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GaN HEMT

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  • AI数据中心高压中间母线转换器选型：GaN HEMT、SiC MOSFET等三种宽禁带功率器件对比
    本文介绍了高压中间母线转换器（HV IBC）在云计算供电架构中的应用，并对比分析了GaN HEMT、碳化硅MOSFET和SiC Cascode JFET三种宽禁带功率器件在高频开关条件下的性能。重点关注导通损耗、开关特性和缓冲电路需求。仿真结果显示，尽管三种器件的系统总损耗相近，但CJFET因其结构简单、驱动便捷，在成本方面具备显著优势。此外，三相LLC拓扑表现出更优的综合性能，降低了RMS电流并减少了元件数量。本研究为未来高压IBC设计提供了理论依据。
    706
    02/27 09:12
    转换器 SiC MOSFET
  • 意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值
    意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。 意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能，以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能省去了设计者处理GaN晶体管栅极驱动开发难题。
    1144
    2023/12/15
    意法半导体 LLC
    意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值
  • CGD 将首次亮相中国 PCIM Asia推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列
    Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发并大批量生产了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 将首次参展 PCIM Asia，这是中国享誉行业的专业展会，专注于电力电子技术及其在智能移动、可再生能源和能源管理方面的应用。
    852
    2023/08/04
    电力电子 PCIM Asia
  • 替换Si MOSFET这个创新打破了GaN HEMT应用的两个难题
    当前，以SiC和GaN为代表的第三代半导体在功率器件中的渗透率正在逐年上升。根据Yole的预测，虽然Si仍是功率半导体材料主流，但今年SiC的渗透率将有望达到3.75%，GaN的渗透率达到1.0%。 
    613
    2023/07/25
    第三代半导体 GaN HEMT
    替换Si MOSFET这个创新打破了GaN HEMT应用的两个难题
  • 实测案例：1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试
    氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表，具有极快的开关速度，能够显著提升功率变换器的性能，受到电源工程师的青睐。同时，极快的开关速度又对其动态特性的测试提出了更高的要求，稍有不慎就会得到错误结果。 传统氮化镓器件多用于消费类电子市场，研发高压氮化镓器件将有助于在电力电子、新能源和电动汽车行业开拓新的应用市场。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高压硅基氮化镓功率器件的厂家。这次测试的
    762
    2023/07/18
    示波器 功率器件
    实测案例：1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试
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