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    • 1.3D封装的特点
    • 2.封装分类
    • 3.3D封装技术优势
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3D封装

11/14 13:03 作者:eefocus_3880508
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3D晶圆级封装,英文简称(WLP),包括CIS发射器、MEMS封装、标准器件封装。

1.3D封装的特点

3D晶圆级封装,英文简称(WLP),包括CIS发射器、MEMS封装、标准器件封装。是指在不改变封装体尺寸的前提下,在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术,它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。主要特点包括:多功能、高效能;大容量高密度,单位体积上的功能及应用成倍提升以及低成本。

3D封装的特点

2.封装分类

1:封装趋势是叠层封(PoP);低产率芯片似乎倾向于PoP。

2:多芯片封装(MCP)方法,而高密度和高性能的芯片则倾向于MCP。

3:以系统级封装(SiP)技术为主,其中逻辑器件和存储器件都以各自的工艺制造,然后在一个SiP封装内结合在一起。

大多数闪存都采用多芯片封装(MCP,Multichip Package),这种封装,通常把ROM和RAM封装在一块儿。多芯封装(MCP)技术是在高密度多层互连基板上,采用微焊接、封装工艺将构成电子电路的各种微型元器件(裸芯片及片式元器件)组装起来,形成高密度、高性能、高可靠性的微电子产品(包括组件、部件、子系统、系统)。技术上,MCP追求高速度、高性能、高可靠和多功能,而不像一般混合IC技术以缩小体积重量为主。但随着Flash闪存以及DRAM闪存追求体积的最小化,该封装技术由于使用了金属丝焊接,在带宽和所占空间比例上都存在劣势,而WSP封装技术将会是一个更好解决方案。

封装分类

3.3D封装技术优势

在尺寸和重量方面,3D设计替代单芯片封装缩小了器件尺寸、减轻了重量。与传统封装相比,使用3D技术可缩短尺寸、减轻重量达40-50倍;在速度方面,3D技术节约的功率可使3D元件以每秒更快的转换速度运转而不增加能耗,寄生性和方法;硅片后处理等等。

3D封装改善了芯片的许多性能,如尺寸、重量、速度、产量及耗能。当前,3D封装的发展有质量、电特性、机械性能、热特性、封装成本、生产时间等的限制,并且在许多情况下,这些因素是相互关联的。3D封装开发如何完成、什么时候完成?大多数IC专家认为可能会经历以下几个阶段。具有TSV和导电浆料的快闪存储器晶圆叠层很可能会发展,随后会有表面凸点间距小至5μm的IC表面-表面键合出现。最后,硅上系统将会发展到存储器、图形和其它IC将与微处理器芯片相键合。

3D封装技术优势

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