长鑫存储

长鑫存储技术有限公司
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2016年5月,长鑫存储技术有限公司的事业在安徽合肥启动。作为一体化存储器制造商,公司专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。DRAM 产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。 收起 展开全部

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  • 长鑫存储“双芯"亮相IC China,首发DDR5高端新品最高速率达8000Mbps
    长鑫存储在IC China 2025(中国国际半导体博览会)上正式发布其最新DDR5产品系列:最高速率达8000Mbps,最高颗粒容量24Gb,均达到国际领先水平,并同步推出覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的七大模组产品。 此次长鑫存储以“双芯共振,5力全开”为主题,同台展示了最新DDR5系列产品以及最高速率10667 Mbps、最高颗粒容量16Gb的最新LPDDR5X移动端内存。其两大产品系列
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    11/24 08:48
    长鑫存储“双芯"亮相IC China,首发DDR5高端新品最高速率达8000Mbps
  • IEDM见证中国创新路径,长鑫存储展现DRAM关键技术攻
    近日,在第71届国际电子器件大会(IEDM)的议程内,一场由北京大学研究员主讲的研讨会引发关注。其主题为“面向边缘大模型的器件 - 阵列 - 系统协同优化:基于BEOL FeFET的高精度高吞吐量多位模拟存内计算(ACiM)宏单元”, 直指边缘计算场景中算力瓶颈的破解路径。 模拟存内计算长期被视为提升边缘大模型能效的关键技术,但其可靠性问题一直制约落地。北京大学的研究通过器件-阵列-系统三级协同优
  • 长鑫存储完成首期上市辅导,罕见34人豪华团队护航
    长鑫存储IPO辅导完成,迎“量价齐升”黄金周期机遇,有望成为A股半导体重量级玩家。
    长鑫存储完成首期上市辅导,罕见34人豪华团队护航
  • 国产HBM3突破!
    长鑫存储已开始向华为供应第四代高带宽存储器(HBM3)样品,计划将其集成到AI芯片“昇腾910C”中,以提升产品性能。该样品基于自主“G4”存储工艺,采用16nm制程,相比前一代工艺缩小20%面积,能效优化显著。长鑫存储正积极扩充HBM产能,目标在2025年第四季度提升至每月约5万片晶圆。华为昇腾910C计划搭载长鑫存储的HBM3,有望显著提升其AI算力表现。
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    09/04 09:50
    国产HBM3突破!
  • 世界芯片产业地图——合肥
    合肥市作为安徽省乃至全国集成电路产业的重要增长极,近年来在政策引导、资本投入和技术创新等方面取得了显著成效。截至2024年底,合肥市集成电路产业规模已突破500亿元,年均增长率保持在20%以上,显示出强劲的发展势头。 一、产业现状 在“十四五”规划期间(2021‑2025年),合肥市明确了集成电路产业发展的核心目标和重点任务。合肥将通过“链长制”推动产业链的协同发展,确保从芯片设计、晶圆制造到封装
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    08/18 11:29
    世界芯片产业地图——合肥
  • 长鑫量产DDR5存储芯片
    不久前,长鑫存储发布针对服务器及 PC 应用的 DDR4 发布产品结束通知,预计最晚在 2026 年上半年正式停止供货,未来将不再开发标准 DDR4 产品,仅保留部分产线保障消费市场的 DDR4 产品供应,其重心将转至 DDR5 及高带宽内存(HBM)领域。
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    06/19 10:45
    长鑫量产DDR5存储芯片
  • 长鑫存储DRAM份额将增至12%
    随着市场份额稳步提升的中国企业的崛起,持续数年的三星电子、SK海力士、美光三足鼎立的格局将被打破。
  • 中韩存储技术差距缩至3年
    长鑫存储科技(CXMT)已采用 16 纳米技术量产 DDR5 DRAM。据业界1月26日报道,半导体市场研究公司TechInsights近日报道称,“中国分销市场发布的32GB DDR5 DRAM模组由长鑫存储的16Gb(千兆位)DDR5 DRAM组成”,而“长鑫存储最新的16㎚采用了‘G4’ DRAM 技术”。 TechInsights 获取并分析了上个月上市的中国 DDR5 DRAM模组。DDR5 DRAM 的容量更大,传输速度大约是其前身 DDR4 的两倍。
    中韩存储技术差距缩至3年
  • 传长鑫存储3倍年薪挖角千人
    金先生,长鑫存储科技有限公司(CXMT)负责开发的高级副总裁,是韩国人,毕业于韩国著名大学,曾在三星电子从事DRAM设计和开发工作26年。金先生曾担任三星电子研究员(高管)和一家附属公司负责战略营销的高管,于 2019 年 11 月移居中国,五年多来一直领导长鑫存储的尖端 DRAM 开发。得益于这支“外籍工程师团队”,长鑫存储以超出市场预期的速度进军传统DRAM市场,目前正投入到HBM和DRAM 开发。
    传长鑫存储3倍年薪挖角千人
  • 传长鑫存储HBM2已送样,计划明年中量产
    长鑫存储正准备将主要应用于人工智能领域的高带宽存储器(HBM)以自己的技术商业化并供应给客户。据媒体12月31日报道,长鑫存储已开始向主要客户供应HBM2标准半导体样品,并计划于明年年中开始量产。
  • 美国未制裁长鑫存储的可能性分析
    美国此次未将长鑫存储列入制裁名单,部分原因是来自日本的反对。长鑫存储与日本半导体行业合作密切,而中国是日本半导体产品主要的出口对象,若响应美国对华限制出口芯片,日本半导体产业将下滑,影响未来产业合作发展。此外,中国掌握着丰富的稀有金属材料镓、锗等,是制造半导体的主要来源,一旦日本跟随美国限制芯片出口,中国可能限制这些材料出口,日本半导体生产将受影响。同时,日本似乎也在中美之间寻求平衡,其在经贸上依赖中国,中日贸易往来能促进日本发展。
    美国未制裁长鑫存储的可能性分析
  • 2024年电子互连技术创新大会:AI浪潮势不可挡
    与非网讯 2024年3月1日,由电巢举办的2024电子互连技术创新大会(EITIA)在中国深圳华侨城洲际大酒店成功召开,本次会议的主题“AI加速硬件互连创新”。 图|2024年电子互连大会现场 大会邀请了众多AI产业链上下游的企业专家、学者分享交流行业情况,Intel、科大讯飞、VIVO、浪潮信息、长鑫存储、光迅科技、西门子EDA等龙头企业对AI的广泛应用前景进行了阐述,并逐层分析了从应用到硬件到
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    2024/03/04
    AI
    2024年电子互连技术创新大会:AI浪潮势不可挡
  • 存储器市场有望起死回生,中国厂商寻求逆周期突破
    近日,存储模块公司消息人士透露,三星已通知客户,打算将512Gb NAND闪存晶圆的报价提高到1.60美元,较年初上涨15%,这一变化最早可能在8月中旬反映在现货市场价格中。过去的几个季度,存储器市场经历了15年来最严重的低迷期,自2021年第三季度以来,DRAM和NAND的平均售价(ASP)分别下跌了57%和55%,在2023年初NAND价格达到0.05美元/GB。
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    2023/08/12
    存储器市场有望起死回生,中国厂商寻求逆周期突破
  • 绕不过的兆易创新
    全球MCU市场基本由海外巨头垄断,本土MCU产品正处于“从有到强”、“从有到多”的进程中,兆易创新作为本土规模最大的MCU厂商,正引领这波国产替代浪潮。 本文旨在对兆易创新进行全方位解析,从公司历程、股权结构、高管背景、产品布局、上下游分析、财务分析、品牌力调研、潜在风险等多个角度深入探讨,为读者全面了解该公司提供有价值的参考。 公司历程 兆易创新成立于2005年,致力于半导体研发设计,于2016
    绕不过的兆易创新
  • 传美国将更大规模制裁中国半导体,涉及中芯国际、华虹半导体、长鑫存储、长江存储等
    据硅谷科技媒体The Information撰文《The U.S. Weighs a Broader Crackdown on Chinese Chipmakers》,美国商务部正在考虑一项扩大半导体制裁禁令,禁止美国公司向中国公司出售先进的芯片制造设备。
  • 长鑫存储将于Q2交付17nm DRAM样品
    据《电子时报》报道援引上述人士称,长鑫存储的17nm制程成品率初步达到40%,预计将在2022年晚些时候逐步提高。据其计划,将在2022年下半年将月产量提高到6万至8万片12英寸晶圆。
  • 奇梦达魂穿合肥长鑫,欧洲存储器的兴衰史
    奇梦达的衰落,使得欧洲再无储存器。而我国从饱受储存器进口之苦,到可以预见的储存器产业的国产潮,这一路并不平坦。
  • DDR5来了,这些新内存技术你掌握了吗?
    DDR5到底有哪些新技术特性?从原理上怎么理解,系统工程师又面临着哪些挑战?
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    4评论
    2020/02/03
  • 晋华落寞 长鑫疾行 | 中国DRAM厂商的王者梦
    与其唱衰,不如多点阳光,以梦为马,静候长鑫在DRAM市场突出重围的好消息。
    153
    2019/12/26
  • 一文读懂长鑫获得的奇梦达专利价值几何?
    日前,长鑫存储(CXMT)和WiLAN Inc.联合宣布,长鑫存储与WiLAN Inc.合资子公司Polaris Innovations Limited有关达成专利许可协议和专利采购协议。依据专利许可协议,长鑫存储从Polaris获得大量奇梦达(Qimonda)的DRAM技术专利的实施许可。

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