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CMOS电路

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基本单元电路反相器由N沟道和P沟道 MOS场效应晶体管对管(见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路和N沟道金属-氧化物-半导体集成电路)构成,以推挽形式工作,能实现一定逻辑功能的集成电路,简称CMOS。单元电路如图1。CMOS电路的特点是:①静态功耗低,每门功耗为纳瓦级;②逻辑摆幅大,近似等于电源电压;③抗干扰能力强,直流噪声容限达逻辑摆幅的35%左右;④可在较广泛的电源电压范围内工作,便于与其他电路接口;⑤速度快,门延迟时间达纳秒级;⑥在模拟电路中应用,其性能比NMOS电路好;⑦与NMOS电路相比,集成度稍低;⑧有“自锁效应”,影响电路正常工作。

基本单元电路反相器由N沟道和P沟道 MOS场效应晶体管对管(见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路和N沟道金属-氧化物-半导体集成电路)构成,以推挽形式工作,能实现一定逻辑功能的集成电路,简称CMOS。单元电路如图1。CMOS电路的特点是:①静态功耗低,每门功耗为纳瓦级;②逻辑摆幅大,近似等于电源电压;③抗干扰能力强,直流噪声容限达逻辑摆幅的35%左右;④可在较广泛的电源电压范围内工作,便于与其他电路接口;⑤速度快,门延迟时间达纳秒级;⑥在模拟电路中应用,其性能比NMOS电路好;⑦与NMOS电路相比,集成度稍低;⑧有“自锁效应”,影响电路正常工作。收起

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