芯耀
83
一项分析表明，NVIDIA的设计变更将导致其第六代高带宽内存（HBM4）的量产推迟到今年第一季度末之后。由于三大内存厂商都争取到了更多时间，三星电子目前被视为最有可能率先通过质量保证（认证测试）的厂商。
◆NVIDIA设计变更“延缓”HBM4量产
据市场研究公司TrendForce 1月9日发布的报告显示，所有供应商的HBM4量产预计将于今年第一季度末至第二季度初之间开始。
与一些预测的第一季度内开始量产相比，这意味着量产将略有延迟。这主要是由于NVIDIA的设计变更和产品策略的调整。
去年第三季度，NVIDIA 对其 Rubin 平台的 HBM4 显存规格进行了修订，促使三大 HBM 供应商进行设计变更。
NVIDIA 将 HBM4 的单引脚传输速度要求提高到 11 Gbps（110 亿比特/秒）以上。
据 TrendForce 数据显示，三星电子、SK 海力士和美光均已修改其设计以满足更高的要求，并向 NVIDIA 重新提交了修订后的 HBM4 样品。
此外，人工智能需求的激增导致 Rubin 的前代产品 Blackwell 的需求超出预期，迫使 NVIDIA 调整了 Rubin 的量产计划。
NVIDIA 目前已提高 Blackwell B300 和 GB300 系列的出货目标，并增加了第五代 HBM3E 的订单。
TrendForce解释道：“NVIDIA产品战略的转变是影响HBM4认证速度的关键因素。”并补充道：“HBM供应商获得了更多时间来进一步优化其HBM4产品。”
◆“三星电子率先通过NVIDIA QUAL测试
因此，尽管HBM3E将在短期内主导市场，但围绕HBM4的技术和供应竞争预计将持续下去。
在此背景下，TrendForce预测三星电子极有可能率先通过HBM4质量验证。
由于HBM4的超高速运行，散热管理是一项关键挑战。
三星电子因将10nm级第六代(1c)工艺和4nm逻辑工艺应用于HBM4而同时提升速度和能效。
1nm工艺提升了集成度和能效，实现了高速信号处理。4nm逻辑工艺则提高了基片的信号处理性能，并降低了发热量。
TrendForce解释说，这种工艺组合有利于确保即使在高速环境下也能保持稳定性，这可能使三星电子在HBM4认证方面领先于竞争对手。
三星电子此前于去年10月宣布与NVIDIA合作，并表示：“HBM4的速度已经超过11Gbps，并正在准备量产。”
IM Securities的研究员宋明燮(Song Myung-seop)也在同一天表示：“三星电子通过采用1nm工艺获得了HBM4认证，实现了业界领先的速度。预计将于今年第一季度末开始向主要客户顺利出货。”
他补充道：“这是HBM制造商中进展最快的，表明三星电子的HBM竞争力已有效恢复。”
然而，竞争格局会因供应量而异。TrendForce预测，SK海力士今年将继续保持其在HBM整体供应份额方面的领先地位，因为它已经与NVIDIA签订了HBM供应合同。
SK海力士是业内首家建立HBM4量产体系的公司，被认为是HBM市场的主导供应商。
在拉斯维加斯举行的消费电子展（CES 2026）上，该公司发布了其首款HBM4 16层48GB产品。该公司强调，其HBM4 12层36GB产品实现了11.7 Gbps的传输速度。
高盛也分析指出，“SK海力士至少在今年内将继续保持其在HBM3E和HBM4市场的主导地位，市场份额将保持在50%以上。”
芯片说——知识星球欢迎您
