JSM2010STR 4A 700V 单相高低侧带SD功能栅极驱动芯片

一、产品概述

JSM2010S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道JSM2010S的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。

JSM2010S内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。JSM2010S采用宽体SOP-16(W)封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

 二、核心特性

作为专为高压高速场景设计的驱动芯片，JSM2010STR 在关键参数上实现了显著突破。其浮动通道最高工作电压可达 700V，远超传统方案的电压耐受能力，完美适配高压功率 MOSFET 的驱动需求。栅极驱动电流更是达到 4.0A 拉电流 / 4.0A 灌电流的强劲输出，能够快速驱动大容性负载，大幅降低开关损耗。

在动态响应方面，芯片表现同样出色：开通传输延时（tON）和关断传输延时（tOFF）均低至 130ns，且高低侧延时匹配误差不超过 10ns，确保功率器件开关动作精准同步。同时，50V/nsec 的 dVs/dt 耐受能力，有效抑制了高压切换时的干扰，提升系统稳定性。

三、引脚功能描述

四、关键电气规格

4.1 极限工作范围(部分关键参数)

4.2 推荐工作范围

4.3 电气特性

-动态参数：开通 / 关断传输延时典型值 130ns（最大 200ns）；上升时间 25ns，下降时间 17ns；延时匹配误差≤10ns。

-静态参数：欠压锁定正向阈值 8.9V（VCC/VBS），负向阈值 8.2V；输出高电平压降≤1.4V，低电平压降≤0.1V；静态电流：VBS 典型 70μA，VCC 典型 120μA，VDD 典型 15μA。

五、应用范围

JSM2010STR 在多个领域展现出强大的应用价值。在通用逆变器中，其高压驱动能力和精准的时序控制，助力实现高效的电能转换；在服务器、电信设备的高密度开关电源中，4A 大电流驱动和快速开关特性有效提升电源功率密度凭借优异的性能，广泛适用于：

-通用逆变器

-交流和直流电源中的半桥、全桥转换器

-服务器、电信、IT 及工业基础设施的高密度开关电源

-太阳能逆变器、电机驱动器、UPS

此外，该芯片还完美适配太阳能逆变器、电机驱动器和 UPS 等设备。在太阳能逆变器中，700V 高压耐受能力适配光伏系统的高电压输出；在电机驱动器中，高低侧独立驱动通道和延时匹配特性，确保电机运行平稳可靠；而在 UPS 中，宽温工作范围和欠压保护功能则提升了应急供电系统的稳定性。

替代优势：无缝切换，降本增效

作为 IR2010 的替代方案，JSM2010STR 不仅在性能上实现全面超越，更在兼容性和成本控制上展现优势。相同的 SOP-16 封装形式和类似的引脚功能定义，使替换过程无需大幅修改 PCB 布局，降低升级成本。芯片符合 RoSH 标准，满足环保要求，同时静态电流优化设计（VCC 静态电流典型值 120μA）进一步降低系统功耗。

杰盛微半导体提供完善的技术支持和稳定的供货保障，相比进口芯片，缩短了交货周期，降低了供应链风险。无论是新项目设计还是旧系统升级，JSM2010STR 都能以更优的性价比，为工程师提供可靠的栅极驱动解决方案。

从高压耐受性到动态响应，从功能保护到应用适配，JSM2010STR 凭借全面均衡的性能，成为替代 IR2010 的理想选择。选择杰盛微 JSM2010STR，让功率电子系统设计更高效、更可靠、更具竞争力！