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ARCHIVED - AFT09S200W02NR3, AFT09S200W02GNR3 716-960 MHz, 56 W AVG., 28 V Airfast<sup>®</sup> RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

2023/04/25
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AFT09S200W02NR3 and AFT09S200W02GNR3 56 W RF power LDMOS transistors are designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency

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CS60-16IO1 1 IXYS Corporation Silicon Controlled Rectifier, 75A I(T)RMS, 48000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, PLUS247, 3 PIN
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7775-2 1 Keystone Electronics Corp PCB Terminal,

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恩智浦

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恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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