为什么d-mode GaN有这么多优势,却只有瑞萨电子能提供相应的大功率产品呢?对此,Kenny Yim, Senior Director of GaN/Power at Renesas表示:“这是因为d-mode GaN最关键的技术就是用硅基MOSFET来控制d-mode GaN的技术,这是瑞萨电子(Transphorm)的专利,未来20年也只有瑞萨电子能提供这样的专利。”
基于成熟的SuperGaN技术,650V第四代增强型产品凭借卓越的热效率和超低功率损耗带来强劲性能 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS,适用于人工智能(AI)数据中心和服务器电源(包括新型800V高压直流架构)、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电