芯耀
与非AI
467
三星电子公布了其下一代内存技术愿景，以应对高性能计算 (HPC) 和人工智能 (AI) 基础设施日益增长的需求。
他们宣布了通过推出性能比现有高带宽存储器 (HBM) 高出 8 倍的“zHBM”以及下一代高性能 NAND“zNAND-O”和第 10 代“BV-NAND”来加强其 AI 半导体领导地位的雄心。
三星电子参加了当地时间 8月4 日至 6 日在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举办的“FMS（内存与存储的未来）2026”，并公开了业界首个下一代 3D 内存架构 zHBM 和 zNAND-O 的模型。
8月4日（当地时间）上午，即活动第一天，三星电子闪存开发部副总裁Lee Jin-yeop和DRAM开发部执行董事Kim Gyeong-ryun发表了主题演讲。
在主题演讲中，两位演讲者提出了一个技术愿景，旨在应对基于 zHBM 和 zNAND-O 等下一代 3D 内存的 HPC 和 AI 基础设施日益增长的需求，并最大限度地提高 AI 系统的性能和能效。
在 FMS 2026 上，三星电子推出了业界首款下一代 3D 内存架构、zHBM 和 zNAND-O 模型，并为未来 AI 系统提出了新的内存技术方向。
zHBM 是一种下一代架构，它比现有将 HBM 放置在 AI 加速器（xPU）旁边的方法更进一步，并将 HBM 垂直堆叠在 AI 加速器顶部。
通过最小化AI加速器和内存之间的数据移动距离，提高带宽和功效，支持大规模AI模型学习和推理所需的超高速数据处理。
采用 zHBM 的下一代接口系统可提供比第 8 代高带宽存储器“HBM5”高出 8 倍的性能。
此外，由于数据移动距离更短，功率比比HBM5提高了多达3倍，热阻降低了一半以上，最大限度地提高了大容量、高带宽系统的稳定性和功率效率。
zNAND-O 是三星电子正在开发的下一代高性能 NAND 闪存解决方案。它利用现有V-NAND的垂直堆叠技术，并结合硅通孔电极（TSV）技术来3D封装4层或8层半导体芯片。
三星电子还在 FMS 2026 上推出了业界首款具有 400 多个垂直堆叠层的第 10 代 V-NAND“V10 BV-NAND”。
第十代BV-NAND是基于超过400层的超高堆叠结构，提高性能和功耗效率的下一代NAND产品。
三星电子跳过了300层NAND产品，继之前的286层第9代NAND之后推出了400层产品。
第十代BV-NAND不仅增加了堆栈数量，与上一代相比还提高了数据读写性能和输入/输出（I/O）速度，确保在高性能和大容量NAND市场上优化竞争力。
在本次展会上，三星电子还推出了针对高性能计算和AI数据中心优化的下一代内存和存储解决方案，例如▲HBM4E ▲HBM5 ▲LPDDR5X-PIM ▲PM1763。
同时，三星电子是全球唯一一家能够提供涵盖▲存储器▲逻辑▲代工▲封装的“一站式解决方案”的集成半导体（IDM）公司。
三星电子计划通过下一代内存技术创新和涵盖内存、代工和先进封装的差异化解决方案，继续加强其在人工智能时代半导体技术的领导地位。
韩中工商联盟总会成立于2008年7月20日，由韩国山东商会更名，成员包括中韩两国企业家、政治家、科研专家学者共同发起成立的国际性经贸合作组织。
总会旨在推动中韩两国在经济、科技与产业领域的深度合作与交流，致力于打造高层次、多维度的国际合作平台，促进资源整合与产业协同发展。
在重点发展领域方面，总会积极布局高科技产业板块，涵盖生物医药、人工智能（AI）、半导体与存储等前沿领域。围绕三星电子与SK海力士等全球领先企业的产业资源，推动内存、芯片及相关技术的合作与流通，并协同中国区域内的授权代理公司与供应链体系，设立AI存储专委会，促进中韩半导体产业的高效对接与合规发展。
同时，总会广泛汇聚中韩两国在企业、科研、金融及产业界的优质资源，为会员单位提供政策对接、项目孵化、产业落地及跨境合作等全方位支持，持续提升中韩经贸合作的深度与广度。
韩中工商联盟总会旗下芯枢科技有限公司（CoreHub Limited）、芯枢科技（北京）有限公司是立足于香港的半导体存储供应链平台型企业，致力于在全球范围内整合存储芯片资源、优化流通路径并提升产业链配置效率。依托香港作为国际金融、贸易与结算中心的独特优势，公司连接上游核心供应资源与下游关键应用市场，在复杂多变的全球半导体环境中构建稳定、高效且具备前瞻性的流通体系。CoreHub 不仅专注于存储产品的分销与供应，更以平台化思维重塑产业协同方式，通过资源整合、结构优化与价值再分配，逐步形成覆盖多区域、多层级的供应链网络，致力于成为连接产业资源与市场需求的关键枢纽，在全球数字经济与算力时代中发挥长期而持续的基础性作用。
韩中工商联盟总会AI存储专委会委员长、芯枢科技负责人 林美炳
邮箱：linmb@corehubhk.cn
