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与非AI
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8月6日，中国台湾存储芯片厂商华邦电子举行了2026年第二季度投资者说明会。得益于人工智能推动的存储芯片需求和价格上涨，华邦电子第二季业绩大涨，整个上半年业绩更是创下近年来新高。华邦电子对2026年下半年DRAM和Flash市场的增长势头持乐观态度，产能利用率预计保持在约100%左右，利润也将逐季增长。华邦电子总经理陈培明直言，2027年市场将比2026年更加紧缺。
Q2净利同比暴涨25,629%
华邦电子第二季度营收达到598.43亿新台币，环比增长56.4%，同比增长184.7%；营业毛利率为66.2%，环比增长13个百分点；归属母公司业主净利润为243.17亿新台币，同比暴增25,629%，环比增长140.4%，创下历史单季新高。每股收益为5.40新台币，环比大涨140.4%。
2026年上半年累计营收达980.96亿新台币，同比增长约139.2%；累计净利润达344.35亿新台币，较去年同期的约22亿新台币同比暴增约1,465.2%；累计每股收益为7.65新台币，已大幅超越2025年全年的0.88新台币，创近年来最佳表现。
从具体的业务表现来看，华邦电子第二季度CMS（低功率DRAM）业务，受益于产品价格上涨，整体营收大增78%。虽然为了优先保障特定策略客户的供应，华邦电子主动减少了部分出货，使出货位元数量减少了约10%，但因平均售价大涨超过100%，带动了该业务营收大涨。
在Flash业务方面，华邦电子第二季度营收同比大涨65%，出货位元数量更是暴增156%，这主要是受到NOR Flash 出货大幅增长所带动。
华邦电子指出，其营收大涨的关键在于AI服务器需求的爆发。目前 AI 服务器对高密度NOR Flash 的需求极其庞大，单台新架构服务器所需要的NOR Flash 数量就高达500 到600 颗，且多为512Mb、1Gb 甚至2Gb 等高容量、高单价产品。
在SLC NAND 方面，华邦电子也在持续深耕，并加速向24nm制程转进，预期2026年底将会有更多产出，未来也将持续开发更先进的制程技术。目前华邦电依然稳居全球NOR Flash 领先地位，将持续维持此一关键业务的收入。
从各产品应用领域的营收来看，华邦电子第二季度通讯应用营收环比大涨82%，在华邦电子整体的营收当中的占比拉高了2个百分点至29%。这项增长涵盖范围极广，包括家用Wi-Fi 设备，以及服务器上的交换机应用等；电脑相关应用营收环比大涨89%，在总营收当中的占比提升2个百分点至15%；车用与工业用环比增长约23%，在总营收中占比28%；消费类电子营收环比增长约18%，在总营收中占比28%。
第三季存储芯片价格将继续上涨
对于2026年第三季DRAM和Flash等存储芯片市场的价格走势，陈沛铭预期，虽然第三季平均售价的涨幅不会像第二季度暴涨一倍那样夸张，但价格依然维持往上的趋势，整体营运状况与出货动能将延续第二季以来的强劲态势。
针对华邦电子的存储产品价格是否会再次上涨的问题， 陈培明笑着说，上次有人跟我开玩笑时说：“跟着涨价走——再涨一点，再涨一点，再涨一点......” ，“所以，我基本上只是观察市场，我们很难谈论这个问题。”
陈培明解释称：“因为我们的（Nor Flash）市场份额太大，不管涨不涨都不对。所以我们更谨慎，尽量不涨价过多，也不带头涨价。如果我们行业内的一些人急于离开Nor Flash市场，转向NAND 或其他eMMC产品，价格可能会大幅上涨，我们知道。”
“所以我们的客户会来找我们，说‘嘿，你们真的不打算涨价吗？你想再涨点价格吗？ 否则，你会因为价格太低就拒绝交货吗？’我们经常遇到这种情况。”所以我们说，“好吧好吧，我再加一点。”
陈培明强调：“在Nor Flash市场，因为我们扮演着领导角色，我们非常重视市场份额，我不希望Nor Flash价格过于激进地推动。” 至于DRAM价格，它会跟随市场上涨。
2027年存储芯片将更紧缺，客户要签2030年采购协议
针对中长期的存储市场展望，陈沛铭直言，“2027 年会比2026 年还要缺”。这项判断的核心关键在于“产能真空期”。
陈沛铭解释，在华邦电子现有的工厂设备与产能装设完毕后，未来将有长达两年的时间面临“没有额外产能”的限制。在这段产能真空期中，华邦电子只能不断通过先进制程转进来改善效率并微幅增加产出。
由于预期产能将极度受限，市场上已经出现恐慌性的备货心态。陈沛铭透露，许多客户非常焦虑，不断催促华邦电子，除了现有的2028年合约外，甚至要求提前签订2029年以后、甚至是包含2030年的长期供货协议（LTA）。除了AI 应用不可或缺的高带宽内存（HBM） 外，DDR5、DDR6 等通用DRAM需求也同样极度热烈，客户为了确保产能甚至不惜支付更高价格。
高雄MB新厂将导入EUV制程
为了应对中长期DRAM芯片供不应求的局面，华邦电子正全力推动高雄厂的扩产。目前高雄厂月产能为1.5万片，预计在2026年底将月产能提升至2.4万片。届时高雄厂将有四分之三的产出，并将大量导入16nm制程，全面取代旧的2D 与20nm、25nm制程，产品涵盖DDR4、LPDDR4等利基型DRAM，这将为华邦电子带来更大的爆发性成长。
在NAND和NOR Flash产能方面主要集中在台中厂，高雄厂也会有部分NAND Flash产出，但其优先级和规模均排在DRAM之后。华邦电子规划从2025年的每月4万片，一路扩增至2027年1月的每月5万片。
华邦电子整体晶圆产能预计增加20%，但得益于技术推进，位元产出量（Bit Growth）将大幅增加超过40%，甚至逼近50%。
此外，华邦电子董事会已正式通过了高雄全新的生产DRAM的“MB”新厂兴建计划，预计于2027 年1 月正式动工，并在2029 年1 月开始装设机台，预计于2029 年中开始一边装机一边开放产能，并于2029 年底开始量产，产出将主要反映在2030 年。
据了解，MB 新厂的洁净室面积约为3万平方公尺，是现有高雄厂（1.55万平方公尺） 的仅两倍大，机台装满后总的月产能可达5万至6万片。制程方面，该厂将引进下一代的14nm以及未来的12nm制程。不过，陈沛铭指出，预计扩产的金额庞大，现阶段资本支出金额还没有确定。
需要指出的是，MB 新厂还将引入EUV设备，但由于EUV 设备交期长达三年到三年半，而一般机台交期仅需12到14 个月，因此MB厂将分为两阶段进行。第一阶段开发生产不需EUV 的14nm DRAM制程，第二阶段才会正式装设EUV 设备，为未来的12nm DRAM制程做足准备。
2027年Cube相关业务营收占比将达5%至10%
除了传统的存储芯片布局之外，华邦电子在硅电容(Cube) 的方面也在持续投入。随着AI 技术发展，如英伟达新一代Robin/Blackwell 晶片架构对电源管理提出了更精确的要求，其设计将电压先拉高至DC800V，再逐步降压至1.2V 或0.9V。在如此微小的电压与高速运行下，传统的MLCC 在尺寸、厚度及温度稳定性上已无法满足需求，因而诞生了对微型Cube 的庞大需求。此外，包含CoWoS 先进封装及基板上，也需要埋入额外的电容来维持信号品质。
陈沛铭看好Cube 技术的独特价值与前景，并设定目标在2027 年时，让硅电容在内的Cube相关业务营收占比达到整体营收的5% 至10%，这将成为华邦电子在2027 年应对存储芯片大缺货时，最为关键的技术护城河与全新增长动能。
编辑：芯智讯-浪客剑
