三星发布新一代3D DRAM和400层NAND

在世界最大的存储和存储展览会“FMS 2026”（未来存储技术展）上，三星电子首次在业界发布了新一代3D DRAM技术和超过400层的超高堆叠NAND闪存。

展会上，三星电子展示了新型高带宽内存（HBM）“zHBM”和高性能NAND解决方案“zNAND-O”的实物模型。zHBM采用3D架构，将内存垂直堆叠在AI加速器上方，突破了传统HBM与AI加速器并排放置的方式。

因此，内存与加速器之间的数据传输距离大幅缩短，显著提升了带宽和能效。与 HBM5 相比，其性能提升高达八倍，能效提升高达三倍，同时将数据传输过程中产生的热阻降低了一半以上。此外，它还支持通过一种允许在内存和 AI 加速器之间添加定制 IP 的设计，为客户提供定制化解决方案。

三星电子 DRAM 开发事业部高级副总裁金京伦 (Kim Kyung-ryun) 于 8月4 日（当地时间）在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的“FMS 2026”大会上发表主题演讲，介绍了 zHBM，这是一种将高带宽内存 (HBM) 堆叠在人工智能 (AI) 加速器之上的 3D 架构。

zNAND-O 是一款高性能 NAND 闪存，专为设备端 AI 环境而优化。它结合了 V-NAND 的垂直堆叠技术和硅通孔 (TSV) 技术，可对 4 层或 8 层芯片进行 3D 封装。这提供了极高的空间利用率和快速的响应速度，从而能够在移动设备和边缘设备上实现实时大规模数据处理。

在本次活动中，三星电子还发布了其第十代 V-NAND（V10 BV-NAND）的物理原型，该原型采用超过 400 层垂直堆叠结构。通过应用晶圆键合和三层堆叠技术，V10 BV-NAND 的密度比上一代（V9）提高了约 58%，同时还提升了数据读写性能和 I/O 速度。

在展位上，该公司还推出了基于 HBM4E 的 AI 平台、采用全新热管理技术 HPB（热路径块）的 HBM5 型号、集成计算功能的 LPDDR5X-PIM，以及 PM1763 和 BM1773 等新一代企业级 SSD。

三星电子凭借其涵盖存储器、晶圆代工和先进封装的集成器件制造商 (IDM) 能力，宣布计划通过为客户提供从产品设计阶段开始的集成服务，缩短开发周期并扩大定制化人工智能半导体的供应。闪存开发事业部副总裁李镇烨和DRAM开发事业部高级副总裁金京莲在主题演讲中表示：“我们将通过下一代存储器技术创新和涵盖存储器、晶圆代工和先进封装的差异化解决方案，巩固我们在人工智能时代的半导体领先地位。”

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