合肥一6英寸晶圆产线，光刻机正式入驻！

9月23日，合肥芯谷微电子6英寸GaAs（砷化镓）晶圆制造线迎来重磅里程碑，核心先进光刻机正式完成搬入入驻，标志着企业晶圆制造工艺实力迎来跨越式升级，也为合肥高端射频微波芯片产业化发展按下加速键。

作为化合物半导体晶圆制造的核心关键设备，此次入驻的先进光刻机，精准适配GaAs等化合物半导体的先进光刻工艺需求，是产线实现高端芯片量产的核心基石，将为企业技术迭代与产能升级筑牢核心硬件支撑。

工艺能级跃升，筑牢射频芯片技术壁垒

光刻是半导体晶圆制造的核心工序，直接决定芯片的精度、性能与稳定性。此次新设备的落地，将彻底升级芯谷微电子的晶圆制造工艺水准，大幅优化栅极线条控制精度，有效提升器件特征尺寸的一致性与稳定性。

依托该先进设备，产线将具备更小栅长、超高频率微波射频器件的量产制造能力，全面赋能企业MMIC（单片微波集成电路）产品的工艺迭代升级。在5G通信、微波毫米波、高端射频等核心领域，进一步夯实企业技术优势，加固核心技术壁垒，助力产品性能持续领跑行业。

稳步推进产线建设，加速向IDM全产业链转型

本次光刻机入驻，是合肥芯谷6英寸GaAs晶圆产线建设的关键一步，也是企业完善产业布局、升级制造模式的重要突破。该项目坐落于合肥高新区，是区域化合物半导体产业的重点布局项目，总投资约11亿元，产业基地占地55亩。

项目聚焦6英寸砷化镓晶圆量产制造，核心目标是打通芯片设计、晶圆制造、封装测试全产业链闭环，彻底摆脱单一环节生产模式，全面向行业主流的IDM（垂直整合制造）高端模式转型，大幅提升企业整体运营效率与产业竞争力。

值得关注的是，芯谷产线建设始终稳步提速。早在2025年5月，企业已完成高温离子注入机这一核心设备的搬入，此次光刻机的顺利入驻，标志着产线核心设备布局持续完善，量产筹备工作进入关键攻坚阶段。项目全面达产后，将实现年产芯片3000万颗、组件2万套的规模化产能。

深耕化合物半导体，打造国产替代核心力量

合肥芯谷微电子成立于2014年，是国内深耕射频化合物半导体领域的国家专精特新重点小巨人企业，长期聚焦GaAs（砷化镓）、GaN（氮化镓）两大主流化合物半导体技术路线。

企业积淀近30年化合物半导体技术经验，深度继承美国IDM企业Excelics核心技术体系，技术底蕴深厚。产品频段全面覆盖DC-110GHz微波毫米波频段，广泛适配高端通信、微波探测、工业射频等多元高端应用场景。

长期以来，高端微波射频芯片制造是国内集成电路产业的关键短板，也是国产替代的核心攻坚领域。芯谷6英寸GaAs晶圆制造线的落地投产，将有效填补合肥高新区高端微波芯片制造领域的产业空白。

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