中科君芯收购LFoundry，看来要转型

2019 年 3 月 31 日，中芯国际发布公告，3 月 29 日公司与江苏中科君芯科技有限公司签订协议，将出售其位于意大利的 8 英寸代工厂 LFoundry 的 70%股权给中科君芯，出售价格为 112816089 美元，预计交易将于第二季度未完成。

中芯国际在公告中表示，这一决定是基于自身运营与未来整体发展的考虑，该交易将使管理层可以集中著眼于公司的未来发展，以及从该业务投资中获得正面投资回报。交易的所得款项净额用于先进制程工艺和特色成熟工艺。

LFoundry 意大利工厂的前世今生

LFoundry 意大利工厂的前身是由德州仪器（TI）在意大利阿韦扎诺(Avezzano)建立的 FAB。

工厂的建立可以追溯到 1989 年，该工厂是当时欧洲最大的 FAB 生产线。工厂第一期工程于 1992 年投产，是 6 英寸 DRAM 生产线；第二期工程于 1994 年投产，是 8 英寸 MINI DRAM 生产线。随着德州仪器（TI）退出 DRAM 领域，1998 年美光科技（Micron）接手该工厂后，开始 6 英寸向 8 英寸生产线转换，2001 年完成 8 英寸产线转换并开始 DRAM 产能爬坡。

2001 年美光科技收购 Photobit，进入 CMOS 图像处理器（CIS）领域，2005 年美光在意大利工厂设立 CMOS 图像处理器（CIS）生产线，工厂得以切入图像处理领域，并逐步退出 DRAM 生产，2008 年完全，转而全面生产 CMOS 图像处理器。

2008 年，美光科技影像传感器部门从公司分拆成立 Aptina Imaging，2009 年 7 月，Riverwood Capital 和 TPG 联合收购 Aptina Imaging，该工厂转而成为代工厂。

2013 年，公司股东以杠杆收购的方式从美光科技收购，成为独立的以代工为主营业务的半导体公司，同时获得 Aptina 的背照式 CMOS 图像传感器 4 年订单。

2013 年至 2016 年 6 月从原安特梅尔（Atmel）法国 Rousset 工厂向 LFoundry 意大利工厂进行技术转移；早在 2010 年开始从原瑞萨（Renesas）德国 Landshut 工厂向法国 Rousset 工厂转移模拟技术，至 2016 年 6 月，LFoundry 意大利工厂具备射频 RF、高压 HV、嵌入式存储器 Embedded Memories、CMOS-MEMS、CIS 工艺，产品广泛应用于汽车、工业、医疗、安全和空间成像行业。

2016 年 7 月 29 日是，中芯国际完成收购由 LFE 以及 MI 控股的意大利集成电路晶圆代工厂 LFoundry 70%的股份，总价值 4900 万欧元。中芯国际表示，收购 LFoundry 标志着公司向汽车芯片市场迈出了坚实的一步。

LFoundry 工厂的工艺水平

LFoundry 拥有先进的 8 英寸产线，可得供 150nm 和 110nm 工艺制程，每月 8 英寸晶圆产能超过 42000 片。公司具备射频 RF、高压 HV、嵌入式存储器 Embedded Memories、CMOS-MEMS、CIS 工艺，产品广泛应用于汽车、工业、医疗、安全和空间成像行业。公司获得 TS16949 汽车行业认证、ISO15408 智能卡认证和航空抗辐射能力认证。

目前，LFoundry 的 LDMOS2.0&IGBT 依托 150nm 工艺可以做到 800V。而 110nm 的 LDMOS 还在研发中。

中科君芯转型 IDM

中科君芯研发团队经过多年的培育和深入钻研，开发了平面穿通型(PT)、平面非穿通型(NPT)、沟槽栅场截止型(FS)等工艺技术，掌握了现今国际上最先进的 IGBT 芯片制造工艺。

根据官网信息可知，中科君芯成立于 2011 年 11 月，是一家专注于绝缘栅双极晶体管（IGBT）及高速整流二极管（FRD）等新型电力电子芯片研发的中外合资高科技企业。中科君芯开始依托中国科学院微电子研究所的科研团队和研发平台，2015 年初整合合并电子科技大学 IGBT 团队，成为国内新型电力电子业界的领军者。中科君芯是国内率先开发出沟槽栅场截止型（Trench FS）技术并真正实现量产的企业，公司推出的 IGBT 芯片、单管和模块产品从 600V 至 6500V，覆盖了目前主要电压段及电流段，已批量应用于感应加热、逆变焊机、工业变频、新能源等领域，并得到客户的广泛认可。

据公开信息，公司分别于 2014 年、2016 年和 2018 年获得国际、国内知名专业投资机构的青睐，完成多轮融资，投资机构包括力合创投、华登国际、泰达科投、中军中科、东风汽车集团；进入快速发展以及上下游资源整合阶段。

中科君芯董事长、表示，公司一直致力于 IGBT 技术的自主创新和引领，并和东风汽车达成战略合作，独创的 DCS（高性能超大电流密度）技术将应用于最新的汽车级 IGBT 芯片中，为产品带来更具性能优势和综合竞争力的坚强核心动力。

据悉，中科君芯的新能源大电流产品，跟国外的主流品牌和技术相比，电流密度更大，具有更强的温度循环和抗热冲击能力，这也是中科君芯研发芯片以及未来器件具备的主要优势之一。

LFoundry 的董事会副主席 Sergio Galbiati 和首席执行官 Guenther Ernst 表示，我们正在为新时代的开始做准备，我们对此感到满意。LFoundry 工厂的技术和生产能力（特别是汽车领域，安全和工业领域，CMOS 图像传感器，智能电源，集成存储器等应用）将为中科君芯的 IGBT 提供独特技术平台，通过发展现有的和新的业务线，可以为 LFoundry 工厂提供更多发展潜力。

国产 IGBT 已经有多家 IDM 公司，包括时代电气（8 英寸）、华润微电子（6/8 英寸）、士兰微（6/8 英寸）、积塔半导体（6/8 英寸）、中环半导体（6 英寸）、华微电子（6 英寸）、江苏东晨（6 英寸）。有 IGBT 代工能力的中芯国际（8 英寸）、华虹半导体（8 英寸）、积塔半导体（8/6 英寸）、方正微（6 英寸）。

之前，作为一家 FABLESS 公司，华虹宏力（华虹半导体）是中科君芯的战略合作伙伴，为其提供国际一流水准的代工服务。现在中科君芯收购 LFoungdry，从 FABLESS 转型为 IDM，将强化公司的战略布局，进一步加强公司在国产 IGBT 领域的领先地位。

现在中科君转型 IDM，将对国内 IGBT 的格局产生影响。

IGBT 市场

在全球市场上，IGBT 产品约 70%的市场份额被英飞凌、三菱、东芝、富士等企业占领。我国的 IGBT 市场需求虽占全球的 50%以上，但在中高端主流器件市场上，基本被国外品牌所垄断，90%主要依赖进口。我国自主供应的 IGBT 产品只占市场很小的比例，整个市场还有巨大的空间等待国内企业去拓展与追赶。

国产品牌与国外品牌相比，差距主要表现在技术上。笔者认为看清差距才能更好地追赶并超越。国内企业非常清楚自身的短板，同时也意识到具有自主知识产权的大功率 IGBT 产品技术对我国工业发展的重要性。近几年，在政府、行业、企业的共同支持、引导与发力之下，国产 IGBT 产品技术发展迅速，取得了明显的进步。

在消费类产品领域，国产 IGBT 芯片已基本可以替代国外品牌；在工业领域，中低端产品技术也有了长足的发展，但要实现在中高端产品技术上的全面追赶，可能还需要更多时间。

衷心希望基于中科君芯依托对新能源技术芯片和模块的开发基础，在不远的将来从技术上、规模上满足新能源汽车的大量应用。