芯耀
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杰盛微半导体推出的JSM21276STR，便是针对 IR21276STR 打造的完美替代方案 —— 不仅在封装、参数上全面兼容，更在抗干扰能力、保护机制等核心性能上实现升级，为工程师提供更具性价比的选择。
一、概览
JSM21276S是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片。JSM21276S采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。
JSM21276S其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。JSM21276S采用 SOP-8 封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
二、产品特性
三、应用范围
四、技术参数详解：硬核实力看得见
1. 极限工作范围
超过极限最大额定值可能造成器件永久性损坏。所有电压参数的额定值是以 VSS 为参考的，环境温度为 25℃。
2. 推荐工作范围：
为了正确地操作，器件应当在以下推荐条件下使用。Vs和 VSS 的偏置额定值是在电源电压为 15V 时进行测量的，无特殊说明的情况下，所有电压参数的额定值是以 VSS为参考的，环境温度为25℃。
五、引脚功能描述
六、功能框图
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