嵌入式闪存_嵌入式闪存是什么意思

铠侠宣布开始出货UFS 5.0嵌入式闪存商业样品，标志着该标准的产品化进程已进入量产前的最后验证阶段。三星电子和铠侠分别推出了各自的UFS 5.0解决方案，而美光则宣布停止移动端NAND闪存研发，转向企业级AI存储。UFS 5.0在标准制定时从带宽、随机响应、功耗控制等多个维度同步推进，力求在提升峰值性能的同时不牺牲实际使用中的稳定性和续航表现。三星和铠侠的量产时间均集中在2026年第四季度及年底，预计2027年后市场渗透会逐步扩大。

全球半导体观察

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08/03 09:26

UFS 嵌入式闪存

扫地机器人存储方案选型：SD NAND、TF 卡与 eMMC 怎么选

SLAM 激光导航、AI 避障、多楼层地图存储、清扫日志、OTA 固件包，现代扫地机器人对本地存储的依赖度持续提升。户型地图、虚拟墙分区、定时清扫参数需要长期稳定保存，设备每日反复启停、持续震动、高低温交替、随机断电的使用环境，对存储介质的抗震、擦写寿命、数据防护能力提出硬性要求。不少硬件研发、采购人员仅依据物料单价选型，忽视场景适配性，后期频繁出现地图丢失、开机重建图、存储提前老化、售后故障率飙

MK米客方德

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07/21 09:30

嵌入式闪存

含嵌入式闪存（eFlash）IP的Chiplet技术

本文重点分析关于 “含嵌入式闪存（eFlash）IP 的芯粒（Chiplet）” 的报告，核心围绕 SST SuperFlash® 技术、芯粒实现方案及应用展开。

智能计算芯世界

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2025/11/15

chiplet 嵌入式闪存

X-FAB推出基于其110nm车规BCD-on-SOI技术的嵌入式数据存储解决方案

全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）宣布一项非易失性存储领域的重大创新。该创新利用X-FAB同类最佳的SONOS技术：基于其高压BCD-on-SOI XT011这一110nm工艺节点平台，X-FAB可为客户提供符合AECQ100 Grade-0标准的32kByte容量嵌入式闪存IP，并配备额外的4Kbit EEPROM。此外，从2

与非网编辑

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2024/12/05

EEPROM X-FAB

X-FAB推出基于其110nm车规BCD-on-SOI技术的嵌入式数据存储解决方案

格芯和 Microchip 宣布Microchip 28纳米SuperFlash® 嵌入式闪存

格芯（GlobalFoundries）与Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）及其旗下子公司Silicon Storage Technology® （SST®）今日宣布，采用 GF 28SLPe 制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技术NVM 解决方案即将投产。

与非网编辑

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2023/09/28

格罗方德嵌入式闪存

格芯和 Microchip 宣布Microchip 28纳米SuperFlash® 嵌入式闪存

嵌入式闪存

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