千亿存储大厂本月全面投产！

SK海力士计划从本月起大幅提升其位于清州M15X新工厂的先进DRAM的量产能力。预计c将成为SK海力士明年提升高带宽内存（HBM）产能的关键枢纽。尽管目前其整体产能仍小于位于中国无锡和韩国利川的工厂，但该公司计划通过部署大量先进工艺设备并加快产能爬坡，在市场繁荣时期实现利润最大化。

据业内人士4月10日透露，SK海力士M15X工厂计划从本月起逐步提升晶圆产量，从平均每月1万片提升至明年最高每月8万片。尤其考虑到今年的设备交付和安装速度，预计该生产线年内平均每月可处理 3 万至 5 万张 DRAM。这意味着与原计划相比，生产进度实际上提前了约两个月。M15X 生产的大部分 DRAM 预计将用于高利润产品，包括第六代 HBM（HBM4），部分将用于高性能服务器 DRAM。

M15X 是 SK 海力士投资约 20 万亿韩元（920亿元人民币）扩建现有 M15 工厂而新建的 DRAM 生产基地。在 2027 年龙仁半导体集群首座晶圆厂建成之前，M15X 将负责满足下一代 HBM 的需求。龙仁半导体集群晶圆厂的实际运营情况仍存在不确定性。尽管业内人士预测该项目将于明年投产，但SK海力士内外的消息人士认为，由于地方政府和基础设施方面的问题，该项目更有可能在2028年之后投产。因此，对于面临产能扩张限制的SK海力士而言，在龙仁产业集群投产之前，M15X是其扩大DRAM产能的唯一保障。

M15X是一条配备大量极紫外（EUV）光刻设备的先进生产线，这些设备是大规模生产尖端DRAM所必需的。据业内人士透露，M15X工厂已投资12万亿韩元用于购置EUV设备。该生产线的主要产品是10nm第五代（1b）DRAM，预计将有助于提高服务器、PC和移动设备（包括HBM）高性能DRAM产品的市场份额。

M15X工厂全面投产后，SK海力士的DRAM晶圆产量预计将增长10%至15%。然而，普遍认为，由于该生产线专注于先进工艺，它将对HBM的供应能力、收入结构和盈利能力做出更显著的贡献。鉴于SK海力士此前在财报电话会议上强调M15X是HBM的优化中心，且SK集团董事长崔泰元也曾解释HBM的晶圆消耗量远高于标准DRAM，因此，大部分产能很可能用于巩固HBM的市场主导地位。

此外，这也意义重大，因为它将SK海力士目前主要集中在中国无锡和韩国利川的DRAM生产协同效应扩展到了韩国清州。 M15X工厂紧邻现有的M15工厂，据报道，由于M15正在加大对硅通孔（TSV）设备的投资，该选址有利于优化HBM的生产。TSV是一种基于硅中介层的垂直电气连接技术，对HBM等存储器的生产至关重要。这意味着，以M15和M15X为中心的清州工厂将成为HBM生产中心之一，与清州的TSV后端工艺和未来封装投资相契合。

一位熟悉SK海力士的官员解释说：“虽然M15X的扩建计划能够将SK海力士的DRAM晶圆总产能提升近20%，但其更重要的意义不在于这些数字本身，而在于它解决了HBM先进DRAM生产中的瓶颈问题。”该官员补充道：“我们的目标不仅是提高产量，更重要的是填补龙仁工厂投产前的产能缺口，并迅速应对与竞争对手在高分子骨粉市场争夺主导地位的挑战。”

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