美光HBM4大扩产

存储半导体行业围绕下一代高带宽内存（HBM）HBM4的竞争已经打响。随着NVIDIA开始量产其搭载HBM4的AI半导体Vera Rubin，据报道，美光计划在今年大规模扩充其HBM4生产线。此前在产能方面落后于三星电子和SK海力士的美光，正密切关注HBM4市场格局的潜在变化。

据业内人士1月6日透露，美光计划今年将其HBM4产能提升至每月15,000片晶圆。分析师估计，美光的HBM总产能为每月55,000片晶圆。这15,000片晶圆的增产幅度占美光总产能的30%，表明美光正大力提升HBM4的出货量。

一位熟悉美光情况的业内人士表示：“美光正在扩大产能，以快速响应首批订单。”他还补充道：“他们已经开始投资相关设施。”

HBM4将被嵌入NVIDIA最新的AI半导体产品Vera Rubin中，该产品计划于今年下半年发布。NVIDIA首席执行官黄仁勋在1月5日（当地时间）于拉斯维加斯开幕的CES消费电子展上发表主题演讲时，正式发布了Vera Rubin，并宣布：“我们目前已全面投产。”

除了美光之外，三星电子和SK海力士也为Vera Rubin供应HBM4。这三家内存供应商均已确认向NVIDIA供货。他们目前正在评估HBM4，并协调具体的供货和部署时间。Vera Rubin将搭载HBM4，用于打造AI加速器。HBM4预计将于2月开始量产。

美光的这一举动引起了广泛关注。此前，美光在产能方面一直被认为弱于三星电子和SK海力士。然而，人们的关注点集中在其扩张计划的潜在影响上，该计划旨在扭转HBM4的颓势。

首席执行官桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）在上月17日（当地时间）的财报电话会议上表示：“我们计划从第二季度开始，根据客户需求提高HBM4的产量。”他还补充道：“HBM4的良率增长速度将超过HBM3E。”美光预计将在与英伟达完成性能评估后，于第二季度开始量产。

随着一座新工厂的建设，美光的进展预计将在年底前进一步加快。

第一座是位于新加坡的先进封装工厂，计划于今年年底投产。封装是HBM4生产的关键环节，将在该工厂进行。位于日本广岛的工厂预计也将于明年下半年开始运营。美光已将广岛工厂定位为包括HBM4在内的下一代产品的前沿基地。

美光的这一举措对SK海力士和三星电子构成威胁。这是因为美光此前被视为弱点的产能问题将得到解决。随着产能的提升，SK海力士、三星电子和美光之间预计将展开一场全面的三方竞争。

一位业内人士表示：“美光凭借其在低功耗HBM领域的优势，如今通过确保产能，正在对韩国HBM构成威胁。”他们正迅速提升技术实力，从12层HBM4产品发展到16层产品，并不断扩大市场份额。

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