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杰盛微半导体JSMSEMI

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深圳市杰盛微半导体有限公司
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SMSEMI杰盛微研发生产霍尔磁性传感器SOC芯片、驱动IC、电源管理芯片、MOSFETS场效应、二三极管、晶体管、单双三四象可控硅等产品。为消费类，工业类，汽车级客户提供技术解决方案，诚招代理商，期待您的加盟！杨女士13824341110 收起 展开全部

产业链 半导体元器件 收起 展开全部

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  • JSM180N04Q N 沟道增强型 SGT MOSFET
    在电源系统向高功率密度、小型化快速迭代的今天，低压大电流 MOSFET 是电力电子设备的核心基石。面对 UPS、DC‑DC 变换器等设备的严苛需求，国产功率半导体厂商杰盛微（JSMSEMI）推出 JSM180N04Q N 沟道增强型 SGT MOSFET，以 PDFN5060‑8L 紧凑贴片封装，实现 40V 耐压、180A 大电流与毫欧级导通电阻，为硬件工程师提供高可靠的国产化器件选型参考。 电
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    08/27 19:21
    封装 工艺技术
  • JSM140N04Q N 沟道增强型 MOSFET
    随着工业电源、大功率 DC‑DC 变换系统持续向小型化、高功率密度、高效率迭代，硬件工程师经常会遇到一系列现实开发困境：既要在有限 PCB 面积内承载百安培级大电流，又要控制整机温升；MCU / 电源芯片仅 4.5V 低压驱动时 MOS 导通能力不足；感性负载带来的浪涌冲击容易造成器件失效；传统插件封装体积过大，无法满足紧凑型设备布局需求。 在国产化替代持续推进的行业背景下，本土功率半导体厂商杰盛
    255
    08/26 18:28
    传感器 大电流
  • JSM120N04Q5 N 沟道增强型 MOSFET
    电源系统朝着小型化、高功率密度方向快速迭代，如何在有限 PCB 空间内实现大电流承载、低发热损耗与高可靠性，是众多硬件工程师共同面对的设计难题。杰盛微（JSMSEMI）JSM120N04Q5 N 沟道增强型 MOSFET，以 DFN5060‑8L 紧凑型封装，集合 40V 耐压、120A 大电流、超低导通电阻、完整可靠性验证，为工业 DC‑DC 转换器电源管理场景提供优质国产器件选型方案。 在工业
    353
    08/25 23:42
    MOS 电源系统
  • （JSMSEMI）推出 JSM70N04Q，一款 40V N 沟道 SGT MOSFET
    在电子产品不断走向小型化、高功率密度的今天，功率 MOSFET 作为电路里的 “电子阀门”，直接决定电源转换效率、整机温升与产品可靠性。很多硬件工程师经常面临两难困境：既要器件承载大电流，又要压缩 PCB 布板面积；既要压低导通损耗，又要保障优秀的开关性能，普通沟槽 MOS 很难同时兼顾多重需求。 SGT 屏蔽栅沟槽工艺的出现，很好破解了这一行业矛盾。作为深耕中低压功率器件赛道的本土厂商，杰盛微（
    415
    08/24 21:59
    电力 高功率密度
  • JSM120N03M N 沟道增强型 MOSFET
    消费电子与便携设备持续向小型化、大功率、长续航方向迭代，笔记本电脑、便携储能、电池供电系统对电源开关器件提出严苛考验：既要 PCB 占位面积足够小巧，又要承载大电流、压低导通发热，同时还需要具备足够抗冲击可靠性，应对电池系统的浪涌、负载突变等复杂工况。 很多硬件工程师在实际项目中经常遇到两难困境：传统大电流 MOSFET 封装体积大，挤占板卡布局空间；而小尺寸器件又常常出现导通电阻偏高，满负载温升
    351
    08/22 14:42
    电阻 N沟道功率MOSFET
  • JSM120N04D N 沟道功率 MOSFET，采用 TO‑252（DPAK）贴片封装
    在工业电源、电机控制、储能配套等硬件开发场景中，MOSFET 作为核心功率开关器件，它的性能直接决定整机设备的效率、温升以及长期运行可靠性。 很多硬件工程师在项目调试阶段经常遇到这些痛点：大电流工作下器件发热严重，整机效率达不到设计指标；感性负载产生电压尖峰，容易造成管子异常损坏；贴片封装散热受限，实际应用不得不大幅度降额；导通损耗与开关损耗难以平衡，选型十分纠结。 面对 40V 电压平台下的大功
    282
    08/21 17:46
    N沟道功率MOSFET
  • JSM140N04D TO‑252 封装 N 沟道增强型 MOSFET
    随着电源设备向着小型化、高功率密度、高效率方向不断演进，低压大电流 MOSFET 已经成为工业 DC‑DC 转换器、电池管理、各类功率变换系统中不可或缺的核心元器件。不少硬件工程师在项目开发阶段，常会遭遇各类棘手难题：大电流工况下器件发热严重；贴片封装实际可用电流大幅降额；控制器仅 4.5V 低压输出时 MOS 管导通性能不佳；感性负载冲击带来器件损毁，雪崩耐受能力不足等现实问题。 针对 40V
    284
    08/20 20:05
    芯片 电源设备
  • JSM80N03D 30V N 沟道增强型功率 MOSFET
    在快充电源、锂电管理、小型工控 DC-DC 等低压大电流电路中，功率 MOSFET 作为核心 “电子开关”，导通损耗、散热能力、驱动兼容性、长期可靠性，直接决定整机能效、温升与使用寿命。随着电子产品持续向小型化、高频化、低功耗迭代，市场对 30V 耐压、TO-252 封装的 N 沟道 MOS 需求持续走高。 杰盛微半导体深耕沟槽功率 MOS 工艺，全新推出JSM80N03D 30V N 沟道增强型
    348
    08/18 15:02
    N沟道功率MOSFET 快充电源
  • JSM8820 20V 双 N 沟道器件
    随着消费电子小型化、便携设备续航升级、供应链自主可控需求持续走高，低压电源管理赛道对双路集成 MOSFET 提出低导通损耗、小封装、逻辑电平驱动、稳定供货四大硬性要求。 过往行业大量使用的 20V 双 N 沟道器件 AO8820，常面临交期波动、采购成本上浮等供应链难题。深耕功率半导体领域的本土厂商杰盛微（JSMSEMI），依托自研高密度沟槽 Trench 工艺，推出同源规格国产型号JSM8820
    277
    08/18 10:55
    N沟道MOSFET
  • JSM80N04D N 沟道功率 MOSFET
    在电机驱动、同步整流、储能电源等低压大功率场景，低导通损耗、优异散热能力、稳定开关性能是工程师选型的核心诉求。今天带大家深度解析杰盛微 JSM80N04D，一款 TO‑252 封装 N 沟道沟槽 MOSFET，看国产功率器件如何解决大电流系统发热、效率不足、可靠性差的行业痛点。 电力电子行业正在向着高功率密度、高效率、小型化方向快速迭代，无论是工业电源、锂电储能，还是直流电机驱动设备，都离不开高性
    310
    08/17 21:02
    锂电池 储能
  • JSM8822 双 N 沟道增强型 MOSFET
    在消费电子、便携设备、笔记本电源管理赛道，20V 双路集成 MOS 管一直是硬件工程师高频选型器件。过往行业长期依赖进口型号 AO8822，但供应链波动、交期不稳定、采购成本逐年上涨等痛点，持续困扰批量生产厂商。 深耕中低压功率半导体领域的杰盛微（JSMSEMI），基于自研高密度沟槽工艺推出 JSM8822 双 N 沟道增强型 MOSFET，全参数、封装、引脚定义与 AO8822 完全兼容，实现零
    332
    08/17 17:38
    N沟道功率MOSFET
  • JSM120N03D N 沟道增强型功率 MOSFET
    在 DC-DC 转换、电池管理、大功率负载开关等低压电源设计中，硬件工程师总会面临三大核心难题：大电流工况下器件发热严重、高频开关损耗居高不下、浪涌冲击易导致 MOS 管损坏。随着国产功率半导体工艺持续突破，深耕沟槽 MOS 研发制造的杰盛微（JSMSEMI） 推出 JSM120N03D N 沟道增强型功率 MOSFET，以 30V/120A 超大规格、毫欧级超低导通内阻、优异雪崩耐受性能，搭配标
    497
    08/16 09:21
    智能家电 大功率
  • JSM60N03D N 沟道增强型功率 MOSFET
    在 DC-DC 转换、电机驱动、不间断电源等低压大功率电路中，功率 MOSFET 作为电能调控的核心开关器件，直接决定整机转换效率、温升表现与长期运行可靠性。随着国产功率半导体技术持续突破，下游工程师对于低内阻、大电流、高可靠、易量产的 MOS 器件需求持续攀升。 杰盛微（JSMSEMI）深耕沟槽功率 MOSFET 研发与制造，针对 30V 低压大电流应用场景推出JSM60N03D N 沟道增强型
    380
    08/13 18:31
    半导体设备 半导体技术
  • 20V N 沟道功率 MOSFET——JSM60N02D
    在消费电子、不间断电源、高频开关电路的硬件开发中，低压大电流负载开关长期面临三大痛点：导通发热严重、高频开关损耗高、贴片封装散热不足。无数硬件工程师在方案迭代中，不断寻找兼顾低内阻、大电流、小型封装、高频特性的国产 MOS 器件。 深耕功率半导体赛道的杰盛微（JSMSEMI），依托自研先进沟槽 Trench 工艺与高密度元胞设计，推出 TO-252 封装 20V N 沟道功率 MOSFET——JS
    327
    08/12 18:32
    半导体 电力
  • JSM8814 双 N 沟道增强型 MOSFET
    在笔记本、便携数码、锂电池供电设备的电源管理电路中，双路集成 NMOS 凭借节省 PCB 空间、简化外围电路、降低物料成本三大核心优势，长期是硬件工程师 BOM 清单里的刚需器件。AO8814 作为行业经典 20V 双 N 沟道 MOSFET，凭借 TSSOP-8 紧凑封装、7A 大电流、超低导通电阻的综合性能，多年来广泛应用于各类低压负载开关、同步整流、电池保护电路。 但全球半导体供应链波动、原
    426
    08/10 16:36
    二极管 ESD
  • JSM4884 SOP-8 封装双 N 沟道增强型 MOSFET
    在消费电子快充、笔记本多路电源、便携储能、工控传感器供电等产品设计中，多路电源开关方案长期存在PCB 占用面积大、分立器件物料多、导通损耗高、抗浪涌能力弱四大行业痛点。传统采用两颗单路 MOS 分立式设计，不仅增加 BOM 成本与贴片工序，还会拉长布线回路，带来更大开关噪声与发热问题。 深耕功率半导体领域的国产原厂杰盛微（JSMSEMI），依托自研沟槽 MOS 工艺与严苛全流程品控体系，推出JSM
    771
    08/07 17:01
    功率半导体 N沟道功率MOSFET
  • JSM4828——60V 双通道 N 沟道增强型 MOSFET
    翻开笔记本、数码相机、便携显示器的电源电路板，密密麻麻的元器件里，一颗 SOP-8 封装的功率 MOS 管，往往承担着整机电能变换、负载通断的核心重任。在消费电子小型化、长续航、低成本的行业需求下，双路集成 MOSFET凭借节省 PCB 面积、简化布线、降低寄生损耗的独特优势，逐步成为低压电源管理电路的标配器件。 作为深耕功率半导体领域的本土厂商，杰盛微（JSMSEMI）持续发力沟槽 MOS 工艺
    373
    08/07 08:37
    电源管理 DC-DC
  • JSM4800双 N 沟道增强型 MOSFET
    在笔记本、便携数码、锂电池供电设备的 DC-DC 同步降压方案里，SOP-8 双 N 沟道 MOSFET 一直是电源设计的核心器件。长期以来，行业内大量硬件工程师选用经典 30V 双管方案 AO4800，但供应链波动、交期不稳定、成本持续上涨等问题，不断给量产项目带来交付压力。 为解决行业国产化替代刚需，深圳市杰盛微半导体（JSMSEMI） 基于成熟沟槽 MOS 工艺，全新推出JSM4800双 N
    903
    07/30 14:52
    锂电池 N沟道MOSFET
  • 2026国产传感器“硬核”力量一览
    传感器是物理世界与数字世界之间的第一道桥梁。当人工智能、自动驾驶、具身智能机器人、低空经济等新质生产力加速落地，传感器的角色已从单纯的“感知元件”升级为整个智能系统的“数据入口”。
    656
    07/22 10:28
    传感器
    2026国产传感器“硬核”力量一览
  • JSM2N65D 650V N 沟道 MOSFET
    在电力电子技术飞速发展的今天，高频开关电源、有源功率因数校正电路已经成为工业设备、智能家居、安防、照明等领域的核心组成部分。市场对电源产品的转换效率、运行稳定性、体积尺寸、使用寿命提出了越来越严苛的要求。 作为电路中的核心功率器件，高压 MOSFET 的性能直接决定了整台设备的综合表现。杰盛微（JSMSEMI）专注功率半导体研发与生产，深耕中小功率电源赛道多年，凭借成熟的工艺技术与严格的品控体系，
    544
    06/14 08:56
    N沟道MOSFET

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