国产HBM3突破！

据韩媒Financial News报道及行业消息，长鑫存储（CXMT）已开始向业界供应第四代高带宽存储器（HBM3）样品。这批样品已交付给国内头部客户，据悉这一客户正是华为公司。

华为计划将这款国产HBM3集成到其最新研发的AI芯片“昇腾910C”中，以提升产品整体性能。这一合作标志着中国企业在高性能计算和人工智能领域自主化进程中的重要突破。

长鑫存储此次交付的HBM3样品整合了自研DDR5技术，基于自主“G4”存储工艺，采用16nm制程生产。相比此前的18nm G3工艺，新工艺使芯片面积缩小约20%，能效得到显著优化。HBM3产品通过垂直堆叠8颗DRAM芯片构成，符合当前全球主流8层HBM3的设计规格。在堆叠技术方面，长鑫存储的垂直堆叠（包括热压TC键合）由外包半导体封测（OSAT）厂商完成。这种分工模式与国际存储大厂的做法相似，有利于提高生产效率和专业化程度。

长鑫存储正在积极扩充HBM产能。公司目标是在2025年第四季度将其HBM专用产能提升至每月约5万片晶圆。这一产能规划显示长鑫存储对HBM市场的重视程度。作为对比，三星和SK海力士两家韩国巨头目前占据全球HBM市场超过90%的份额。业内预测，到2026年，长鑫存储HBM产品月产能有望达到5万片晶圆，相当于三星与SK海力士届时HBM总产能的20%至25%。

华为昇腾910C是一款高性能AI芯片，预计将采用7nm制程工艺，性能可对标业界领先的英伟达H200。据资料显示，英伟达H200集成141GB HBM3e内存，内存带宽从H100的3.35TB/s增加到了4.8TB/s，提升40%。华为昇腾910C计划搭载长鑫存储的HBM3，有望显著提升其AI算力表现。在高速互联技术方面，华为的HCCS虽然与NVIDIA的NVLINK存在差距，但通过技术创新和材料堆叠，正在逐步缩小这一差距。

长鑫存储原本计划于2026年才开始开发HBM2，但现在已将时间表提前至2025年实现中小规模生产。公司计划在2025年底前交付HBM3样品，并预计从2026年开始全面量产。此外，长鑫存储还设定了于2027年开发第五代HBM（HBM3E）的目标。这一进度显示长鑫存储在HBM领域的开发和量产蓝图正在加速推进。相比国际大厂的技术路线图，长鑫存储虽然仍有差距，但正在快速追赶。

在国际市场上，HBM技术竞争激烈。韩国两大存储巨头三星和SK海力士加快了技术升级的步伐。SK海力士已开始向主要客户提前供应第六代HBM（HBM4）12层样品，并计划从2025年下半年开始量产。而三星则持续优化其1c DRAM良率，加速布局包括HBM4在内的先进产品生产线。在更高层次的HBM3E方面，SK海力士已于2024年9月宣布开始批量生产全球首款12层HBM3E产品，容量为36GB。这是迄今为止现有HBM的最大容量。

长鑫存储在HBM领域与国际龙头SK海力士、三星仍存在明显差距。目前，三星与SK海力士已采用10纳米级1b制程的DRAM生产HBM3e，并计划在1c制程节点上量产HBM4。市场分析认为，长鑫存储HBM产品的商业化与规模化量产仍需较长时间，因此其在2026年全球HBM市场中的影响预计仍有限。此外，由于美国持续加强对华出口限制，中国大陆在获取HBM3及更高规格HBM产品方面仍面临阻碍。英国《金融时报》报道，中美贸易谈判中，中方已要求美方放宽HBM相关出口管制。

长鑫存储HBM3样品的交付，意味着中国存储芯片产业在高端领域迈出重要一步。长期以来，全球高端存储芯片市场主要由韩国三星和SK海力士两家公司把控，市场格局高度集中。一旦长鑫存储能够如期交付HBM3样品并实现量产，将有望打破韩国厂商长期以来的市场垄断地位，大幅缩小中国与全球存储芯片巨头之间的技术差距。截至2025年第一季度，长鑫存储的DRAM产能已占据全球市场约6%的份额。HBM技术的突破将有助于公司进一步扩大市场份额和提高产品附加值。

HBM（高带宽内存）是人工智能和高性能计算领域的关键核心技术。随着AI大模型训练和推理对计算能力要求的不断提高，对内存带宽和容量的需求也在急剧增长。HBM通过将多个DRAM芯片垂直堆叠，并通过硅通孔（TSV）技术相互连接，大提高了内存带宽和密度，同时减少了物理空间和功耗。这类高性能内存在AI训练服务器、超级计算机、高端显卡等领域有着广泛应用需求。长鑫存储HBM3的量产将为国内AI产业提供更加稳定可靠的供应链保障。

全球半导体存储行业竞争正在加剧，技术进步也在加速。随着人工智能、数据中心以及高性能计算等领域对高速存储需求的不断增长，各大厂商都在努力通过技术创新和产能扩张来保持竞争力。长鑫存储此次的快速发展不仅为自身赢得了更多市场份额的机会，同时也促使其他厂商不断提升技术水平，推动整个行业的进步和发展。中国存储芯片产业的这一突破，将为全球半导体格局带来新的变数。