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ALD

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  • 拓芯章·见未来｜拓荆科技SEMICON China 2026新品发布会圆满落幕持续产品多维度创新迭代
    SEMICON China 2026展会首日，国内半导体设备龙头企业拓荆科技（股票代码：688072），在上海新国际博览中心E7馆7301展位隆重举办“拓芯章·见未来”2026新品发布会。 （SEMICON China 2026拓荆科技展台） （拓荆科技副总经理、产品事业部总经理宁建平） 发布会伊始，拓荆科技副总经理、产品事业部总经理宁建平女士登台致辞，她表示，拓荆科技专注于集成电路量产型 PEC
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    03/31 11:43
    半导体设备 激光
    拓芯章·见未来｜拓荆科技SEMICON China 2026新品发布会圆满落幕持续产品多维度创新迭代
  • 一文了解原子层沉积(ALD)原理及优势
    原子层沉积（ALD）技术因其独特的自限制反应机制，在半导体薄膜制备中占据重要地位。ALD技术具备纳米级精度厚度控制、优异的均匀性和覆盖能力、低温和良好可扩展性等特点，特别适用于高深宽比结构和多层纳米薄膜堆叠。其工作原理依赖于交替引入前驱体并利用惰性气体清洗，确保每层沉积的均匀性和厚度可控。ALD技术不仅在半导体领域广泛应用，还在光电子、传感器、MEMS和生物医用等多个领域展现出广阔前景。
    1531
    03/30 10:48
    ALD ALD技术
    一文了解原子层沉积(ALD)原理及优势
  • 全球前道设备供应商统计：CVD、ALD（104家）
    本文介绍了半导体前道设备中的主要类别及其细分类型，并提供了详细的名称解释表。作者还分享了其收集的近十年行业数据，涵盖了半导体制造上游供应链，并提供了丰富的在线半导体知识讲座和服务内容。
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    03/10 11:33
    CVD ALD
    全球前道设备供应商统计：CVD、ALD（104家）
  • 青岛藏着一家半导体核心设备巨头
    近日获悉，青岛思锐智能科技股份有限公司（下称“思锐智能”）完成数亿元C轮融资。本轮融资由国开制造业转型升级基金、中国国有企业结构调整基金联合领投，招银国际、中银资产、光谷金控等多家具有深厚产业背景的知名投资机构共同参与。
    1494
    2025/12/30
    半导体设备 ALD
  • 全球ALD设备、前驱体供应商及产品信息汇总（更新版）
    常晟源博士生整理并发布了关于ALD工艺在半导体产品中的应用信息，涵盖了设备和耗材供应商及其产品。数据经过多次更新，现提供给行业内外感兴趣的朋友参考，并邀请大家提出意见和纠错。此外，他还提供了近十年的行业数据和大量原创行业景气度分析，以及丰富的线上半导体知识讲座资源。
    1537
    2025/11/11
    ALD ALD技术
    全球ALD设备、前驱体供应商及产品信息汇总（更新版）
  • 闲聊原子层沉积（ALD）
    ALD是一种原子层沉积技术，在芯片制造中用于层层均匀、干净且可控地铺设材料，适用于晶体管栅介质层、存储器、金属衬层等多个应用场景。尽管其速度较慢且昂贵，但由于能够实现极高的精度和一致性，芯片制造商仍然青睐此技术。
    1488
    2025/10/21
    ALD ALD技术
  • 世界芯片产业地图——东北三省
    作为中国重要的老工业基地，东北三省拥有深厚的制造业积淀和丰富的科研资源，近年来在半导体设备、材料、制造等关键环节实现了多项技术突破，形成了以辽宁沈阳为核心、辐射吉林和黑龙江的产业发展格局。在半导体设备特别是薄膜沉积、涂胶显影、精密零部件，尤其是第三代半导体材料领域实现了技术突破，部分产品达到国际先进水平。 2024 年辽宁半导体产业产值达420亿元，沈阳半导体装备产业突破 100 亿元，展现出良好
    1.1万
    2025/10/16
    ALD 涂胶显影设备
    世界芯片产业地图——东北三省
  • 全球ALD设备、前驱体供应商及产品信息梳理
    常晟源博士生整理并发布了半导体领域ALD设备和耗材供应商及产品信息，覆盖近十年行业数据，包含大量原创行业景气度分析和研报，并开放给知识星球会员使用。此外还提供了丰富的线上半导体知识讲座资源。
    912
    2025/10/13
    ALD
    全球ALD设备、前驱体供应商及产品信息梳理
  • ALD工艺在半导体产品中的应用梳理
    复旦微电子博士生常晟源带领实习生整理半导体行业数据，特别是ALD工艺的应用梳理，并分享了近十年覆盖八成半导体制造上游供应链的行业数据和大量原创行业景气度分析报告。
    943
    2025/10/09
    半导体制造 ALD
    ALD工艺在半导体产品中的应用梳理
  • 半导体设备行业“热”背后的冷思考
    光刻机、离子注入机…这些关键设备国产化率仍不足5%。
    3142
    2025/09/12
    与非观察 半导体设备
    半导体设备行业“热”背后的冷思考
  • 一文了解原子层沉积(ALD)薄膜制备技术
    CVD 技术是一种在真空环境中通过衬底表面化学反应来进行薄膜生长的过程，较短的工艺时间以及所制备薄膜的高致密性，使 CVD 技术被越来越多地应用于薄膜封装工艺中无机阻挡层的制备。
    4163
    2025/05/07
    ALD 薄膜技术
    一文了解原子层沉积(ALD)薄膜制备技术
  • ALD（原子层沉积）与ALE（原子层刻蚀）的区别解析
    ALD（Atomic Layer Deposition）：原子层沉积是一种逐层生长薄膜的工艺。每个循环通过“自限性反应”，将化学前体逐层吸附并反应，沉积一个原子层的材料。目标：构建具有高均匀性、无缺陷、埃级厚度精度的薄膜。
    2162
    2025/01/17
    ALD
    ALD（原子层沉积）与ALE（原子层刻蚀）的区别解析
  • 原子层沉积（ALD, Atomic Layer Deposition）详解
    ALD 是一种精确的薄膜沉积技术，其核心原理是利用化学反应的“自限性”，以原子或分子层为单位逐层生长薄膜。具体过程包括：前体吸附：将化学前体（Precursor）引入反应室，前体分子在衬底表面发生吸附，形成单分子层。
    4811
    2025/01/15
    ALD ALD技术
    原子层沉积（ALD, Atomic Layer Deposition）详解
  • ALD,ALE与传统技术相比的优势？
    学员问：ALD（原子层沉积），ALE（原子层刻蚀）与传统的沉积，刻蚀技术相比，有什么优势？如上图，先说第一行，第一行是传统镀膜与ALD效果的对比，传统薄膜沉积方法如 PECVD 或 PVD等，在高深宽比结构中，由于气体进出受到了物理限制，侧壁和底部区域的沉积速率不同。
    2166
    2024/12/20
    ALD ALD技术
  • 先进逻辑和3D存储的希望，PECVD、晶圆键合龙头——拓荆科技
    随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大， 芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在 90nm CMOS 工艺，大约需要 40 道薄膜沉积工序。在 3nmFinFET 工艺产线，需要超过 100 道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由 6 种增加到近 20 种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳
    8364
    2024/12/10
    与非研究院 CVD
    先进逻辑和3D存储的希望，PECVD、晶圆键合龙头——拓荆科技
  • 越制裁，越强大！重要性比肩光刻机的刻蚀设备——北方华创
    美日荷相继加大对华半导体设备出口限制，国产替代迫在眉睫。尽管中国是全球最大半导体消费市场，但本土化缺口明显，2023 年芯片自产率仅 20%、半导体设备国产化率为 35%、高端刻蚀机等关键领域国产化率不足 10%。随着国产晶圆厂的逆势扩张、海外制裁趋紧，本土半导体设备厂商有望扩大份额，预计2025年国产化率将达50%。 前面文章我们分析了国产半导体设备龙头之一的中微公司，今天我们继续深入研究半导体
    8769
    2024/11/26
    与非研究院 NAND
    越制裁，越强大！重要性比肩光刻机的刻蚀设备——北方华创
  • 5nm已量产，3nm还会远吗？重要性比肩光刻机的刻蚀设备——中微公司
    晶圆制造设备从类别上讲可以分为刻蚀、光刻、薄膜沉积、检测、涂胶显影等十多类，其合计投资总额通常占整个晶圆厂投资总额的 75%左右，其中刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。 根据Gartner统计的数据，2013年至2023年，半导体前道设备中，干法刻蚀设备市场年均增速超过15%，化学薄膜设备市场年均增速超过14%，这两类设备增速远高于其他种类的设备。 图|20
    5199
    2024/11/12
    与非研究院 CVD
    5nm已量产，3nm还会远吗？重要性比肩光刻机的刻蚀设备——中微公司
  • 一项多尺度模拟技术，打通ALD的材料—过程—装备？
    今天我们对话的这位专家是来自华东理工大学化工学院的庄黎伟教授，他在原子层沉积工艺中进行了非常多的探索，今天我们就请庄教授和我们一起来聊聊他所从事的事情，请庄教授和大家打个招呼。
    1648
    2024/04/01
    ALD ALD技术
    一项多尺度模拟技术，打通ALD的材料—过程—装备？
  • 线宽越来越小，ALD未来或成唯一选择？
    在半导体制程进入28nm后，由于器件结构不断缩小且更为3D立体化，生产过程中需要实现厚度更薄的膜层，以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下，ALD技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，技术优势愈加明显，在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。
    1224
    2023/11/15
    ALD 半导体制程
    线宽越来越小，ALD未来或成唯一选择？
  • 真空技术赋能微观材料科技，推动诸多领域发展未来可期
    随着新材料的应用和科技的进步，我们的生活也正在发生翻天覆地的变化，从居家办公到日常出行，随着技术的不断突破和创新，也给我们的生活质量带来了很大的提升。燃油车被越来越多的电动汽车所取代，推动着交通出行以更加可持续的方式发展；随处可见的显示器，也一次次突破极限，展示更清晰、精准和高质量的画面。还有很多新材料的应用也正在从实验室级别的研发走向产业化和规模化的道路。这些技术的应用都离不开真空技术。 现如今
    375
    2023/05/10
    电动汽车 ALD
    真空技术赋能微观材料科技，推动诸多领域发展未来可期

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