MRF6S23100HR3, MRF6S23100HSR3 2300-2400 MHz, 20 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF6S23100HR3, MRF6S23100HSR3 2300-2400 MHz, 20 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for CDMA base station applications with frequencies from 2300 to 2400 MHz. Suitable for WiMAX, WiBro and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB and Class C for WLL

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

MRF6S23100HR3, MRF6S23100HSR3 2300-2400 MHz, 20 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

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