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AI赛道,半导体存储厂商“各显神通”

07/08 15:20
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当前,在半导体存储芯片领域,人工智能AI已经成为各大厂商业绩增长的重要推手之一。

当地时间7月5日,韩国半导体厂商三星电子公布第二季度初步财报。数据显示,三星电子上季营业获利大幅增长,远超市场预期。

依据K-IFRS的综合收益估计,三星电子预计,其二季度合并营收为74万亿韩元,较去年同期增长23%,营业利润将达10.4万亿韩元,较去年同期的6700亿韩元激增近15倍,大幅超越市场预期的8.8万亿韩元。

尽管各部门的具体收益细节,三星将在本月稍后公布,但业界认为,三星电子营业利润大幅增长,主要是得益于全球半导体市场的回暖,尤其是受到数据中心和人工智能AI热潮推动,促使存储芯片需求加快复苏,并带动价格回升。

HBM推动,存储厂商业绩水涨船高

事实上,HBM市场竞争主要集中在SK海力士、三星和美光三大厂商中,而在AI浪潮推动下,上述厂商的业绩也水涨船高。

三星方面,抛开尚未完全公布的第二季度初步财报,回溯一季度业绩,三星电子在当季实现营收71.92万亿韩元,同比增长13%,营业利润6.61万亿韩元,同比猛增931.87%。从部门营收来看,负责半导体业务的设备解决方案(DS)部门营收为23.14万亿韩元,同比增长68%,其中存储业务营收17.49万亿韩元,涨幅高达96%。

三星电子在财报中表示,预计今年下半年芯片需求将保持强劲,这在很大程度上是因为各行各业对生成式人工智能的需求。

美光方面,其当地时间6月26日公布的最新一季财报显示,3-5月,其实现营收68.11亿美元,环比增长17%,同比增长81.5%;净利润7.02亿美元,环比增长47%,其中,DRAM营收约47亿美元,环比增长13%。美光预计,2024财年将从HBM中获得数亿美元收入,到2025财年这一数字将达到数十亿美元。

至于SK海力士,其在4月底公布截至3月31日的2024财年第一季度财报显示,其当季营收创历史同期新高,达12.4296万亿韩元,同比增长144%,环比增长10%,营业利润2.886万亿韩元,同比扭亏为盈,环比大幅增长734%,净利润为1.917万亿韩元,同比和环比均实现扭亏为盈。

SK海力士表示,公司当季营业利润环比增长734%,主要是凭借HBM等面向AI的存储器技术领导力,公司提升了面向AI服务器的产品销量,同时持续实施以盈利为主的经营活动。

抢夺HBM产能,厂商“各显神通”

为应对AI人工智能带来的HBM存储器需求不断增长这一趋势,SK海力士、三星、美光三大厂商无论在产品研发、出货以及产能扩充等方面都开始摩拳擦掌,各显神通。

其中,SK海力士已决定加大于今年3月开始生产的HBM3E产品供应,并拓展其产品的客户群。同时,为进一步扩大产能,SK还计划将韩国清州的M15X厂定为DRAM生产基地并加速建设,并且顺利推进龙仁半导体集群和美国印第安纳州先进封装工厂等中长期投资项目。

此外,SK海力士还计划在2028年前投资103万亿韩元发展芯片业务,其中到2026年将确保80万亿韩元的资金,将用于投资高带宽内存芯片(HBM),以及为股东回报提供资金,并对超过175家的子公司进行精简。

三星方面,近期有消息称,三星电子新设了一个HBM芯片开发团队。据韩联社近日报道,为夺回人工智能(AI)半导体市场的主导权,三星电子新设立了一个专注于开发高带宽存储器(HBM)的团队。

报道称,新团队由三星电子副总裁、高性能DRAM设计专家Sohn Young-soo负责领导,将专注于下一代HBM4产品以及HBM3和HBM3E产品的研发。此外,为巩固地位,三星电子还重组了先进封装团队和设备技术实验室,以提高整体技术竞争力。

至于美光,其正在全球多个生产基地扩建(或计划扩建)HBM产线,目标是在2025年将全球HBM市场份额扩大至20%-25%。

HBM比重提升,预估Q3 DRAM价格将续涨8~13%

从三星、SK海力士、以及美光三大厂商的新厂规划来看,三星现有厂房2024年底产能大致满载,新厂房P4L规划于2025年完工,同时Line15厂区将进行制程转换,由1Ynm转换至1beta nm以上。SK海力士除了M16明年产能预计扩大,M15X同样亦规划于2025年完工,并于明年底量产。美光台湾地区厂区将于明年恢复至满载,后续产能扩张将以美国厂为主,Boise厂区预期于2025年完工并陆续移机,并计划于2026年量产。

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询在5月21日发布的研报中表示,尽管三大原厂的新厂将于2025年完工,但部分厂房后续的量产时程尚未有明确规划,需依赖2024年的获利,才得以持续扩大采购机台,这也进一步推动三大原厂坚守存储器价格今年涨势。

进入第三季,集邦咨询6月底发布的最新研报认为,由于通用型服务器(General Server)需求复苏,加上DRAM供应商HBM生产比重进一步拉高,使供应商将延续涨价态度,预计第三季DRAM均价将持续上扬,DRAM价格涨幅达8~13%。

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