杰盛微半导体JSMSEMI

• SM18N20C 220V N 沟道 MOSFET TO-220-3L

  在开关电源、UPS、功率因数校正（PFC）等电力电子领域，MOSFET 作为核心开关器件，其性能直接决定了整机的效率、可靠性与成本。长期以来，IRF640 作为一款经典的 200V N 沟道 TO-220 封装 MOSFET，被广泛应用于各类中高压电源场景。但随着技术迭代与市场对性能要求的提升，工程师们开始寻求更高效、更可靠的替代方案。今天，我们就为大家介绍杰盛微（JSMICRO SEMICOND

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  2025/10/27

  封装 N沟道MOSFET
• JSM57N10C 100V N 沟道 MOSFET TO-220 封装

  在开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等中低压电力电子系统中，MOSFET 作为核心开关器件，其性能直接决定了整机的效率、可靠性与成本。长期以来，IRFR3410 作为一款经典 100V N 沟道 MOSFET，在市场中应用广泛，但随着终端设备对大电流、低损耗、高可靠性的需求升级，寻找性能更优、性价比更高的替代方案成为众多工程师与采购的核心诉求。 今天，我们要为大家重

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  2025/10/23

  封装 N沟道MOSFET
• JSM25N06 60V N 沟道 MOSFET

  对于常年和低压 MOSFET 打交道的电子工程师来说，“SI2308” 绝对是个熟悉的名字 —— 这款经典器件虽能满足基础场景需求，但随着电路功率提升、环境温度升高，其 “电流不足、损耗偏高、散热吃力” 的问题逐渐凸显，再加上进口器件的供货波动，不少项目都卡在了 “选型替换” 这一步。 今天要给大家推荐的，正是杰盛微（JSMSEMI）针对这些痛点推出的JSM25N06 N 沟道 MOSFET：不仅

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  2025/10/17

  国产芯片 N沟道MOSFET
• JSM20957STR 2A 200V集成保护功能的D类音频功率放大器

  在家庭影院的沉浸式音效里，在有源扬声器的细腻音质中，在立体声系统的澎湃输出背后，都藏着一个关键 “角色”——D 类音频功率放大器。但工程师们常常面临两难：追求高功率输出怕过流烧芯片，加保护电路又会增加设计复杂度、拉高失真？别急，杰盛微（JSMSEMI）推出的JSM20957STR，这款集成保护功能的 2A/200V D 类音频功率放大器，不仅完美替代经典型号 IR20957S，更用 “集成化 +

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  2025/09/27

  国产芯片 音频功率放大器
• JSM2093MTR 2A 300V 高性能四通道数字音频功率放大器

  在家庭影院的震撼音效里，在有源音箱的细腻声场中，在立体声系统的澎湃动态间，一款优秀的音频功率放大器驱动芯片，是决定 “听感上限” 的关键核心。但长期以来，大功率音频场景下的 “咔哒” 启动噪声、过流烧毁风险、高温稳定性不足，以及进口芯片的供货瓶颈，始终是工程师和厂商们的痛点。 如今，杰盛微半导体（JSMSEMI）推出的JSM2093MTR MLPQ-48——2A 300V 高性能四通道数字音频功率

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  2025/09/26

  国产芯片 驱动芯片
• 杰盛微JSM2302 N 沟道 MOSFET 赋能低功耗电子设计！

  在当下电子行业，供应链波动、原厂器件供货紧张等问题，时常让硬件研发与采购团队陷入 “寻替代” 的困境。尤其是在低功率 DC-DC 转换、电池管理等关键领域，IRS2302 作为常用的 N 沟道 MOSFET，其供应稳定性直接影响项目进度。而杰盛微（JSMSEMI）自主研发的JSM2302，凭借与 IRS2302 高度兼容的性能、更优的电气特性及稳定的供应链，成为了众多工程师眼中的 “替代优选”。今

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  2025/09/25

  电阻 DC-DC
• 杰盛微LM317L系列 100mA 可调式三端正电压稳压器

  在电子设备的 “心脏” 部位，总有一颗默默守护的芯片 —— 稳压器。作为深耕半导体领域的国家级高新技术企业，杰盛微半导体（JSMSEMI）始终以 “精准供电，稳定护航” 为使命，今天我们要向大家隆重介绍自主研发的明星产品：LM317L 系列 100mA 可调式三端正电压稳压器。这款凝聚着杰盛微核心技术的产品，凭借 1.25V~37V 宽电压调节范围、1% 高精度输出及三重保护机制，已成为消费电子、

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  2025/09/15

  稳压器 短路保护
• 杰盛微JSM2113STR 4A 700V 单相高低侧带SD功能栅极驱动芯片

  在电子设备的世界里，芯片如同精密的 “心脏”，驱动着整个系统的高效运转。对于众多工程师和电子产品制造商而言，寻找性能卓越且适配的芯片至关重要。今天，我们要为大家介绍一款来自杰盛微半导体的明星产品 ——JSM2113STR，它在众多方面展现出超越经典芯片 IR2113 的实力，成为理想的替代方案。 一、产品概述 JSM2113S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高

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  2025/09/09

  驱动芯片 栅极驱动IC
• JSM2110STR4A 700V 单相高低侧带SD功能栅极驱动芯片

  JSM2110S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道JSM2110S的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。 JSM2110S内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。ISM2110S采用宽体SOP-16(W)封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。应用

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  2025/09/08

  驱动芯片 电机驱动器
• JSM2106STR 700V 单相高低侧同相栅极驱动芯片

  在高压驱动芯片领域，IRS2106 曾凭借稳定的性能成为工程师选型清单中的 “常客”。但随着电力电子设备对耐压、抗干扰、效率的要求不断提升，一款更具竞争力的替代产品逐渐走进大众视野 —— 杰盛微自主研发的 JSM2106STR。这款 700V 单相高低侧同相栅极驱动芯片，不仅完美兼容 IRS2106 的应用场景，更在关键性能指标上实现突破，为行业带来更优的驱动解决方案。 一、产品概述 JSM210

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  2025/09/06

  驱动芯片 栅极驱动IC
• 杰盛微JSM2104STR 700V 集成自举带SD功能单相高低侧栅极驱动芯片

  在电子科技飞速发展的当下，驱动芯片作为电子设备中的关键组件，其性能优劣直接影响着整个系统的运行效率与稳定性。一直以来，IRS2104 凭借其出色的性能在高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动领域占据着重要地位。然而，今天我们要为大家带来一个令人振奋的消息：杰盛微半导体推出的 JSM2104STR，以其卓越的性能和高性价比，成为了 IRS2104 的有力替代者，为广大工程师和电子设备制造商

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  2025/09/05

  MOSFET 驱动芯片
• JSM2101STR 700V单相高低侧同相栅极驱动芯片

  在电机控制、空调洗衣机变频驱动、通用逆变器等领域，高压高低侧栅极驱动芯片是核心元器件之一 —— 而 IRS2101 作为经典进口型号，长期占据市场主流。但近年来，受供应链波动、进口周期长、成本居高不下等问题影响，不少企业开始寻找性能匹配、供货稳定的国产替代方案。今天要给大家推荐的，正是杰盛微推出的 JSM2101STR：一款 700V 单相高低侧同相栅极驱动芯片，不仅能无缝替代 IRS2101，更

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  2025/09/01

  MOSFET 逆变器
• JSM21844STR4A 700V带SD功能高低侧栅极驱动芯片

  在电力电子设计领域，IR21844 作为经典的高压栅极驱动芯片，曾是众多工程师的 “老朋友”。但随着工业场景对电压、电流、抗干扰能力的要求不断提升，一款能全面替代且性能更优的芯片逐渐走进视野 —— 来自 杰盛微 的 JSM21844STR。从《JSM21844STR SOP-14.pdf》文档中不难发现，这款 4A/700V 带 SD 功能的高低侧栅极驱动芯片，在核心参数、保护机制、应用适配性上都

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  2025/08/29

  驱动芯片 栅极驱动IC
• 杰盛微JSM2184STR 4A 700V集成自举带SD功能栅极驱动芯片

  在工业电机驱动、电动工具、电源转换系统等高压功率场景中，栅极驱动芯片就像 “功率器件的大脑”，直接决定了整个电路的稳定性、效率与安全性。长期以来，IRS2184 作为经典的高压栅极驱动方案，占据了不少市场份额。但随着国内半导体技术的飞速发展，杰盛微半导体推出的JSM2184STR凭借更优的性能、更完善的保护机制与高兼容性，成为了 IRS2184 的理想替代型号，今天就带大家全面拆解这款 “国产高压

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  2025/08/28

  MOSFET 功率器件
• 杰盛微JSM21867STR 4A 700V集成BSD单相高低侧同相栅极驱动芯片

  在功率电子领域，高压栅极驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了电机驱动、电源转换等系统的可靠性与效率。一直以来，IRS21867 作为经典的 4A700V 高低侧驱动芯片，广泛应用于工业与家电场景，但国产替代需求的日益增长，也推动着本土半导体企业推出更具竞争力的产品。杰盛微半导体（JSMSEMI）研发的JSM21867STR，正是一款对标 IRS21867 的集成 BSD

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  2025/08/27

  MOSFET 驱动芯片
• 杰盛微JSM6287系列1.5A 250V三相高同低反逻辑功率预驱动芯片

  在功率电子领域，驱动芯片是连接控制信号与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了整个系统的效率、可靠性与稳定性。今天要为大家介绍的，是杰盛微（JSMSEMI）推出的 JSM6287 系列功率预驱动芯片 —— 一款专为高压、高速场景设计的 1.5A/250V 三相高同低反逻辑芯片，凭借单芯片集成、宽适配性、强防护等优势，已成为电机控制、逆变器等领域的优选方案。 一、产品概述 JSM6287是一款高压、

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  2025/08/26

  驱动芯片 功率
• JSM21867STR 4A 700V集成BSD单相高低侧同相栅极驱动芯片

  JSM21867S是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。IRS21867S采用SOP-8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。广泛应用于电机驱动与控制、电动工具、通用逆变器、电源转换系统、伺服驱动器

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  2025/08/23

  MOSFET 驱动芯片
• JSM21864STR4A700V单相高低侧同相栅极驱动芯片

  在电子工程师的日常研发中，“芯片替代” 往往是绕不开的课题 —— 供应链波动、成本控制、性能升级等需求，都可能让一款成熟产品的核心器件面临替换。而在高压栅极驱动领域，IRS21864 作为经典型号，其替代选型更是备受关注。今天，我们就来深度解析一款来自杰盛微（JSMSEMI）的高性价比替代方案 ——JSM21864STR，从参数匹配到场景适配，全方位验证它为何能成为 IRS21864 的 “理想平

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  2025/08/22

  MOSFET 驱动芯片
• JSM2186STR4A 700V单相高低侧同相栅极驱动芯片

  JSM2186S是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。JSM2186S采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。广泛应用于电机控制、空调 / 洗衣机、通用逆变器、微型逆变器驱动程序等场景，

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  2025/08/21

  MOSFET 驱动芯片
• JSM21834STR4A 700V集成自举高侧同低侧反驱动芯片

  在电子元器件的快速发展进程中，芯片的更新换代日新月异。对于众多工程师和电子产品制造商而言，寻找性能更优、更适配需求的芯片，是提升产品竞争力的关键。今天，我们将深入探讨一款极具潜力的芯片 ——JSM21834，它正以卓越的表现，成为 IRS21834 的理想替代者。 一、产品概述 JSM21834S是高压、高速功率MOSFETIGBT高低侧驱动系列芯片，具有两个非独立传输通道。内部集成了高、低侧欠压

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  2025/08/20

  电子元器件 驱动芯片

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