从ISPSD2026看中国内地功率半导体

2026年5月28日，第38届国际功率半导体器件和集成电路年会（ISPSD，IEEE The 38th International Symposium on Power SemiconductorDevices and ICs）在美国拉斯维加斯市顺利闭幕。作为IEEE旗下的功率半导体旗舰会议，ISPSD涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、功率集成、工艺、封装和应用等功率半导体领域的所有方面，是功率器件领域最具影响力和规模最大的顶级国际学术会议，也是功率半导体器件和功率集成电路领域技术讨论的顶会，被誉为该领域的“奥林匹克”盛会。

本届大会共收到330篇投稿，录用165篇论文，其中口头报告（Oral）58篇，海报报告（Poster）107篇，集中展示全球功率半导体技术的最新研究成果和发展动态。

按照论文提交的方向来看，碳化硅（SiC）/氧化镓（Ga2O3）方向和氮化镓（GaN）方向是投稿数最高的两个方向，合计230篇，占总投稿数70%；共计入选论文115篇，占总入选数的70%。

录用的165篇来自9个国家，较去年减少3个国家；按国家入选数量统计排名（按第一作者所在国家统计），中国是入选论文数量最多的国家，共录用112篇（中国内地94篇，中国香港8篇，中国台湾10篇），日本录用26篇，美国录用11篇，德国录用6篇，英国录用4篇，比利时、韩国各录用2篇，法国、意大利各录用1篇。

录用的165篇论文来自63个机构有论文入选，较去年减少11家机构；按第一作者所在机构统计，学术界方面，前五位都是中国内地高校，电子科技大学以23篇高居榜首；中国科学技术大学以15篇排第二；东南大学、西交利物浦和浙江大学以6篇并列第三。工业界方面，三菱Mitsubishi以9篇排名第一，东芝Toshiba以6篇排名第二，安森美onsemi以4篇排名第三，安世Nexperia、罗姆ROHM、英飞凌Infineon以2篇并列第四。

从2026年和2025年中国内地论文分布对比表格中可以看出，中国内地在氧化镓（GaO）方向保持绝对优势，包揽5篇口头报告；在11篇海报论文中摘得10篇，另外一篇是台湾清华大学。同时功率集成设计（ICD）实现大爆发，在高压器件（HV）方向也取得了相当的进步。

今年中国内地共有25个机构有论文入选。

电子科技大学集成电路学院张波教授带领的功率集成技术实验室（PITeL）共录用21篇一作论文（牵头发表10篇Oral报告和11篇Poster论文），占全球发文总量的13.3%，Oral报告占17.2%。发文总数与Oral报告总数均位居全球首位。这是自2013年以来，功率集成技术实验室第10次斩获ISPSD论文录取数全球第一。氮化镓（GaN）方向3篇，高压器件（HV）方向4篇，功率集成设计（ICD）方向3篇，低压器件（LVT）方向6篇，碳化硅（SiC）方向5篇，连续续蝉联全球机构一作论文录用数量第一名！另外1篇碳化硅（SiC）和1篇氧化镓（Ga2O3）方向论文来自新器件研究室。

中国科学技术大学共录用15篇文章，排名全球机构一作论文录用数量第二名！微电子学院龙世兵教授团队入选10篇论文，其中氧化镓（Ga2O3）方向共入选7篇，包揽全部5篇口头报告；另外在氮化镓（GaN）方向入选3篇。

西安交通大学在1990年有论文入选，是中国内地首个入选论文的机构，时隔36年后，西安交通大学再次亮相ISPSD。

西南交通大学第一次有论文入选，2篇论文都是碳化硅（SiC）方向。

清华大学集成电路学院也是首次有论文入选，1篇碳化硅（SiC）方向，1篇ICD方向。