flash存储器和eeprom区别

Flash存储器（Flash Memory）是一种非易失性存储器，可以用于输 入输出设备、计算机内部以及各种电子设备的存储。EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）也是一种可以重复擦写的非易 失性存储器，但是使用场景、特点和工作原理等几个方面与Flash有所不同。

1.闪存与EEPROM的区别

首先，EEPROM的出现时间比Flash更早。它采用的是悬浮栅（Floating Gate） 技术，而Flash则采用了快闪记忆体（NOR Flash）和嵌入式闪存（NAND Flash） 等技术，在性能、内部结构和使用场景上都与EEPROM不同。

2.Flash和EEPROM的异同点

相较于EEPROM，Flash存储器具有如下优点：

• 读取速度更快
• 存储密度更高
• 价格更便宜

而EEPROM则具有如下优点：

• 擦写速度更快，适用于对寿命要求较高的场合
• 擦写次数更多，可擦写存储单元数量也更少，因此寿命更长
• 更低的功耗，适用于绝大部分以节能为目标的电子设备中

3.Flash与EEPROM的应用场景

Flash存储器广泛应用于各类嵌入式系统、移动智能终端、网络通讯等领 域。EEPROM则主要用于一些对寿命要求较高、数据更新比较频繁的场合， 比如车载电子控制单元（ECU）和工业控制系统等。