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关于图像传感器的像素误区

2023/06/20
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图像传感器的应用日益普及,特别是在安防、工业和汽车应用领域。很多汽车现在都配备了至少五个以上基于图像传感器的摄像头。但是,图像传感器技术不同于标准半导体技术,存在着一些错误认知。

摩尔定律和图像传感器

有些人假设著名的“摩尔定律”也适用于图像传感器。戈登·摩尔(Fairchild半导体公司的创始人,Fairchild半导体现在是安森美的一部分)指出,集成电路 (IC) 上的晶体管数量每两年增加一倍。为了将两倍数量的晶体管放置在单个器件上,缩小晶体管是主要实现方式。这种趋势已经持续了数十年,但近年晶体管数量增长速度有所减缓。晶体管密度增大还导致单位晶体管成本降低,因而很多电子系统的功能越来越丰富多样,但价格没有上涨。

但图像传感器却有所不同,因为它的一些重要部件不会随着晶体管变小而扩增。具体来说,图像传感器的光学元件比如光电二极管(将入射光转换为电信号)和一些模拟元件(将电信号转换为数字图像)不能像数字逻辑元件那样简单地扩增。在传感器中,图像捕

获主要采用模拟技术,由数字电路将来自每个像素的数字数据转换为图像,这些图像可以被存储、显示或用于人工智能机器视觉。

如果像素数量每两年增长一倍,同时镜头尺寸保持不变,那么像素将会变小,导致接收的光子更少。(想一下雨天的水桶,更小的水桶收集的雨滴更少)。因此,传感器必须在单位面积灵敏度和降低噪声方面表现更加出色,才能在低光照条件下生成同样优质的图像。如果不是出于产品的应用场景需要,增加像素数量不仅没有任何意义,还会导致带宽和存储空间被迫增加,使得系统其他部件的成本上升。

像素大小

仅通过像素大小不足以确定像素性能。我们不能想当然地假定更大的像素必定带来更好的图像质量。尽管不同光照条件下的像素性能非常重要,而且像素越大,就有更大的面积来收集光,但这不一定能够提高图像质量。另外还有多个因素也同样重要,包括分辨率和像素噪声指标。

如果提高分辨率对应用的影响大于减少单个像素的影响,那么像素较小的传感器可能在性能上优于相同光学面积下像素较大的传感器。重要的是,要确保接收到光子的数量的能力足以形成高质量图像,因而像素灵敏度(光电转换效率)和应用环境非常重要。

在为应用选择传感器时,像素大小是个考虑因素。但是,人们可能过于夸大了它的重要性;它只是多个参数中的一个,对于其他几个参数,也应给予同样的认真考量。选择传感器时,设计人员必须考虑目标应用的所有要求,然后在速度、灵敏度、图像质量上找到理想平衡,以实现合适的设计解决方案。

大小像素设计

在很多应用中,尽可能地扩展动态范围具有重要价值,有助于在最终图像中正确渲染阴影和高光,但这对于图像传感器可能具有很大的挑战性。有些公司采用了一种名为“大小像

素”的技术,目的是解决为光电二极管创造更多容量的难题,以便在二极管“饱和”之前收集电子。

在大小像素方法中,专用于单个像素的传感器区域被分为两个部分:较大的光电二极管覆盖大多数区域,较小的光电二极管使用剩余区域。较大的光电二极管收集更多光子,在明亮光照条件下很容易饱和。较小的光电二极管可以暴露更长时间而不会饱和,因为可用于收集光子的面积较小。可以形象地将它们类比为使用水桶和水瓶来收集雨滴。水桶通常是顶部比底部更宽,因而可以非常高效地收集雨滴,比水瓶更快地装满;而水瓶开口小,瓶身比较宽,收集起来比较慢。在低光照条件下使用更大的像素,在明亮光照条件下使用更小的像素,可以形成扩展的动态范围。

图 1:复杂的半导体,从光子到图像输出

安森美为单个像素增加了一个区域,让多出来的信号或电荷能够溢出到该区域,从而解决了上述问题。想象一下,我们使用水桶来接雨滴,然后有一个更大的盆来接住从水桶溢出的水。“水桶”信号易于读取,具有很高的精度,因而我们能够达到良好的低光照性能,更大的盆则容纳了溢出的所有信号,从而扩展了动态范围。这样,整个像素区域用于低光照

条件,而不会在明亮光照条件下出现饱和。饱和会降低图像质量,例如会使颜色失真,清晰度下降。安森美的超级曝光技术可在高动态范围场景中提供更好的图像质量,适用于人眼视觉和机器视觉应用。

图 2:XGS 16000 是一款 1600 万像素 CMOS 图像传感器

下次为您的设计选择图像传感器时,要记住“更多更大并不一定更好”,至少对于像素来说是这样。

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安森美

安森美

历史安森美半导体前身是摩托罗拉集团的半导体元件部门,于1999年独立上市,继续生产摩托罗拉的分立晶体管,标准模拟和标准逻辑等器件。并购纪录2000年四月,完成收购Cherry Semiconductor。2006年,完成收购位于美国俄勒冈州Gresham的LSI Logic设计和制造设施。2008年一月,以184M美元完成收购美国模拟器件公司的稳压及热管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部门。2008年三月,以915M美元完成收购AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收购Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收购PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收购California Micro Devices。2010年六月,完成收购Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收购日本三洋电机的子公司三洋半导体(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收购赛普拉斯半导体(Cypress Semiconductor)的CMOS图像传感器业务部门。2014年五月,完成收购Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半导体和富士通半导体宣布战略合作(包括晶圆代工服务协议,及日本会津若松市富士通的8吋晶圆厂的10%权益。)2014年八月,以4亿美元完成收购总部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半导体完成收购Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥资24亿美元现金收购飞兆半导体公司。2016年八月,安森美半导体宣布已就出售点火IGBT业务给 Littelfuse 达成协议,出售其瞬态电压抑制二极管和开关型晶闸管产品线,售价共1.04亿美元现金。2016年九月,安森美半导体完成收购飞兆半导体公司。产品安森美半导体制造以下的各种产品:定制:ASIC;定制代工服务;定制ULP存储器;定制CMOS图像传感器;集成无源器件分立:双极晶体管;二极管和整流器;IGBT和FET;晶闸管;可调谐组件电源管理:AC-DC控制器和稳压器;DC-DC控制器、转换器和稳压器;热管理;驱动器;电压和电流管理逻辑:时钟产生;时钟及数据分配;存储器;微控制器;标准逻辑信号管理:放大器和比较器;模拟开关;音频/视频的ASSP;数字电位计;EMI/RFI滤波器;接口;光电、图像及触摸传感器产品部安森美半导体的各个产品部门:模拟方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高腾博),执行副总裁兼总经理图像传感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高级副总裁兼总经理电源方案部(PSG) – Bill Hall(贺彦彬),执行副总裁兼总经理解决方案工程中心日本:大阪; 东京中国:上海德国:慕尼黑中国台湾:台北美国:加州圣荷西; 俄勒冈州波特兰; 底特律韩国:首尔设计中心美国:亚利桑那州凤凰城(Phoenix)、亚利桑那州钱德勒(Chandler)、得州奥斯汀(Austin)、得州普莱诺(Plano)、罗德岛州东格林尼治(East Greenwich)、科罗拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、爱达荷州波卡特洛(Pocatello)、宾夕法尼亚州Lower Gwynedd、犹他州林顿(Lindon)、爱达荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯灵顿(Burlington), 滑铁卢(Waterloo)比利时:梅赫伦(Mechelen),奥德纳尔德(Oudenaarde),菲尔福尔德(Vilvoorde)法国:图卢兹(Toulouse)德国:慕尼黑罗马尼亚:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉发(Bratislava)爱尔兰:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布尔诺(Brno)韩国:首尔中国台湾:台北印度:班加罗尔(Bangalore),诺伊达(Noida)日本:岐阜市,群马菲律宾:德拉克市(Tarlac City)制造工厂美国:亚利桑那州凤凰城、亚利桑那州钱德勒、俄勒冈州Gresham、爱达荷州波卡特洛、爱达荷州楠帕、缅因州南波特兰加拿大:伯灵顿 (安大略省)比利时:奥德纳尔德捷克:Roznov中国:乐山、深圳、苏州日本:群马县、埼玉县羽生市、新潟县新潟市韩国:富川菲律宾:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿雾市马来西亚:森美兰州芙蓉市越南:边和市、顺安市社

历史安森美半导体前身是摩托罗拉集团的半导体元件部门,于1999年独立上市,继续生产摩托罗拉的分立晶体管,标准模拟和标准逻辑等器件。并购纪录2000年四月,完成收购Cherry Semiconductor。2006年,完成收购位于美国俄勒冈州Gresham的LSI Logic设计和制造设施。2008年一月,以184M美元完成收购美国模拟器件公司的稳压及热管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部门。2008年三月,以915M美元完成收购AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收购Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收购PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收购California Micro Devices。2010年六月,完成收购Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收购日本三洋电机的子公司三洋半导体(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收购赛普拉斯半导体(Cypress Semiconductor)的CMOS图像传感器业务部门。2014年五月,完成收购Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半导体和富士通半导体宣布战略合作(包括晶圆代工服务协议,及日本会津若松市富士通的8吋晶圆厂的10%权益。)2014年八月,以4亿美元完成收购总部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半导体完成收购Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥资24亿美元现金收购飞兆半导体公司。2016年八月,安森美半导体宣布已就出售点火IGBT业务给 Littelfuse 达成协议,出售其瞬态电压抑制二极管和开关型晶闸管产品线,售价共1.04亿美元现金。2016年九月,安森美半导体完成收购飞兆半导体公司。产品安森美半导体制造以下的各种产品:定制:ASIC;定制代工服务;定制ULP存储器;定制CMOS图像传感器;集成无源器件分立:双极晶体管;二极管和整流器;IGBT和FET;晶闸管;可调谐组件电源管理:AC-DC控制器和稳压器;DC-DC控制器、转换器和稳压器;热管理;驱动器;电压和电流管理逻辑:时钟产生;时钟及数据分配;存储器;微控制器;标准逻辑信号管理:放大器和比较器;模拟开关;音频/视频的ASSP;数字电位计;EMI/RFI滤波器;接口;光电、图像及触摸传感器产品部安森美半导体的各个产品部门:模拟方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高腾博),执行副总裁兼总经理图像传感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高级副总裁兼总经理电源方案部(PSG) – Bill Hall(贺彦彬),执行副总裁兼总经理解决方案工程中心日本:大阪; 东京中国:上海德国:慕尼黑中国台湾:台北美国:加州圣荷西; 俄勒冈州波特兰; 底特律韩国:首尔设计中心美国:亚利桑那州凤凰城(Phoenix)、亚利桑那州钱德勒(Chandler)、得州奥斯汀(Austin)、得州普莱诺(Plano)、罗德岛州东格林尼治(East Greenwich)、科罗拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、爱达荷州波卡特洛(Pocatello)、宾夕法尼亚州Lower Gwynedd、犹他州林顿(Lindon)、爱达荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯灵顿(Burlington), 滑铁卢(Waterloo)比利时:梅赫伦(Mechelen),奥德纳尔德(Oudenaarde),菲尔福尔德(Vilvoorde)法国:图卢兹(Toulouse)德国:慕尼黑罗马尼亚:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉发(Bratislava)爱尔兰:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布尔诺(Brno)韩国:首尔中国台湾:台北印度:班加罗尔(Bangalore),诺伊达(Noida)日本:岐阜市,群马菲律宾:德拉克市(Tarlac City)制造工厂美国:亚利桑那州凤凰城、亚利桑那州钱德勒、俄勒冈州Gresham、爱达荷州波卡特洛、爱达荷州楠帕、缅因州南波特兰加拿大:伯灵顿 (安大略省)比利时:奥德纳尔德捷克:Roznov中国:乐山、深圳、苏州日本:群马县、埼玉县羽生市、新潟县新潟市韩国:富川菲律宾:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿雾市马来西亚:森美兰州芙蓉市越南:边和市、顺安市社收起

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