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当同一个裸片装入不同的封装后，它周围的电路就开始向它提出不同的问题：在结温攀升之前，有多少热量能扩散到铜中？
在寄生电感将信号吞噬之前，栅极驱动器的信号有多少能真正到达栅极？在多年真实热循环条件下，这颗器件表现如何？
我们的DIF170SIC049是一款1700V-SiC MOSFET，它拥有一个第四引脚，这是三引脚等效器件所没有的。
这个引脚之所以存在，是因为栅极驱动器的返回路径在与负载电流共用连接时，会在快速开关过程中悄然将部分信号损失给寄生电感。
相同的硅。不同的封装。不同的表现。数据手册描述的是器件本身，而封装决定这颗器件实际上能做到什么。
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