碳化硅二极管参数误区：别把SiC的Qc等同于硅二极管的Qrr

两行数据，两种器件，一个极易犯的错误。将硅器件替换为碳化硅器件时，人们通常只对照那几个相同的参数栏：额定电压、正向电压和反向恢复电荷。额定电压对额定电压。

正向电压对正向电压。反向恢复电荷则与新规格表中那一栏里的任何数值去比对。这种对比方式是行不通的。

硅二极管的反向恢复电荷（Qrr）是由少数载流子存储的电荷，这些电荷必须被清除，二极管才能重新阻断电压。而碳化硅肖特基二极管根本不存在少数载流子需要存储。它在数据手册中给出的是 Qc，即容性电荷，与结电容相关，而不是被扫出的任何载流子。

我们的 SIT12C065，一款 650V、12A 的碳化硅肖特基二极管，在 400V 时标称的 Qc 为 28 纳库仑。将这个数值放在硅器件的 Qrr 旁边，看上去仿佛可以直接比较。实际上，两者不可相提并论。硅二极管的 Qrr 会随着结温和正向电流的升高而增加，而这正是实际设计的工作条件。

碳化硅二极管的 Qc 却没有这样的代价，因为它从一开始就没有少数载流子存储机制会随之增长。它们描述的是完全不同的物理过程。在规格表中将它们等同视之，会低估这两种器件在关断时截然不同的表现。

真正的比较发生在电路层面，体现在开关损耗上，而不是从两份不同数据手册中各抽一行数据就能得出的。规格表只能告诉你测量到了什么。它无法告诉你两行数据所测的是不是同一种东西。