该组件为光刻设备内部 High‑Vacuum Chamber 核心部件,适配晶圆 Wafer 传输与光路隔离工况,腔体本体采用低放气特种铝合金材质,表面执行半导体级 Electro‑Polish 电解抛光处理,本底极限真空可达 1×10⁻⁷Pa,整机漏率指标优于 1×10⁻⁹ Pa・m³/s,配置多组 KF、ISO 标准真空法兰接口,集成 Pressure Sensor 压力传感接口、Purge 氮气吹扫通路,可实现腔体内部残余水汽、碳氢污染物快速置换。组件兼容洁净室 Cleanroom 等级环境,热膨胀系数低,可配合整机温控系统维持腔体内温度波动控制在 ±0.02℃,保障 Reticle、Wafer 工位的纳米级定位稳定性,配套 Interlock 安全联锁结构,实现真空、通气状态硬件互锁保护。
二手保养方法:存放与拆解作业必须在 Class‑100 洁净环境内开展,佩戴无粉洁净手套,禁止直接触碰腔体抛光内壁;定期开展 Helium Leak Test 氦检检漏,排查法兰密封面、Seal 密封圈老化损伤;使用半导体专用无尘溶剂清理腔体内壁沉积物,严禁普通砂纸打磨;检查水冷流道有无水垢淤积,保障热交换效能;闲置状态持续充入干燥高纯氮气做正压封存,防止水汽氧化;非授权人员不得拆解腔体内部传感与联锁模块,检修完成留存真空抽测记录。
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