桩等场景提供强力支持。 一、产品概述 JSM2203S是一款高压、高速功率 MO

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  2025/08/07

  MOSFET 驱动芯片
• JSM2010STR 4A 700V 单相高低侧带SD功能栅极驱动芯片

  杰盛微半导体JSMSEMI

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  2025/08/06

  电机控制 驱动芯片
• JSM2005STR250V集成BSD的半桥栅极驱动芯片

  在工业控制、电机驱动、逆变器等高压功率电子领域，栅极驱动芯片作为连接控制逻辑与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了系统的稳定性、效率与可靠性。面对市场上 IRS2005、TF2005M 等经典型号的升级需求，杰盛微半导体推出的 JSM2005STR 以更优性能、更简化设计、更宽应用场景，成为替代升级的理想之选。 一、产品概述 JSM2005STR是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片

  杰盛微半导体JSMSEMI

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  2025/08/03

  功率半导体 驱动芯片
• JSM5109G1.2A 250V单相高低侧同相栅极驱动芯片

  在电机控制、逆变器等电力电子系统中，栅极驱动芯片就像 “神经中枢”，负责精准控制功率 MOSFET 的开关状态。选对驱动芯片，系统效率能提升 15% 以上，故障率降低 30%；选错了，则可能面临频繁宕机、功耗飙升等问题。 今天，杰盛微要给大家推荐一款 “全能选手”JSM5109G。作为 1.2A 250V 单相高低侧同相栅极驱动芯片，它不仅能完美替代 U3116S、EG2132，更在性能、可靠性、

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  2025/07/31

  MOSFET 电机控制
• JSM5108G250V1.2A单相高同低反功率栅极驱动芯片

  在工业控制与家电驱动领域，功率栅极驱动芯片是连接控制逻辑与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了系统的效率、可靠性与安全性。面对市场上 EG2131、FD2103S 等主流型号的应用痛点，杰盛微重磅推出 JSM5108G 250V1.2A 单相高同低反功率栅极驱动芯片 ， 一款集高压兼容、高速响应、高可靠性于一体的升级替代方案，为电机控制、逆变器等场景带来更优解。 一、概览 JSM5108G是一款

  杰盛微半导体JSMSEMI

  607

  2025/07/30

  电机控制 逆变器

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