产业丨带宽需求在提升，存储市场近年还能复苏吗？

作者 | 方文三

进入2023年，全球半导体行业的发展速度放缓，并在9月首次出现了负增长。这一负增长的趋势至今仍未得到扭转。

然而，从周期位置的角度来看，半导体行业目前仍然处于周期的底部。

AIGC应用催生存储市场新空间

AIGC应用对服务器资源的需求也赋予存储行业新的发展信心，算力需求从云端向端侧转移，对带宽也会提出新的挑战。

2023年第二季度，DRAM产业营收环比增幅高达20.4%，达到114.3亿美元，终结了连续三个季度的下跌趋势。

海力士作为HBM产品领域的领导者，不断推动HBM产品的升级迭代。

此外，三星电子和SK海力士正在积极加速推动12层HBM内存的生产，而美光HBM3Gen2将于2024年初量产。

TrendForce预测，2022-2026年期间，AI服务器出货量复合增长率为22%，预计2023年出货量达到118.3万台，占整体服务器出货量约9%。

AI服务器的算力需求需要先进制程、大容量规格的存储产品，包括DDR5、HBM以及大容量SSD。

根据TrendForce数据，AI服务器对DRAM内存的需求量为1. 2—1.7TB，SSD内存的需求量为4.1TB，HBM容量需求为320—640GB。

目前AI服务器成长需求较为强劲，预估2023年AI服务器出货量近120万台，年增率近38%，AI服务器的大幅增长有望带来价值增量。

汽车存储市场出现增长因素

汽车存储市场发展迅速，主要以智能座舱和ADAS&AD为主。

根据预测，从2021年到2027年，汽车存储市场的年均复合增长率将达到20%，这一增速超过了同期存储器市场和汽车半导体市场的增速。

预计到2027年，智能座舱仍将是存储领域的最大消费者。然而，ADAS&AD的收入份额将增加至36%。

在技术方面，DRAM和NAND将占汽车内存收入的90%左右。

车载市场目前主要的存储应用包括DRAM（DDR、LPDDR）和NAND（eMMC和UFS等）。其中，低功耗的LPDDR和NAND将成为主要增长点。

云计算资本开支增长创新高

2022年全球云计算资本开支同比增长19.6%至1580.6亿美元。

根据FactSet与彭博一致预期，2023/2024年全球云计算资本开支预计分别同比增长3.3%/11.0%。

国内市场方面，根据我们对百度、阿里巴巴、腾讯财报的梳理，受BAT降本增效战略影响，2022年国内云计算资本开支同比下降29.25%至90.52亿美元；

随着中国AIGC领域的快速发展，预计后续BAT公司的资本开支将有望企稳回升。

根据预测，2023年和2024年国内云计算资本开支将同比增长8%和10%，达到97.7亿美元和107.5亿美元。

NAND长期前景好坏参半

DRAM市场复苏较之NAND Flash市场更早的原因主要包括以下几点：

①DRAM市场的生产调整更为剧烈，前期减产幅度较大，这为市场复苏奠定了基础；

②DRAM在智能手机等终端应用领域的需求表现较为稳定，其需求刚性较大，这一因素也在一定程度上促成了市场的提前复苏；

③随着AI技术的快速发展，HBM（高带宽内存）的需求也有所增加，进一步推动了DRAM市场的复苏。

就NAND市场而言，其长期发展前景表现为好坏参半。

一方面，新兴的大趋势正在推动数据生成以及本地、边缘和云存储需求的大幅增长，这将为NAND市场带来新的发展机遇。

然而，另一方面，硬盘驱动器（HDD）正在不断被基于NAND的固态驱动器（SSD）所取代，从而推动了需求的强劲增长，并有可能推动市场达到新的高度。

值得注意的是，该市场存在多家大型供应商，且历史利润率较低，资本密集度不断上升。

这些因素为市场竞争带来了较大的不确定性，使得各家供应商难以保证持续稳定的盈利能力。

DRAM依然存在不确定性

库存仍然是定价方程的重要因素。尽管一些客户已消耗了库存、当前内存库存相对正常，但供应商在过去几个季度已采取措施增加库存以稳定价格。

在NAND闪存市场方面，供应商经过一年的努力才使制造工厂恢复正常化。

目前，减产已促使供应商能够在年底前实现某种市场平衡，并预测价格将开始在预期平衡之前回升。

然而，计算已成为全球经济的重要驱动力，而DRAM则制约了计算能力。

长期DRAM需求将随着计算需求的增长而变化，并且在可见的未来，计算需求可能会继续强劲增长。

预计未来五年数据中心对DRAM的需求将以超过30%的复合年增长率增长，这将导致同期DRAM整体需求每年增长超过20%。

DRAM及NAND价格与产能的变动关系

野村证券先前预期DRAM/NAND价格在第三季度将下跌10-12%，但现在预计将下跌15%，并预计第四季度再下跌15%（先前预计下跌10-12%）。

野村证券认为，就供需动态和价格而言，需求弹性和减产是潜在的正面催化剂。

建议关注存储器市场的两个潜在拐点：首先是需求反弹，其次是存储器市场进一步恶化随之而来的减产。

野村指出，DRAM第三季度平均销售单价（ASP）可望增长5-6%，而NAND的价格则变动不大。

虽然DRAM产能利用率下滑造成每单位固定成本上扬，但野村认为DRAM将接近损益平衡点，NAND的获利则仍有较大的改善空间。

野村预估，到了第四季度，DRAM及NAND价格将增长10-15%，高于原先5-10%的预估值，主要是由于大量减产。

一旦额外减产的效应浮现，库存明显下滑，平均销售单价升高，将加速提高存储厂的获利能力，并将拉高明年第一季的产能利用率。

此外，AI伺服器需求带旺高频宽存储（HBM），推动DRAM市场复苏，但也可能造成供给快速成长，2024年下半年起恐将供给过剩。

结尾：

此外，无论是同比还是环比，移动手机市场均出现了正向增长。对于营收增长的原因，主要有以下三点：

一是真实需求增长；二是原厂发出涨价信号后，买方市场需求出现备货恐慌；三是受地缘的影响，美光科技所提供的某些SKU无法被采用，从而引发了结构性缺货现象。

部分资料参考：

东吴证券：《存储行业拐点已至》，雷锋网：《AIGC下半场，存储市场复苏蓄势待发？》，华泰证券：《底部已过，AI推动行业进入新周期》，半导体行业观察：《存储，怎么看？》，钛媒体：《闪存价格触底反弹，AI需求激增》