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技术课堂 | IIC逻辑侧波形出现“台阶”原因的探讨

2022/10/26
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工程师在调试IIC通讯总线时,一般会将示波器探头加挂到IIC隔离器逻辑侧端口上,去观察通信过程中波形是否有误码,如下图所示:

若在MCU向220N31/220N61的SDA1或SCL1端口发送信号的同时观察波形,工程师们会发现波形上升过程中会出现一个明显的“台阶”,通过调整外部电路无法消除;如果断开IIC隔离器和MCU之间的连接之后直接观察MCU输出的信号,会看不到这个“台阶”。这个“台阶”并非由电路设计不当或者器件故障导致的,而是所有双向信号通道的IIC隔离器必然会出现的正常现象,无需担心。

这个“台阶”持续的时间被称为为IIC隔离器的环路延时,是IIC隔离器件的关键性能参数之一。IIC隔离器自身的时序性能和隔离器总线侧外围参数都会影响环路延时的大小。

荣湃IIC隔离器双向信号通道的内部示意结构如图所示,以SDA通道为例。可以看到,每个端口既可以作为输出,也可以作为输入,是复用的。逻辑侧下拉NMOS下面的二极管提供了一个对地的电压差,可以防止整个电路被锁死在低电平

当MCU输出给IIC隔离器的信号从低电平上升到高电平的时候,A点电压会超过逻辑侧输入阈值即600mv,蓝色的输入模块会向绿色的输出模块发送高电平信号。此时,D点依然为低电平信号状态、通过反向器输出高电压使NM0导通,所以外部的电压无法上拉到VDD,波形出现台阶。经过一个传播延时之后,B点从低电平变为高电平,总线侧NM1关断,C点电压通过外部上拉电阻开始上升。当C点的电压达到0.7x VDD时,紫色的输入模块识别到高电平,向黄色的输出模块发送高电平。再经过一个传播延时之后,D点变为高电平,逻辑侧NM0关断,A点电压从“台阶”电平升高到VDD1电压。

过程时序图如下:

以上就是IIC隔离器逻辑侧端口波形出现“台阶”的原因。可以看到,“台阶”的持续时间由逻辑侧至总线侧传播延时、总线侧端口外部上升时间和总线侧至逻辑侧传播延时共同构成。荣湃pai220N31、Pai220N61的传播延时低至45ns,配合总线侧端口外部100欧姆上拉,整体环路延时可控制在120ns以内,能够支持高速的IIC通信。

荣湃半导体

荣湃半导体

荣湃半导体(上海)有限公司成立于2017年(以下简称“荣湃半导体”或“公司”),专注于高性能、高品质模拟芯片的设计与研发,致力于成为全球技术领先的高性能模拟集成电路产品供应商。 公司产品包括数字隔离器、驱动(Si/SiC MOSFET、IGBT)、接口(CAN、RS485、I2C)、采样(放大器、ADC)等,广泛应用于电动汽车、工业控制、能源电源、消费电子等领域,产品性能和品质对标世界一流模拟集成电路厂商同类产品,部分关键性能指标有所超越。凭借独创的电容智能分压技术(iDivider技术),斩获多项隔离领域发明专利,实现了国产隔离芯片的突破。 荣湃半导体技术团队汇集了众多国内外模拟芯片领域精英,拥有先进的模拟集成电路设计、工艺、测试技术等经验。从创业至今,公司始终秉承“用芯创造新价值”的行动理念,从问题的本质出发,探索解决问题的新方法,同时紧跟市场需求的变化,守正创新,为客户创造高品质、高性价比产品,不断开创集成电路领域技术革新,实现国产替代,为中国半导体行业技术创新提供新思路,为社会创造新价值。https://www.rpsemi.com/

荣湃半导体(上海)有限公司成立于2017年(以下简称“荣湃半导体”或“公司”),专注于高性能、高品质模拟芯片的设计与研发,致力于成为全球技术领先的高性能模拟集成电路产品供应商。 公司产品包括数字隔离器、驱动(Si/SiC MOSFET、IGBT)、接口(CAN、RS485、I2C)、采样(放大器、ADC)等,广泛应用于电动汽车、工业控制、能源电源、消费电子等领域,产品性能和品质对标世界一流模拟集成电路厂商同类产品,部分关键性能指标有所超越。凭借独创的电容智能分压技术(iDivider技术),斩获多项隔离领域发明专利,实现了国产隔离芯片的突破。 荣湃半导体技术团队汇集了众多国内外模拟芯片领域精英,拥有先进的模拟集成电路设计、工艺、测试技术等经验。从创业至今,公司始终秉承“用芯创造新价值”的行动理念,从问题的本质出发,探索解决问题的新方法,同时紧跟市场需求的变化,守正创新,为客户创造高品质、高性价比产品,不断开创集成电路领域技术革新,实现国产替代,为中国半导体行业技术创新提供新思路,为社会创造新价值。https://www.rpsemi.com/收起

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