下一代 DRAM技术发展2025报告，重点关注 HBM 和 3D DRAM

这份报告来自Yole，发布于2025年，共225页。该报告详细分析了DRAM市场和技术趋势，重点关注DRAM微缩技术、高带宽内存(HBM)和3D DRAM。

本报告的主要内容和部分截图如下：

一、提供DRAM市场的全面分析

1.1内存市场概述，梳理DRAM市场自1980年代初至今的周期性规律

1.2 DRAM业务概览，包含收入、位元出货量、位元需求和平均售价的市场预测

1.3 DRAM供应分析，包含资本支出和晶圆产量预测，详述CBA* DRAM架构的采用情况

1.4 高带宽内存(HBM)业务：市场驱动力、厂商动态、位元出货量、晶圆产量等

1.5 长期3D DRAM市场演变(2030-2035年)及2D向3D转型对DRAM设备业务的影响

二、呈现最新DRAM技术趋势

2.1 各DRAM供应商针对DDR5和HBM等下一代DRAM设备的技术路线图

2.2 DRAM微缩的设备解决方案（包括EUV光刻）、新型存储单元结构和材料创新

2.3 内存先进封装：高性能DRAM设备的技术趋势与路线图

2.4 CBA* DRAM、HBM以及基于逻辑-DRAM堆叠的新兴AI设备对混合键合技术的采用

2.5 3D DRAM和存内计算(PiM)等新兴技术

三、描述供应链与DRAM生态系统

3.1 聚焦晶圆厂设备和材料供应商的DRAM供应链

3.2 中国DRAM业务分析，解读本土厂商的主要技术进展

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