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  • 该SiC项目3月底开工!11.5亿、20万片
    该SiC项目3月底开工!11.5亿、20万片
    近日,国内又有3个SiC项目新建/即将开工:● 同光股份;SiC衬底项目预计本月月底开工,可年产20万片;● 昌龙智芯:计划投资超10亿元建造器件产线,产品包括SiC MOSFET等;● 纬湃科技:新投资项目落户天津,引入产品包括SiC模块等。
  • 接着挖呀挖,全球碳化硅Foundry厂信息统计
    接着挖呀挖,全球碳化硅Foundry厂信息统计
    马上春节了,我就偷懒发个简单一些的数据吧之前,我以产品形式和商业模式作为区分,先后两次发布了碳化硅器件供应商的数据。于是有读者希望我把代工厂的数据也列一下。
  • 11亿!2个SiC项目加速推进
    11亿!2个SiC项目加速推进
    近日,国内2家SiC企业宣布新进展:● 诚盛科技:SiC器件项目今年8月量产,总投资9亿;● 飞仕得:SiC设备获被嘉奖50万,IGBT/SiC MOS项目总投资2亿。
  • 超3亿!新增3个SiC相关项目
    超3亿!新增3个SiC相关项目
    进入2024年,国内外3个SiC项目也在加速推进:● 西安高新区:购置600余套设备,生产SiC器件等项目。● 华润上华:发布SiC/GaN项目实施招标公告,复制晶圆制造服务。● Pentamaster:将在2年内投资超3亿元建设SiC工厂,生产测试老化设备。
  • 关乎车规SiC可靠性!近90%的汽车主驱都用它
    关乎车规SiC可靠性!近90%的汽车主驱都用它
    好马配好鞍!要充分发挥SiC器件优势,还需要为电路系统搭配适合的电容器。从电动车主驱电控到光伏逆变器等大功率新能源场景,薄膜电容逐渐成为主流,市场亟需高性价比的近日,上海永铭电子股份有限公司推出了直流支撑薄膜电容器,4个突出优势使其适用于英飞凌第七代IGBT,并且有助于解决SiC系统的稳定性、可靠性、小型化和成本等难题。
  • 投用电网!国产SiC器件连破3关
    投用电网!国产SiC器件连破3关
    近日,国家电网等多家企业宣布,他们成功将SiC技术应用在电网电力系统中,并且实现了SiC MOSFET芯片的全国产化,为SiC器件应用又拓宽了应用面,详情请往下看:
  • SiC器件,中外现况
    SiC器件,中外现况
    近年来,以碳化硅(SiC)为代表的第三代宽禁带半导体材料备受关注,在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势,满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。 碳化硅器件按照电阻性能的不同,可以分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件。 ①导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层,得到碳化硅外延片后进一步加工制成,品种包括SBD(肖
    7185
    2023/12/08
  • 碳化硅二极管器件在电子领域中有何优势
    碳化硅材料的半导体,虽然随着技术的发展,目前碳化硅的成本已经下降了不少,但按市场性价比来看,同类型的硅材料与碳化硅半导体器件的价格相差十倍以上。碳化硅单晶可用于制造晶体管(二极管和晶体管)。由于碳化硅具有较大的禁带宽度,制成的器件可以承受高压和高温,是制作大功率器件的良好材料。缺点是其单晶的制造比较困难,器件工艺也不成熟,而且在器件中的欧姆接触难以做好(因为是宽禁带半导体,重掺杂难以起作用)在半导体器件的应用方面,随着碳化硅生产成本的降低,碳化硅由于其优良的性能而可能取代硅作芯片,打破硅芯片由于材料本身性能的瓶颈,将给电子业带来革命性的变革。
  • 碳化硅SiC器件到底有多强
    碳化硅SiC器件到底有多强
    与目前广泛使用的Si材料相比,KeepTops的碳化硅材料具有更高的导热性,这决定了其高电流密度特性;其更高的带隙宽度决定了SiC器件的高击穿场强和高工作温度。其优点可归纳为以下几点
  • 保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
    保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
    在不断发展的汽车、可再生能源和工业应用中,工程师将能够借助 SiC 器件的特性,解决功率密度和散热方面的诸多挑战。凭借 1700V 系列 SiC MOSFET 和二极管,安森美满足了市场对具有更高击穿电压的器件的需求。此外,安森美还为新兴的太阳能、固态变压器和固态断路器应用开发了 2000V SiC MOSFET 技术。
  • SIC是否能成为光伏发电的再生能源?
    光伏发电是SIC器件除新能源汽车领域之外的第二个应用领域。光伏逆变器作为光伏电站的转换设备,主要用于将太阳能电池组件发出的直流电转换为交流电。随着光伏产业进入“大组件、大逆变器、大跨支架、大组串”时代,光伏电站电压等级将从1000V提升至1500V及以上,这对物理性能提出了更高的要求功率器件。这时,碳化硅进入了公众的视野。
  • 中国小型SiC厂商,难过2023
    中国小型SiC厂商,难过2023
    2018年,特斯拉在Model 3中首次将IGBT模块换成了SiC模块,成为第一家在量产汽车中使用SiC芯片的电动汽车公司。特斯拉的使用结果表明,在相同功率等级下,SiC模块的封装尺寸明显小于硅模块,并且开关损耗降低了75%。换算下来,采用SiC模块替代IGBT模块,其系统效率可以提高5%左右。
  • 228亿,意法半导体 x 三安光电,他们在谋划什么?
    228亿,意法半导体 x 三安光电,他们在谋划什么?
    6月7日,国际半导体大厂意法半导体和国内化合物半导体知名厂商三安光电宣布,双方已签署协议,将在重庆建立一个新的8吋碳化硅器件合资制造厂。
  • 新型栅极驱动器,助力牵引逆变器运行效率再提升2%
    随着可再生能源、电动汽车等应用的普及,SiC器件有了用武之地。相对于Si器件,SiC器件具有诸多优势,如更快的开关速度、更高的效率、更高的工作电压和更高的温度,同时也可以带来更小、更轻的设计。
  • 安森美的可持续电源方案将成为PCIM的焦点
    领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),将在2023年5月9日至11日于德国纽伦堡举行的领先的电力电子展览及会议PCIM欧洲,展示其最新的可持续电源的创新成果。 今年PCIM欧洲的主题是卓越领先的电力电子技术(Excelling in Power Electronics),安森美将在展会期间聚焦三个关键领域,共有五个演示区域、一个展示柜和一个专用电源墙:
  • 产业丨国产碳化硅模块的突破和加速
    随着电动汽车的市占率不断提高,碳化硅成本下降以及产能的持续爬升,未来无论是800V还是400V平台的电动汽车都会陆续应用到碳化硅。
  • 特斯拉带火的SiC器件,该降温了
    作为第三代半导体材料的代表,碳化硅近年受益于电动汽车的发展,备受行业关注。从2018年,特斯拉开启碳化硅上车后,无论是车企、Tier 1还是芯片企业都在积极布局这一赛道。
  • Microchip推出全新MPLAB® SiC电源模拟器,助力客户在设计阶段测试SiC电源解决方案
    基于PLECS的工具可在将设计实现为硬件之前,快速评估针对各种电源开关拓扑结构的解决方案 电气化正在推动SiC半导体的增长,由于其具备快速开关能力、更低的功率损耗和更高的温度性能,电动汽车、可持续发展和工业等大型细分市场都转向SiC电源解决方案。为了帮助电源设计工程师轻松、快速和放心地过渡到SiC电源解决方案,Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出MPL
  • CAGR目标25.2% 罗姆第4代SiC器件发力
    自2010年推出世界首款SiC MOSFET后,罗姆在SiC功率器件上的努力正在得到回报。
    1742
    2023/02/23
  • Oscillation of SiC SBD 碳化硅肖特基二极管的震荡
    让我们开始今天的话题,宽禁带半导体(这里主要就SiC展开)中普遍易于硅基的振荡。

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