国内第三代半导体项目密集推进，多领域迎来新进展

近期，国内第三代半导体领域多个项目迎来新进展。从京津冀到粤港澳，从碳化硅、氮化镓到磷化铟，多个重点项目签约落地、产能提速、产学研联动深化，覆盖材料、装备、器件全产业链。

1、北京晶坤签约天津，碳化硅基地落户

4月24日，#北京晶坤新材料有限公司与天津宝坻京津中关村科技城管委会正式签署合作协议，敲定第三代碳化硅晶体生产研发基地项目落户事宜，助力京津冀半导体产业链协同升级。

据天津日报消息，该项目总投资超1亿元，拟于2027年竣工投产，预计年产值可达3亿元。项目将打造集研发、制造、应用、服务于一体的碳化硅全产业链体系，主要从事碳化硅晶体材料的研发与生产，产品应用于半导体芯片制造、光伏等领域。

北京晶坤新材料成立于2023年，是一家高新技术企业，联合北京化工大学等高校开展技术研发，已完成碳化硅材料小批量生产，目前正申报工信部国家重点研发计划项目。

同期，#河北晶驰半导体材料装备研发生产项目加速推进，持续完善北方半导体装备制造布局。该项目位于河北正定高新技术产业开发区，总投资2亿元，占地50.26亩，分两期建设。一期计划建设2栋生产车间和1栋综合楼，预计2026年9月底建成投产。

项目建成后，将独立研发、生产、制造碳化硅晶体生长和金刚石晶体生长及相关半导体材料设备，达产后预计年营业收入2.2亿元，年产值可达3亿元以上。

作为杭州晶驰机电科技有限公司在北方设立的重要生产基地，河北晶驰专注于第三代、第四代半导体材料装备研发。2025年5月，公司成功交付河北省首台（套）12寸电阻法高纯碳化硅晶体生长炉，采用AI算法与PVT工艺结合，突破12英寸碳化硅晶体生长温场不均、晶体开裂等核心难题，填补省内高端半导体装备领域空白。

4月15日，安阳县重点半导体项目——#河南铭镓半导体有限公司二期建设传来捷报，50台磷化铟多晶合成炉全面进入调试阶段，标志着国产磷化铟核心材料量产进入冲刺期。

据河南省人民政府官网信息，该产线为国内顶尖的超高频半导体材料生产线，达产后年产磷化铟将达近30吨，可覆盖国内近半市场需求，显著缓解市场供应紧张局面。

磷化铟作为高端光通信、自动驾驶激光雷达、6G射频器件、AI算力模块的核心材料，长期依赖进口，供货周期长、成本高，严重制约国内相关产业发展。

此次调试的50台设备均为企业与设备供应商合作研发的国产化装备，成本比进口低40%以上，工艺稳定性、成晶率、产品质量达到国际一流水准，实现从原料、设备到工艺的全链条自主可控。

4月15日，#镓奥科技携手深圳职业技术大学、南方科技大学、平湖实验室、芯茂微电子，隆重召开深圳市重点产业研发计划项目启动会，聚焦氮化镓技术产学研协同创新。

镓奥科技作为氮化镓领域高新技术企业，核心团队深耕行业20年，专注于中大功率氮化镓功率芯片“国产替代”与模组应用“国产设计”，产品聚焦新能源、AI两大赛道。

此次联合的南方科技大学、平湖实验室在半导体材料与器件领域具备深厚研发实力，深圳职业技术大学提供人才支撑，芯茂微电子作为国家级专精特新“小巨人”企业，专注于电源管理芯片设计，已实现5kW PFC芯片等产品量产，形成“研发+人才+产业化”的协同模式。

4月20日，#致能半导体发文称，由该公司牵头的高压GaN 功率器件（≥1200V/10kW）项目已于2026年4月16日成功举行项目启动会，助力我国高压氮化镓器件产业化突破。据电子工程专辑报道，该项目属于广东省重点领域研发计划“前沿新材料”专项，已获广东省科技厅批准立项。

项目由致能半导体牵头，联合佛山国星半导体、中山大学、西安电子科技大学广州研究院、汇川技术等产业链骨干企业及顶尖科研院所共同承担。

致能半导体成立于2018年，是国内氮化镓领域具备完整IDM能力的高新技术企业，2025年实现全球首个8英寸蓝宝石基氮化镓功率器件量产落地，2024年推出国产首发1200V高可靠性氮化镓器件平台。

近期，国内第三代半导体多个重点项目有序推进，涵盖碳化硅、氮化镓、磷化铟等多个领域，覆盖材料、装备、器件全产业链，各地结合自身优势推动产业布局完善。目前国内第三代半导体产业仍存在部分发展挑战，后续相关企业将持续推进技术研发与产能落地，助力产业稳步发展。