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X-FAB引入图像传感器背照技术增强CMOS传感器性能
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,其光学传感器产品平台再添新成员——为满足新一代图像传感器性能的要求,X-FAB现已在其备受欢迎的CMOS传感器工艺平台XS018(180纳米)上开放了背照(BSI)功能。 BSI工艺截面示意图 通过BSI工艺,成像感光像素性能将得到大幅增强。这一技术使得每个像素点接收到的入射光不会再被
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CMOS传感器
X-FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管(SPAD)器件组合。与2021年发布的前一代SPAD保持同步,新版本也是基于X-FAB 180纳米工艺的XH018平台。得益于在制造过程中增加的额外工艺流程,在保持同样低的本底噪声水平的同时,显著增强信号,而且不会对暗计数率、后脉冲和击穿电压等参数产生负面影响。
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2126
2023/11/17
X-FAB
spad
X-FAB最新的无源器件集成技术拥有改变通信行业游戏规则的能力
XIPD源自广受欢迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工艺——该技术利用工程基底和厚铜金属化层,让客户能够在其器件设计中直接集成无源元件(电感器、电容器和电阻器),从而显著节省空间及成本。借助公司在铜金属化技术领域的丰富经验,相关生产制造将在X-FAB位于法国科尔贝—埃索讷(Corbeil-Essonnes)的工厂进行。
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3233
2023/09/14
电路板
无源器件
X-FAB领导欧资联盟助力欧洲硅光电子价值链产业化
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,正在开展photonixFAB项目---该项目旨在为中小企业和大型实体机构在光电子领域的创新赋能,使其能够轻松获得具有磷化铟(InP)和铌酸锂(LNO)异质集成能力的低损耗氮化硅(SiN)与绝缘体上硅(SOI)光电子平台。在此过程中,模拟/混合信号晶圆代工领域的先进厂商X-FAB Si
与非网编辑
2711
2023/06/15
X-FAB
氮化硅
X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂,由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。
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2023/06/02
X-FAB
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