三星 7nm 以下制程其实都是改良版？FinFET 即将被取代

与非网 10 月 21 日讯，虽然台积电、三星的 7nm 工艺已经上马，英特尔的 10nm 处理器也在 6 月开始出货，但晶圆巨头们的制程之战却越发胶着。

在日前一场技术交流活动中，三星重新修订了未来节点工艺的细节。

三星称，EUV 后，他们将在 3nm 节点首发 GAA MCFET（多桥通道 FET）工艺。由于 FinFET 的限制，预计在 5nm 节点之后会被取代。

相较于年初的路线图，三星 6LPP 只是简单地引入 SDB，从而让晶体管密度提升 0.18 倍。另一个改变是删除 4LPP 节点，在路线图上只留下 4LPE。三星还将 3 GAAE 和 3 GAAP 更名为 3 GAE 和 3 GAP。

实际上，三星手中的 5nm 也仅仅是 7nm LPP 改良版，可视为第二代导入 EUV 工艺的产品。7nm LPP 向后有三个迭代版本，分别是 6nm LPP、5nm LPE 和 4nm LPE。

根据理解，按照工艺核心指标，5nm LPE 虽然沿用 7nm LPP 的晶体管和 SRAM，但性能增强了 11%，UHD 下的密度会接近 130 MTr/mm²，终于第一次超过了英特尔 10nm 和台积电 7nm。

而在 2021 年推出的 4nm LPE 上，三星将晶体管密度做到 137 MTr/mm，接近台积电 5nm。