晶圆代工大厂公布五年发展规划，1.4纳米芯片量产时间敲定

在上述晶圆代工系列活动上，三星对外介绍了最新技术成果，以及未来五年晶圆代工事业发展规划。

今年6月，三星率先启动了基于GAA(全环绕栅极）架构的3nm制程芯片生产。未来三星将继续提升GAA相关技术，并将其导入2nm和1.7nm节点工艺。按照规划，三星将于2025年量产2nm先进制程工艺技术，到2027年量产1.4nm制程工艺技术。

三星认为，随着高性能计算 (HPC)、人工智能 (AI)、5/6G 连接和汽车应用市场的显着增长，对先进半导体的需求急剧增加，这使得半导体工艺技术的创新对于代工客户的业务成功至关重要。为此，三星强调了2027年将其最先进的工艺技术1.4 nm用于量产的承诺，并计划到2027年将其先进节点的产能扩大3倍以上。

三星预计，到2027年，包括HPC和汽车在内的非移动应用预计将超过其代工产品组合的50%。三星将增强其基于GAA的3nm工艺对HPC和移动设备的支持，同时进一步丰富专门用于HPC和汽车应用的4nm工艺。

为提升良率与产能，三星还部署了“shell-first”策略：即无论市场状况如何，首先建造洁净室，后续再根据市场需求灵活投资具体设备。通过新的投资策略，三星能够及时响应客户的需求，三星计划将该策略用于美国Taylor厂二期产线。

此外，三星也在加速开发2.5D/3D异构集成封装技术，提供代工服务的整体系统解决方案。通过不断创新，其微凸块互连的3D封装X-Cube将于2024年量产，无凸块X-Cube将于2026年上市。

无独有偶，另一大晶圆代工巨头台积电也于近期透露了先进制程最新进展。

3nm方面，台积电表示客户对3nm的需求超越台积电的供应量，部分原因来自持续存在的机台交期问题，预估明年将满载生产，3nm营收占比约为4-6%。

2nm方面，台积电表示目前进展一切顺利，将仍按照进度量产。此前台积电介绍，相比3nm工艺，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低 25~30%。台积电将在2nm节点引入GAA架构，预计2024年下半年进入风险性试产，2025年进入量产。

这样一来，2025年三星与台积电将在2nm先进制程上进行正面交锋。

这不是两家大厂第一次在先进制程上时间“撞档”，3nm时间上，三星与台积电也不约而同选择在2022年，其中三星已于上半年宣布量产3nm，台积电则计划于今年年内量产。

至于更先进的1.4nm制程，目前媒体报道台积电已启动1.4nm芯片制程工艺开发，不过官方尚未发布具体量产时间。

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询分析师乔安表示，晶圆代工产业自2020年进入高成长周期，随着业界扩增的产能大量开出，以及晶圆涨价贡献，2022年全球晶圆代工产值有望成长28%，增幅将高于过去两年水平。

不过，随着芯片需求萎靡，晶圆代工产业进入库存调整时期，2023年全球晶圆代工成长将有所放缓。乔安认为，在全球总体经济能见度低迷，电子产品消费力道未见起色的市况下，晶圆厂制程多元化及独特性发展成为晶圆代工厂营运关键。