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与非网 8 月 14 日讯，之前，SK 海力士开发出了世界首个以四段堆积 DRAM 的 HBM（高带宽内存）。与现有 DRAM 产品相比，数据处理快四倍，耗电量减少 40%左右。计划从明年下半年在位于京畿道利川的总公司工厂正式开始量产。
这种超高速存储器采用了硅通孔技术(TSV,Through -Silicon-Via)。这是是一种通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的最新技术。是当今世界上速度最快的 DRAM（GDDR5）速度的 4 倍多，可用于人工智能（AI）设备和超级计算机
SK 海力士曾表示，首先将把这种超高速存储器用于图形处理的半导体中，此后公司计划为超级计算机，网络，服务器等产品大量生产这一超高速存储器。其新芯片具有业界最快的速度。HBM2E 支持超过每秒 460GB 的带宽，基于每个引脚的 3.6Gbps 速度性能和 1,024 个数据 I / O，这比该公司一年前开发的 HBM2 DRAM 高出 50％。
据了解，SK 海力士通过使用“穿硅通孔”（TSV）技术垂直堆叠 8 个 16 Gb 芯片，开发出 16 GB 存储器封装。SK 海力士将于 2020 年开始批量生产新芯片。新的存储器产品主要用于需要高速、高性能存储器的图形卡，超级计算机，AI 和服务器。
SK 海力士计划凭借 HBM2E DRAM 在下一代存储器半导体市场中处于领先地位。其第二季度的 DRAM 销售额为 42.6 亿美元，占全球市场的 28.7％。
“自 2013 年发布全球首款 HBM DRAM 以来，SK 海力士一直以技术竞争力为主导市场，”负责该公司 HBM 业务战略的 Jeon Jun-hyun 表示，“明年我们将开始批量生产 HBM2E，将继续加强我们在市场上的技术优势。”
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