美光确认台积电制造下一代HBM基础裸片，HBM代工从单一供应商转向多来源采购

9月16日，据DIGITIMES报道，美光已确认台积电将制造其下一代HBM基础裸片（Base Die）。

至此，全球三大存储厂商在HBM基础裸片代工上全部引入台积电：SK海力士自HBM4起已将Base Die转由台积电12nm级工艺代工；三星9月15日宣布推行"双轨制"，部分HBM基础裸片委托台积电生产；美光确认台积电制造下一代Base Die。

HBM基础裸片从单一供应商安排（存储厂自有代工）全面转向多前线采购竞赛。DIGITIMES分析指出，几周内SK海力士被报道在英特尔和台积电之间权衡、三星被报道配对自有代工与台积电、美光确认台积电，第二来源并不自动意味着更便宜，假设已受到挑战。

HBM基础裸片代工化的产业逻辑是：与传统DRAM工艺相比，代工工艺能够将更多逻辑功能集成到基片中，满足定制HBM的高带宽和高功能需求。随着HBM从标准品走向定制化（如英伟达NVHBM），Base Die的逻辑复杂度大幅提升，专业代工厂在逻辑工艺上的优势凸显。

台积电供应的HBM4基底芯片成本约为SK海力士自身1b工艺核心芯片的3至4倍，但客户愿意为更高性能和定制化能力支付溢价。台积电在HBM产业链中的话语权进一步提升，从逻辑芯片代工延伸到存储芯片基础裸片代工，HBM成为台积电新的增长曲线。

核心看点：美光确认台积电制造下一代HBM Base Die，三大存储厂全部引入台积电HBM代工，SK海力士HBM4起台积电12nm代工，三星双轨制部分委托台积电，HBM从单一供应商转向多来源采购竞赛，第二来源不自动意味着更便宜假设受挑战，代工工艺集成更多逻辑功能满足定制HBM，HBM从标准品走向定制化NVHBM，Base Die逻辑复杂度大幅提升，台积电base die成本是自有1b工艺3-4倍，客户愿为高性能定制化支付溢价，台积电话语权从逻辑代工延伸到存储Base Die，HBM成台积电新增长曲线。