芯耀
738
三星电子的HBM4E也着重于差异化，全英铉的目标是通过存储器代工协同效应重夺领先地位。
三星电子是全球首家量产第六代高带宽存储器（HBM4）的公司，如今也力争在HBM4E（第七代）领域占据领先地位。
三星电子设备解决方案（DS）事业部副会长兼总裁全英铉表示，正如公司为HBM4逻辑芯片（基础芯片）采用了自有的4nm工艺一样，公司正在考虑提前将自有的2nm工艺应用于HBM4E的生产。
三星电子对其自有代工技术和生产线的掌控，有望使其在HBM4E的竞争中占据优势。
根据半导体行业3月2日发布的一份综合报告，三星电子宣布计划于2月12日向客户交付HBM4，并于今年下半年同时开始出货其下一代产品HBM4E的样品，这标志着其HBM“超级缺口”的复苏之路正式开启。
三星电子能够率先实现HBM4量产的原因之一在于存储器和代工厂之间的协同效应。
与竞争对手采用台积电12nm基片工艺的HBM4不同，三星电子采用了自主研发的4nm基片工艺。
在HBM4中，基片是实现存储器向图形处理器（GPU）更快、更高效地传输数据的关键组件。更精细的工艺显著提升了能效和数据处理速度。
此外，在HBM4的研发过程中，存储器部门和代工厂部门的紧密合作也被认为是其快速量产的关键因素。
三星电子总裁兼首席技术官宋载赫表示：“凭借现有的晶圆代工和DRAM内存制造能力，三星能够主动采用代工厂的FinFET基础芯片技术。因此，我们收到了客户对输入/输出速度、总带宽和能效的满意反馈。”
三星副会长全英贤也在考虑提前利用自家2nm晶圆代工厂生产HBM4E的基础芯片。
继4nm基础芯片和HBM4的1c（10nm级，第六代）DRAM工艺取得成功后，全英贤副会长又迈出了大胆的一步。据报道，三星电子已经开始使用2nm第二代（SF2P）工艺测试HBM4E基础芯片。
2nm 第二代工艺也将应用于三星电子的下一代移动处理器（AP）Exynos 2700。该处理器计划于今年下半年全面量产，预计良率将迅速提升。
另一方面，SK海力士和美光也可能采用台积电的12nm代工工艺来生产HBM4E。
据报道，SK海力士正在考虑仅对部分客户定制的HBM芯片采用台积电的3nm工艺。
因此，三星电子和美光在HBM4E芯片基础技术方面的差距预计将进一步扩大。
三星电子的专有晶圆代工技术在HBM竞争中正日益占据优势。如今，HBM市场竞争的焦点已不再仅仅是芯片的有效堆叠，而是如何通过晶圆代工工艺更好地集成高性能逻辑功能。
KB证券研究员金东元（Kim Dong-won）分析道：“随着HBM向HBM4E和HBM5演进，客户对速度和功耗的要求将持续提高。”他补充道：“因此，已实现存储器和晶圆代工业务垂直整合的三星电子将直接受益于推理型人工智能的转型和物理人工智能市场的扩张。”
HBM4E 将被集成到高端专用集成电路 (ASIC) 中，首款应用该产品是计划于明年发布的 NVIDIA Rubin R300 AI 加速器。
HBM4E 预计将于 2027 年成为主流 HBM 产品，届时，现有的 HBM 市场格局可能会发生重大变化，具体取决于供应时间和产品性能。
市场研究公司 Counterpoint Research 的数据显示，截至 2025 年第三季度，SK 海力士占据了 57% 的 HBM 市场份额，三星电子以 22% 的份额位居第二，美光科技以 21% 的份额位居第三。
兴国证券研究员孙仁俊 (Son In-jun) 预测：“到 2027 年，HBM4E 将占 HBM 总需求的 40%。”他还补充道：“与 2026 年相比，2027 年的 HBM 需求量也将增长 68%。”
芯片说——知识星球欢迎您
