HBM4_HBM4资讯 - 与非网

警惕“结构性抽血”：HBM4狂欢背后的DRAM产业冷思考

2026年2月6日，供应链确认三星电子 HBM4 正式通过英伟达（NVIDIA）认证，将于2月第三周（农历新年假期后）启动量产。为了在这一代产品上追平竞争对手，三星采用了激进的技术组合：1c nm DRAM 工艺配合 4nm 逻辑 Base Die（基础裸片）。

TechSugar

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9小时前

dram HBM4

HBM4内存大单被瓜分！

HBM战局再起波澜！美光科技提前量产并出货HBM4，三星紧随其后推出业界首款商用HBM4，SK海力士面临巨大竞争压力。美光HBM4数据处理速度超11Gbps，三星HBM4采用12层堆叠技术，容量最高可达48GB。尽管市场需求旺盛，但存储芯片巨头们仍需平衡HBM4与通用DRAM的生产策略。

芯东西

312

14小时前

HBM4

美光官宣：HBM4已开始出货！驳斥传闻！

美光科技宣布，其第六代高带宽内存（HBM4）已开始出货，直接驳斥了近期关于其“退出”英伟达供应链的传闻。英伟达下一代人工智能加速器Vera Rubin计划于今年下半年发布，其HBM4芯片的供应竞争异常激烈。美光否认了市场此前关于三星电子和SK海力士将瓜分HBM4供应的预期。美光首席财务官马克·墨菲（Mark Murphy）于当地时间11日在美国研究公司Wolf Research主办的半导体会议

芯片说 IC TIME

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02/13 09:29

芯片 HBM4

三星年后将率先量产HBM4

三星电子将在农历新年假期后率先实现第六代高带宽内存“HBM4”的量产，成为全球首家实现量产的公司。HBM4的速度比JEDEC标准快37%，单个堆叠的内存带宽高达3TB/s，容量可达48GB。三星电子计划以HBM4为起点，加速重夺DRAM霸主地位。

芯片说 IC TIME

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02/10 10:26

三星 HBM4

SK海力士HBM4已锁定英伟达70%供应量

芯片说ICTIME 1月28日讯，随着今年半导体行业对下一代高带宽内存（HBM）HBM4供应的竞争日趋激烈，据报道，SK海力士已锁定NVIDIA超过三分之二的供应。这进一步巩固了SK海力士凭借其成熟的量产能力和客户合作关系，继续保持其在第六代HBM市场领先地位的前景。据业内人士1月28日透露，NVIDIA今年已将其约三分之二的HBM4供应分配给SK海力士，用于其下一代人工智能（AI）平台Ver

芯片说 IC TIME

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01/29 15:04

SK海力士 HBM4

SK海力士推出16层HBM4，AI推理能力提升2.4倍

SK海力士（股价76.7万韩元，下跌1.2万韩元，涨幅1.59%）宣布，其新一代高带宽内存（HBM）——16层HBM4，与上一代产品（8层HBM3E）相比，AI推理性能最高可提升两倍。预计这将通过提升带宽和容量，同时改变AI服务的速度和成本结构。

芯片说 IC TIME

1033

01/26 10:51

SK海力士 HBM4

巨头抢滩，HBM4倒计时

2026年存储巨头竞争激烈，HBM4成为焦点。SK海力士、三星和美光分别展示了各自的新一代HBM4产品，其中SK海力士采用16层堆叠和MR-MUF技术，三星在自家4nm工艺上生产逻辑芯片，美光则采用1c DRAM工艺技术。产能格局上，SK海力士产能增长显著，美光对HBM市场前景乐观，三星则相对谨慎。全球布局方面，各大厂商纷纷加大投资，扩充产能，以应对AI驱动的市场需求。

半导体产业纵横

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01/26 09:27

HBM4

三星HBM4将率先通过认证，计划4月量产

NVIDIA设计变更导致HBM4量产推迟至第一季度末后，三星电子有望最快通过NVIDIA认证测试。三星电子采用1nm工艺提升HBM4速度和能效，预计成为最早量产HBM4的厂商。

芯片说 IC TIME

651

01/12 10:25

NVIDIA 三星电子

SK海力士率先发布16层HBM4

SK海力士将于CES 2026推出新一代AI内存解决方案，包括HBM4 16层48GB和HBM3E 12层36GB，强调其在AI服务器和SOCAMM2低功耗内存模块上的应用，以及针对AI应用优化的LPDDR6和321层2Tb QLC NAND闪存产品的展示。

芯片说 IC TIME

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01/07 11:26

HBM4

美光HBM4大扩产

存储半导体行业围绕下一代高带宽内存（HBM）HBM4的竞争已经打响。随着NVIDIA开始量产其搭载HBM4的AI半导体Vera Rubin，据报道，美光计划在今年大规模扩充其HBM4生产线。此前在产能方面落后于三星电子和SK海力士的美光，正密切关注HBM4市场格局的潜在变化。

芯片说 IC TIME

805

01/07 08:17

HBM4

SK海力士HBM4被赶超！

三星电子在下一代高带宽内存（HBM）技术的竞争中占据领先地位，特别是在HBM4（第六代HBM）的测试中表现优异，超越竞争对手SK海力士。三星电子董事长李在镕积极推动半导体业务发展，访问了负责公司半导体业务的器件解决方案（DS）部门。三星电子的HBM4在速度和能效方面获得业界最高评级，有望推动其在AI加速器市场的份额增长。

芯片说 IC TIME

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2025/12/23

三星电子 SK海力士

半导体十大预测，“进度条”几何？

2025年半导体技术进展回顾：2nm工艺初步量产，HBM4启动量产，先进封装产能释放，AI芯片多样化发展，量子处理器基础研究，硅光与CPO技术兴起，RISC-V进入AI计算领域，碳化硅产业迈向8英寸，AI+EDA重构设计范式。

半导体产业纵横

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2025/12/18

半导体行业先进封装

研报 | 英伟达尝试调升HBM4规格，预期2026年SK海力士仍是最大供应商

Sept. 18, 2025 产业洞察根据TrendForce集邦咨询最新调查，因应AMD（超威）将于2026年推出MI450 Helios平台，近期NVIDIA（英伟达）积极要求Vera Rubin server rack的关键零组件供应商提高产品规格，包括HBM4的Speed per Pin须调升至10Gbps。尽管规格能否提升仍有变量，预计SK hynix（SK海力士）在HBM4量产初期

TrendForce集邦咨询

707

2025/09/19

英伟达 HBM4

紧缺！通用DRAM将涨价！

包括三星电子和SK海力士在内的主要内存公司正致力于下一代HBM（高带宽内存）的商业化。因此，通用DRAM的产能和晶圆投入正在减少，对价格构成上涨压力。据业内人士9月4日透露，预计今年下半年和明年初，通用DRAM的价格将高于最初的预期。包括三星电子和SK海力士在内的韩国主要内存公司正致力于准备从今年开始向NVIDIA供应HBM4（第六代HBM）。据报道，由于NVIDIA在今年第三季度要求大量提供

芯片说 IC TIME

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2025/09/05

三星电子 SK海力士

三星HBM4通过英伟达测试，月底预生产

据报道，三星电子上个月交付给人工智能 (AI) 半导体领域无可争议的领导者英伟达 (NVIDIA) 的第六代高带宽存储器 (HBM4) 已通过可靠性测试。如果最终测试进展顺利，HBM4 最早可能于年底开始量产。这要归功于三星电子董事长李在镕的积极宣传，据报道，他最近在一次海外出差期间会见了英伟达首席执行官黄仁勋。据半导体行业消息人士8月20日透露，三星电子上个月交付给英伟达的 HBM4 样品已通

芯片说 IC TIME

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2025/08/21

三星电子 HBM4

研报 | HBM4新规格拉高制造门槛，预期溢价幅度逾30%

根据TrendForce集邦咨询最新研究，HBM技术发展受AI Server需求带动，三大原厂积极推进HBM4产品进度。由于HBM4的I/O（输入/输出接口）数增加，复杂的芯片设计使得晶圆面积增加，且部分供应商产品改采逻辑芯片架构以提高性能，皆推升了成本。鉴于HBM3e刚推出时的溢价比例约为20%，预计制造难度更高的HBM4溢价幅度将突破30%。

TrendForce集邦咨询

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2025/05/25

HBM4

三星1c DRAM大扩产，加速HBM4量产

据悉，三星电子继平泽工厂之后，已制定计划在华城工厂建设1c DRAM（第6代10nm级DRAM）量产线。预计该项投资最早将于今年年底完成，此举被解读为反映了公司内部对提高收益率的信心。

芯片说 IC TIME

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2025/05/23

dram 三星电子

遥遥领先 SK海力士首次公开HBM4 带宽高达2TB/s

近期，SK海力士在TSMC 2025北美技术研讨会上展示HBM4 12Hi、HBM3E 16Hi 2款产品是其首次公开展示了其HBM4技术，是全球唯一一家展示HBM4技术的公司。

芯科技圈

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2025/04/29

HBM4

SK海力士官宣加速研发HBM4E

SK Hynix 承诺及时供应 HBM4E 以及量产 HBM4 12 层，从而加速其在 HBM 市场的领先地位。SK海力士HBM（高带宽存储器）事业企划副社长崔俊勇4月7日表示，“我们不仅将在今年量产12层HBM4（第6代HBM），还将适时供应（第7代）HBM4E，以进一步巩固我们在HBM领域的领先地位”。

芯片说 IC TIME

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2025/04/08

SK海力士 HBM4