该型号为 APPLIED MATERIALS 200mm Heater Pedestal 加热基座,适配半导体 PECVD 工艺腔体,用于 Silicon Wafer 硅晶圆承载与温度控制,基材采用 AlN 氮化铝陶瓷基体,内置多温区加热回路,额定供电 AC208V,最大功率 1850W,工艺控温区间 40℃至 450℃,稳态温度均匀性≤±1.2℃,支持 RF 射频信号传导,射频兼容频率 13.56MHz。集成 Backside Gas 背吹气体流道,背压调节范围 0.5~15Torr,真空工况下整体漏率≤1×10⁻⁹ atm・cc/s,内置 RTD 温度传感器实时采集盘体温度,平面度指标≤12μm,满足 Process Chamber 高真空等离子体工艺环境。
二手保养方法:检修作业全程在 ESD 静电防护台开展,首先目视检查陶瓷盘面 Particle 颗粒、Corrosion 腐蚀、裂纹与崩缺;检测 RTD 传感器阻值,校验加热回路通断,检查背吹气路有无堵塞与泄漏;清理盘面沉积薄膜仅可使用半导体无尘湿巾,禁止硬质工具刮擦陶瓷表面;闲置存放需放置恒温氮气柜,控制湿度低于 40%,防止陶瓷基材吸潮劣化绝缘性能;装机前完成升温测试、密封性检测与射频绝缘测试。
海翔科技 专业提供全球二手半导体设备。
免责声明(Disclaimer)
一、内容溯源与适用范围(Source & Scope of Application)
本文全部技术参数、结构原理、机型适配及对比数据,均源自设备原厂官方资料、权威标准文献及公开招标验收文件,仅用于技术研究、方案对比及行业参考,不作任何商业用途。
二、内容效力与权责界定(Validity & Liability Definition)
本文观点与结论为通用技术参考,非设备原厂官方定论,不构成任何商业承诺、履约标准及验收依据,未经原厂实测核验,不得用于项目验收、举证追责。
三、风险承担与合规说明(Risk Assumption & Compliance Statement)
使用者擅自套用、篡改本文内容产生的一切风险与法律责任,由使用者自行承担,本文作者及所属单位不承担任何连带责任。若存在版权及侵权异议,将及时核实整改。
150