SK海力士HBM4被赶超！

三星电子在下一代高带宽内存（HBM）技术的竞争中占据领先地位，备受瞩目。据报道，在HBM4（第六代HBM）的测试中，三星电子的HBM性能在竞争对手中名列前茅，赶超SK海力士。HBM4将用于NVIDIA计划明年发布的最新人工智能（AI）加速器。这标志着这家曾经稳坐内存市场霸主宝座32年的巨头即将重返巅峰。三星电子董事长李在镕也正在积极推动半导体业务的发展，他视察了负责公司半导体业务的器件解决方案（DS）部门。

据半导体行业12月22日消息，三星电子在NVIDIA计划明年发布的VeraRubin AI加速器的HBM测试中获得了最高分。上周，NVIDIA测试团队访问了三星电子，并介绍了HBM4 SiP（系统级封装）测试的进展情况。他们表示，三星电子在速度和能效方面均获得了业界最高评级。SiP技术将多个半导体芯片集成到单个封装中，被认为是验证量产的最后一道关卡。据报道，三星应NVIDIA要求提供的HBM4数量远超内部预期。业内人士预测，这将对三星电子的HBM4最终通过NVIDIA的质量保证流程以及明年上半年的供货产生积极影响。

三星电子的第六代高带宽内存“HBM4”获得了英伟达的高度评价，尤其令人期待。据业内人士透露，三星电子的HBM4在内部技术评估中实现了业界领先的11.7 Gbps（每秒11.7吉比特）性能。这一性能不仅远超HBM4的JEDEC（2019年6月电子器件工程委员会）标准运行速度8Gbps，也超过了其最大客户英伟达要求的10Gbps或更高速度。

据业内人士透露，李在镕会长今天上午参观了位于京畿道器兴园区的DS事业部下一代研发中心“NRD-K”以及公司的存储器业务部门。李在镕会长的此次访问被解读为对半导体业务高管和员工的鼓励，他们自下半年以来业绩取得了显著提升。

在第五代HBM3E技术竞争中一度落后的三星电子，如今在HBM4技术竞赛中正迅速追赶SK海力士，这很可能得益于其对基于HBM的DRAM进行大胆的全面重新设计。三星电子大胆地跳过了原定于2023年开发和部署的10nm级第五代DRAM（D1b），直接投向了10nm级第六代DRAM（D1c）。一位半导体行业内部人士评论道：“三星电子通过密集的重新设计成功提高了良率，在HBM4的研发方面显然领先于竞争对手。”

两家公司的研发竞争正在提升整个韩国国内存储器生态系统的竞争力，人们也越来越期待韩国半导体（K-Semiconductor）能够在全球市场建立垄断地位。

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