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与非AI
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继第二季度创下历史最佳业绩后，三星电子有望通过进一步巩固其在全球存储器市场的领导地位，在下半年保持强劲的盈利势头。公司计划扩大与主要科技企业的长期供应协议（LTA），将高价值高带宽内存（HBM）产品的供应量增加两倍以上，并专注于争取高利润先进工艺节点的代工订单。金融分析师预测，受存储器价格上涨的推动，三星第三季度的营业利润可能首次突破100万亿韩元（4650亿元人民币）。
在7月30日举行的第二季度财报电话会议上，三星电子宣布计划“在第三季度将第六代HBM（HBM4）的销量较第二季度增加两倍以上”，并预计HBM4将占其HBM总销量的60%以上。
HBM4是HBM技术的最新迭代产品，将于下半年被集成到英伟达（Nvidia）新款“Vera Rubin”AI加速器中。随着各大科技公司竞相开发高性能AI芯片，预计市场需求将激增；值得注意的是，HBM4的价格比HBM3E高出30%以上，具有更高的盈利能力。
三星表示：“鉴于供应紧张局面预计将持续至明年，我们将通过管理供应来保持HBM4与通用DRAM之间的平衡比例。”虽然上半年的产能利用重点在于价格大幅上涨的通用DRAM，但下半年的策略则是通过提高市场价值不断攀升的HBM4产品的占比，来实现利润最大化。 [图片放大]
据尤金投资证券（Eugene Investment & Securities）数据，三星电子 HBM（高带宽内存）产品今年的每千兆位（Gb）平均售价（ASP）为 1.61 美元——低于通用 DRAM（1.82 美元）——但随着 HBM4 供应量的增加，预计明年该价格将升至 3.52 美元，从而超过通用 DRAM（2.36 美元）的价格。三星还计划于明年量产 HBM4E，该产品的定价是 HBM4 的两倍。
三星电子正将其与存储业务协同的代工业务定位为新的增长引擎，并表示有信心“在不久的将来实现扭亏为盈”。公司计划提高先进制程（4纳米及更精细制程）的营收占比——这类制程与 HBM4 一样具有高盈利能力——使其占代工总营收的一半以上。作为第一步，公司将采用 4 纳米制程生产 HBM4 产品的基底芯片（base die），从而领先于竞争对手。此外，公司还计划在下半年利用 4 纳米制程量产“Groq3 语言处理单元（LPU）”，该订单由英伟达（Nvidia）委托生产。
公司的目标是将 2 纳米芯片（其最先进的制程）的订单量较去年翻一番。继开发出业界首款 2 纳米第一代移动芯片“Exynos 2600”之后，三星代工部门目前正致力于在下半年生产第二代芯片，包括“Exynos 2700”。一位业内人士指出：“先进制程目前正处于良率稳步趋于稳定的阶段，这将成为提升长期盈利能力的关键因素。”
扩建美国泰勒（Taylor）工厂也是支持 2 纳米制程能力战略的一部分。三星计划年内全面启动其泰勒（Taylor）一号工厂的运营——该工厂作为代工业务的前哨基地，坐落于众多科技巨头聚集的区域——并力争在年底前为二号工厂破土动工，目标是在2030年实现量产。此外，公司也在考虑建设一座专门用于1.4纳米工艺的工厂。
近期扩大的长期协议（LTA）也有望提振下半年的业绩。继与亚马逊云科技（AWS）、微软（MS）、谷歌云、Meta和甲骨文（Oracle）等科技巨头签署长期协议后，三星电子目前正与五家人工智能（AI）企业进行进一步洽谈。公司计划将60%至70%的存储芯片产能分配给长期协议，以稳定盈利能力并对冲存储市场价格可能下跌的风险。这些协议包含预付款条款以及在最初五年期满后延长合同期限的选项。
为了掌握包括下一代机器人半导体在内的新技术，三星电子在第二季度投入了创纪录的16万亿韩元用于研发（R&D）。此外，为确保未来的增长动力，公司正通过三星创投（Samsung Venture Investment）向半导体和移动通信等领域拥有潜力技术的初创企业投资总计8000亿韩元。
在这些旨在提升竞争力的举措推动下，继第一季度实现53.7万亿韩元、第二季度实现89.2万亿韩元的营业利润后，三星电子有望在第三季度创下历史性里程碑，营业利润首次突破100万亿韩元大关。据FnGuide数据，市场对三星电子第三季度营业利润的普遍预期为113.6235万亿韩元，较第二季度增长27%。公司在第二季度实现了70%的营业利润率，位居科技行业前列，仅次于美光（80.4%）和SK海力士（76.3%）。
韩中工商联盟总会成立于2008年7月20日，由韩国山东商会更名，成员包括中韩两国企业家、政治家、科研专家学者共同发起成立的国际性经贸合作组织。
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