芯耀
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近日，专注于高性能端侧大模型芯片研发的高科技企业光羽芯辰顺利完成新一轮数亿元融资交割，不仅引入多家重磅战略投资人，更获得老股东坚定加持，这份来自资本的“真金白银”，不仅是对企业自身技术实力、量产节奏与商业化前景的高度认可，更折射出当前高性能端侧大模型芯片赛道的火热态势，成为行业发展的一个生动缩影。
光羽芯辰的融资热度，反映的是高性能端侧大模型芯片行业的蓬勃发展与迫切需求。
作为连接云端大模型与终端设备的关键纽带，端侧大模型芯片承担着将强大AI算力下沉至终端、破解云端部署痛点的核心使命，而高性能端侧大模型芯片更是凭借更优的算力、效率与适配性，成为当前行业竞争的核心焦点。从行业现状来看，随着AI技术从训练驱动向推理驱动的结构性转变，端侧AI芯片迎来爆发式增长，其中高性能端侧大模型芯片的需求尤为突出，已广泛渗透至智能手机、AIPC、智能座舱、具身智能机器人等多个核心场景，成为推动终端设备真正智能化的核心动力。
当前，高性能端侧大模型芯片行业呈现出“需求旺盛、技术迭代加速、竞争格局多元”的鲜明特征。在需求端，全球AI产业的深度渗透推动终端设备对高性能AI算力的需求激增，AI手机渗透率预计从2024年的15%提升至2025年的38%，出货量突破4.7亿部，成为驱动端侧AI芯片需求的核心引擎；同时，AIPC、智能座舱、具身智能机器人等新兴场景的快速崛起，进一步拓宽了高性能端侧大模型芯片的应用边界，带动市场需求持续攀升。数据显示，2025年全球端侧AI芯片市场规模预计突破200亿美元，中国市场占比约35%，达到70亿美元，而高性能产品凭借差异化优势，占据着行业核心利润空间。
在技术层面，高性能端侧大模型芯片正朝着架构创新与工艺优化双轮驱动的方向发展，其中架构创新成为突破能效瓶颈的关键。传统端侧芯片多依赖先进制程工艺提升性能，但面临成本高、供应链受限等问题，而光羽芯辰创新性提出的基于3D DRAM的近存计算架构，不依赖先进制程工艺，却能显著提升存储带宽与计算效率，成为行业技术创新的重要方向。
类似地，存内计算、3D垂直堆叠等新型架构不断涌现，炬芯科技、瑞芯微等企业也通过架构创新实现了高能效比突破，其中瑞芯微RK3588芯片实现6TOPS/W能效比，较上代产品提升300%。此外，软件生态与工具链的完善成为技术落地的关键支撑，企业通过优化算法适配、开发高效工具，推动高性能端侧芯片与终端场景的深度融合。
当前高性能端侧大模型芯片市场呈现“国际主导、国产追赶”的态势。高通、苹果、英伟达等国际巨头凭借技术积累与生态优势，在高端市场占据主导地位，高通Snapdragon X Elite平台、联发科天玑9400等产品凭借先进工艺与高算力，垄断高端终端芯片市场；而国内企业正加速崛起，光羽芯辰、寒武纪、瑞芯微等企业凭借差异化技术路线与本土化优势，逐步在细分领域形成竞争力。其中，光羽芯辰牵头制定的《端侧AI的3D DRAM芯片集成技术规范》成功通过验收，奠定了其在3D DRAM近存计算细分领域的技术主导地位，也标志着中国在高端芯片核心技术的标准化探索上迈出坚实一步。同时，资本的持续加持为国产企业发展注入动力，除光羽芯辰外，微纳核芯等企业也完成大额融资，聚焦存算一体等核心技术，推动国产高性能端侧芯片实现突破。
展望行业发展趋势，高性能端侧大模型芯片将朝着“高能效比、场景化、标准化、国产化”四大方向加速演进。
其一，高能效比成为核心竞争点，架构创新与工艺优化将持续深化，3D近存计算、存算一体等新型架构将逐步普及，破解“高性能+低功耗+低成本”的行业痛点，光羽芯辰等企业的技术探索将为行业提供重要参考。
其二，场景化定制成为发展主流，随着终端场景的多元化，芯片将针对AI手机、AIPC、智能座舱等不同场景进行定制化设计，实现算力与场景需求的精准匹配，推动AI与垂直场景深度融合。
其三，行业标准化进程加速，类似光羽芯辰牵头制定的技术规范将不断涌现，推动端侧AI芯片在接口、集成、适配等方面形成统一标准，为规模化应用铺平道路，IEEE预计2026年将发布存算一体系统接口规范，进一步推动行业规范化发展。
其四，国产化替代进程持续提速，国内企业在技术研发、产业链协同等方面的优势不断凸显，叠加政策支持与资本加持，将逐步打破国际巨头垄断，提升国产芯片在全球市场的份额，为全球智能终端产业注入“中国芯”动力。
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