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杰盛微半导体JSMSEMI

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深圳市杰盛微半导体有限公司
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SMSEMI杰盛微研发生产霍尔磁性传感器SOC芯片、驱动IC、电源管理芯片、MOSFETS场效应、二三极管、晶体管、单双三四象可控硅等产品。为消费类，工业类，汽车级客户提供技术解决方案，诚招代理商，期待您的加盟！杨女士13824341110 收起 展开全部

产业链 半导体元器件 收起 展开全部

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  • JSM50P03D P 沟道 MOSFET
    在电源转换、负载开关、电池保护等电路设计场景中，MOS 管作为核心功率器件，其导通损耗、耐压能力、开关特性直接决定整机的稳定性与使用寿命。面对当下电子产品小型化、高可靠、降本增效的行业需求，国产功率半导体持续发力，不断推出可替代进口方案的优质器件。 杰盛微深耕功率 MOSFET 研发与生产，聚焦消费电子、工控、储能周边等应用领域，推出JSM50P03D P 沟道 MOSFET，凭借优异的电气参数、
    18
    22小时前
    MOSFET
  • JSM9958 高密度沟槽双 P‑channel MOSFET
    在消费电子、工业小功率电源设计中，双 P 沟道 MOSFET是电源路径管理、负载开关、电池保护电路的核心器件。SOP‑8 封装内置两路独立 P‑MOS，单颗器件实现双路电源控制，既简化 PCB 布局，又能够根据需求并联扩流，长期以来是硬件工程师常用的经典器件方案。 但在实际项目推进过程中，不少研发与采购团队会遇到老牌进口型号交期长、供货不稳定、成本持续上涨等现实难题。寻找引脚完全兼容、性能指标对标
    77
    10/17 11:17
    MOSFET
  • JSM4805 ‑30V 双 P 沟道增强型 MOSFET
    在电源管理硬件设计中，双 P 沟道 MOSFET 广泛用于负载开关、POL 负载点电源、LED 驱动等电路，是消费电子、工业控制设备里非常核心的功率器件。面对供应链波动、交期不稳定、成本压力等行业普遍痛点，国产器件的引脚兼容、参数对标、稳定供货，成为硬件工程师选型时重点考量方向。 杰盛微（JSMSEMI）推出 JSM4805，一款‑30V 双 P 沟道增强型 MOSFET 器件，SOP‑8L 封装
    351
    09/30 09:52
    MOSFET
  • JSM4803 双 P 沟道增强型 MOSFET
    在笔记本、便携数码、锂电池供电类产品的电源链路设计中，双 P 沟道 MOSFET 是高边开关、负载控制、电池保护电路的核心器件。长期以来，经典双 P 沟道型号被大量设计广泛引用，但供应链波动、交期压力、成本管控，一直是硬件工程师与采购团队需要面对的现实难题。 作为专注功率半导体研发制造的国产高新技术企业，杰盛微（JSMSEMI） 推出 JSM4803 双 P 沟道增强型 MOSFET。该器件采用
    376
    09/29 09:50
    MOSFET
  • JSM4953，一款 SOP‑8 封装双 P 沟道增强型 MOSFET
    在电子产品硬件设计当中，电源开关器件的选型，直接关系整机的效率、发热、稳定性以及 PCB 布局空间。很多工程师在多路负载开关设计时，常常面临器件数量多、布板拥挤、物料种类繁杂、一致性难把控等现实痛点。如果可以把两路功率 MOSFET 集成到一颗标准 SOP‑8 封装芯片内部，既能缩减元器件数量，又保障两路通道性能高度一致，无疑会给硬件开发带来极大便利。 今天就为大家带来杰盛微（JSMSEMI）JS
    400
    09/26 16:29
  • JSM4459 P 沟道增强型功率 MOSFET
    随着消费电子、智能家居、便携设备市场持续迭代，电源管理的可靠性、小型化、低损耗，已经成为硬件设计不可忽视的核心指标。在各类电池供电设备、板级电源通路控制当中，P 沟道 MOSFET凭借高端驱动电路简单、外围器件少的独特优势，被大量应用在负载开关、电池保护、防反接、PWM 调制等电路当中。 在国产功率半导体快速崛起的浪潮下，杰盛微（JSMSEMI）持续深耕沟槽工艺 MOSFET 赛道，推出 JSM4
    431
    09/24 14:11
    MOSFET
  • JSM4441 SOP‑8 封装 P 沟道增强型功率 MOSFET
    在电源开关、DC‑DC 变换、电机驱动、UPS 不间断电源等电路设计中，P 沟道 MOSFET 作为电源路径控制的核心器件，直接影响整机的转换效率、稳定性与可靠性。长期以来，很多硬件工程师习惯选用海外经典型号做项目开发，但供应链交期波动、采购成本压力，让越来越多研发团队开始寻找 Pin‑to‑Pin 兼容、性能对标、供货稳定的国产器件方案。 今天为大家带来杰盛微（JSMSEMI）自主研发推出的JS
    275
    09/23 10:03
    MOSFET
  • JSM4485，SOP‑8 封装‑40V 增强型 P‑MOS
    高侧电源开关是硬件设计里十分常见的电路，P 沟道 MOSFET 凭借接线简单的优势被大量使用，但低压驱动发热、浪涌损坏、器件替代难等问题一直困扰研发工程师。杰盛微 JSM4485，SOP‑8 封装‑40V 增强型 P‑MOS，兼顾大电流、低导通电阻与 4.5V 逻辑电平驱动，为显示电源、消费电子带来高可靠性国产解决方案。 一、高侧开关设计，为什么 P‑MOS 选型总踩坑？ 在电子产品电源设计中，电
    330
    09/22 08:58
    封装
  • JSM4435，一款 SOP‑8 封装‑30V 增强型 P‑Channel MOSFET
    在电池供电、负载开关、电源路径管理的电路设计中，一颗性能均衡、稳定性强的 P 沟道 MOSFET，往往决定整套设备的效率、发热与安全。今天带大家深度解读杰盛微半导体（JSMSEMI）JSM4435，一款 SOP‑8 封装‑30V 增强型 P‑Channel MOSFET，看看它如何解决工程师实际开发中的诸多痛点。 电子设备的内部世界，遍布无数微小的功率半导体器件。MOSFET 作为电压控制型开关，
    297
    09/18 15:07
    传感器
  • JSM4409 ‑30V P‑Channel 增强型 MOSFET
    在笔记本电脑、便携数码设备、锂电池供电产品当中，高端开关（High‑Side Switch）是电源链路中不可或缺的一环。P‑沟道 MOSFET 凭借源极接电源正极、控制逻辑简单的优势，被大量用于电池通路通断、负载电源管理、反接保护等电路当中。但很多硬件工程师在实际项目选型时，常常会遇到不少现实难题：相同 SOP‑8 封装器件导通电阻偏高，整机满载发热严重；逻辑电平驱动下电流能力大打折扣；瞬态冲击下
    310
    09/15 18:17
    传感器
  • JSM5P04 P 沟道增强型 MOSFET
    在硬件设计领域，电源通路的可靠性直接决定一款产品的最终体验。尤其当下消费电子、便携设备、小型工业模组不断朝着小型化、轻量化方向迭代，PCB 板上每一寸空间都弥足珍贵。 对于硬件工程师来说，在进行电源开关选型时常常陷入两难境地：大电流 MOSFET 性能出众，但封装体积偏大，挤占宝贵布板空间；SOT‑23 这类微型贴片器件虽然体积小巧，却普遍存在导通电阻偏大、驱动门槛高、电流能力不足等短板。既要兼顾
    187
    09/11 10:47
    MOSFET
  • JSM3404，一款 30V N 沟道增强型沟槽 MOSFET
    在消费电子、工业电源设备不断朝着小型化、高功率密度、高效率方向迭代的当下，SOT‑23 这种经典小贴片封装，依旧是硬件工程师方案选型里无法绕开的选择。很多工程师在项目开发中经常遇到现实难题：小体积贴片 MOS 管标称电流好看，实际带载就严重发热；MCU 仅 4.5V 驱动电平下 MOS 管导通效果差；感性负载冲击容易造成器件损坏；同时还面临进口器件交期波动、成本压力大等多重困扰。 针对低压大电流贴
    616
    09/09 15:22
    N沟道MOSFET
  • JSM2305 TO‑252 P‑沟道 MOSFET
    电子设备的功率链路中，MOSFET 承担着电能开关、负载保护、电源转换的核心任务。随着各类大功率消费设备、工业电源、电机控制产品迭代，硬件工程师对 P‑沟道 MOSFET 提出了更高的要求：大电流承载能力、极低导通损耗、优异散热能力、稳定开关特性，同时兼顾器件可靠性与国产化供货保障。 很多工程师在选型 P‑MOS 的时候经常遇到痛点：同等封装器件导通电阻偏大，满载工作发热严重；高温环境下持续电流大
    462
    09/07 17:50
    MOSFET
  • JSM2301A ‑20V P 沟道增强型 MOSFET
    在消费电子、工控小功率电源领域，SOT‑23‑3 封装的 20V P 沟道 MOSFET 是电源路径管理、负载开关、电机驱动里的 “常客”。市场上传统通用型号供货波动、交期不稳定、成本压力上涨，很多硬件工程师都在寻找可以直接兼容、无需改板的国产替换器件。 杰盛微半导体（JSMSEMI）推出JSM2301A，‑20V P 沟道增强型 MOSFET，引脚、封装、电气参数完全对标经典 AO2301A，S
    598
    09/04 11:38
    MOSFET
  • JSM130N06Q5 N 沟道沟槽 MOSFET
    在电源、电机驱动、电池管理等功率类硬件开发中，MOSFET 作为电能开关的核心器件，直接决定整机的转换效率、温升表现、功率密度以及长期运行可靠性。随着设备不断向小型化、大功率方向迭代，工程师常常面临一组矛盾：既要器件体积小巧，满足 PCB 高密度布局；又要实现大电流承载、极低导通损耗，同时兼顾开关性能与散热能力。很多传统器件很难同时兼顾以上需求。 作为深耕功率分立器件研发制造的本土厂商，杰盛微（J
    232
    09/01 17:33
    N沟道MOSFET
  • JSM150N06Q5 N 沟道快速开关 MOSFET
    在消费电源、电动工具、机器人、BMS 电池管理等功率硬件的开发过程中，MOSFET 作为电能变换的 “开关心脏”，直接决定整机的转换效率、温升表现、功率密度以及长期运行可靠性。当下电子产品持续向着小型化、大功率化方向迭代，工程师经常会遇到现实矛盾：既要 PCB 布局紧凑，缩减产品体积；又要承载大电流、压低导通损耗，同时兼顾开关速度与散热性能。传统封装器件往往很难把以上需求全部兼顾。 立足于国内功率
    465
    08/31 19:24
    元器件
  • JSM180N04Q N 沟道增强型 SGT MOSFET
    在电源系统向高功率密度、小型化快速迭代的今天，低压大电流 MOSFET 是电力电子设备的核心基石。面对 UPS、DC‑DC 变换器等设备的严苛需求，国产功率半导体厂商杰盛微（JSMSEMI）推出 JSM180N04Q N 沟道增强型 SGT MOSFET，以 PDFN5060‑8L 紧凑贴片封装，实现 40V 耐压、180A 大电流与毫欧级导通电阻，为硬件工程师提供高可靠的国产化器件选型参考。 电
    942
    08/27 19:21
    封装 工艺技术
  • JSM140N04Q N 沟道增强型 MOSFET
    随着工业电源、大功率 DC‑DC 变换系统持续向小型化、高功率密度、高效率迭代，硬件工程师经常会遇到一系列现实开发困境：既要在有限 PCB 面积内承载百安培级大电流，又要控制整机温升；MCU / 电源芯片仅 4.5V 低压驱动时 MOS 导通能力不足；感性负载带来的浪涌冲击容易造成器件失效；传统插件封装体积过大，无法满足紧凑型设备布局需求。 在国产化替代持续推进的行业背景下，本土功率半导体厂商杰盛
    365
    08/26 18:28
    传感器 大电流
  • JSM120N04Q5 N 沟道增强型 MOSFET
    电源系统朝着小型化、高功率密度方向快速迭代，如何在有限 PCB 空间内实现大电流承载、低发热损耗与高可靠性，是众多硬件工程师共同面对的设计难题。杰盛微（JSMSEMI）JSM120N04Q5 N 沟道增强型 MOSFET，以 DFN5060‑8L 紧凑型封装，集合 40V 耐压、120A 大电流、超低导通电阻、完整可靠性验证，为工业 DC‑DC 转换器电源管理场景提供优质国产器件选型方案。 在工业
    395
    08/25 23:42
    MOS 电源系统
  • （JSMSEMI）推出 JSM70N04Q，一款 40V N 沟道 SGT MOSFET
    在电子产品不断走向小型化、高功率密度的今天，功率 MOSFET 作为电路里的 “电子阀门”，直接决定电源转换效率、整机温升与产品可靠性。很多硬件工程师经常面临两难困境：既要器件承载大电流，又要压缩 PCB 布板面积；既要压低导通损耗，又要保障优秀的开关性能，普通沟槽 MOS 很难同时兼顾多重需求。 SGT 屏蔽栅沟槽工艺的出现，很好破解了这一行业矛盾。作为深耕中低压功率器件赛道的本土厂商，杰盛微（
    788
    08/24 21:59
    电力 高功率密度

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