碳化硅MOS栅极驱动保护误触发？自举二极管选型解决方案

一个不断触发自身保护电路的栅极驱动器，可能本身并不是问题所在。

驱动高侧碳化硅MOSFET，意味着要开启一个并不以地为参考点的栅极。它的源极端子随着开关节点一同浮地，而在碳化硅功率级中，这个节点可能会有几百伏的摆幅。要开启该器件，栅极电压必须高于那个浮动源极所处的任何电位。

自举是性价比最高的实现方式之一：在低侧导通时，电容充电；一旦高侧开始开关，电容便随着源极电位一起“浮起来”。

给这颗电容充电的二极管，必须在每个开关周期都重新充电，并且要快到足以跟上节奏。

我们的SI02C120SMA能够承受更高的重复峰值正向电流，或许能省掉一些电路为保护二极管而额外加上的自举电阻，从而加快电容的再充电速度。它更小的结电容也有助于抑制开关切换瞬间由EMI引起的振铃，降低因振铃误触发栅极驱动器欠压锁定的风险。