第三代半导体材料

• 氮化硅基板进入黄金周期：70μm超薄量产突破，AI+SiC双轮驱动国产替代提速

  【导语】 2026年，第三代半导体封装基材赛道迎来关键拐点。氮化硅（Si₃N₄）陶瓷基板在超薄化烧结工艺上取得突破性进展，70μm级产品实现量产，一举打破长期以来0.1mm的量产厚度瓶颈。与此同时，AI算力基础设施与新能源汽车800V高压平台两大市场红利叠加释放，氮化硅基板正式进入需求高速扩张期。在海外产能紧张、交付周期拉长的背景下，产业链自主可控需求持续上升，国产高性能氮化硅基板量产方案正加速落

  福建华清电子材料科技有限公司

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  08/24 12:36

  SiC AI算力
• 【化合物半导体】英飞凌与英诺赛科的增量市场争夺

  在全球功率半导体向第三代材料迭代的过程中，英飞凌和英诺赛科展开了一场激烈的专利战。英飞凌作为全能巨头，凭借系统级生态稳守基本盘，而英诺赛科则以极致产能与性价比优势挑战行业现状。两者在技术能力、应用市场、商业模式等方面各有侧重，争夺高利润增量市场。英飞凌通过战略性防御，争取时间窗口，巩固高端市场地位；英诺赛科则依靠产能规模、技术响应能力和市场嵌入，力争在成本敏感市场称王。

  半导体产业研究

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  05/18 11:26

  功率半导体 英诺赛科

  
• 软钎料和硬钎料的区别

  软钎料和硬钎料是钎焊工艺中两类核心材料，它们的区别主要体现在熔点、成分、性能、应用场景及工艺要求等方面。 熔点与分类标准 软钎料的熔点低于450℃，而硬钎料的熔点高于450℃。例如，常见的锡铅合金软钎料熔点仅为183℃，而银基硬钎料的熔点范围在600-970℃之间。这种分类并非绝对，但450℃已成为行业通用的分界线，用于区分两类材料在工艺和应用上的差异。 成分体系 软钎料以锡、铅、铋、铟等低熔点金

  余味_9deeac

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  2025/08/15

  第三代半导体材料
• 12英寸氮化镓，新辅助？

  第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。

  全球半导体观察

  831

  2024/09/11

  GaN 氮化镓
• 第三代半导体材料并非弯道超车，炒作之嫌需避免

  目前，本土晶圆大厂与台积电在技术水平上的差距是非常明显的。

  铁君

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  2020/09/14

  台积电 GaN
• 从射频角度看砷化镓，国产当自强

  砷化镓，不尴不尬？

  步日欣

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  2020/06/01

  射频 砷化镓
• 加速半导体产业布局，康佳拟亿元参设基金开跑

  智造浪潮正在兴起，半导体集成电路作为消费电子产品最核心的部件，市场需求强劲，为康佳半导体业务带来极大机遇。

  AI芯天下

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  2020/03/11

  半导体 芯片
• OPPO小米相继点燃GaN充电器市场，GaN充电器或成手机厂商新宠

  去年 10 月，OPPO Reno Ace 正式发布，标配 65W 超级闪充 GaN 充电器。

  拓墣产业研究

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  2020/02/18

  GaN 小米
• 趣科技 | 第三代半导体材料：初出茅庐却要把前辈全面取代

  第一代半导体材料是元素半导体的天下，而第二、三代半导体材料便成化合物的天下，这其中经历了什么故事？而我国憋足大招准备在第三半导体材料方面弯道超车是否现实？本期《趣科技》就来讲讲半导体材料的故事，从第一、二代走过，第三代半导体材料将讲述怎样的故事。

  赵碧莹

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  2016/11/30

  SiC GaN
• 第三代半导体产业联盟诞生，咱们一起“变道超车”

  9月9日下午，在国家科技部、工信部、北京市科委的支持下，由第三代半导体相关科研机构、大专院校、龙头企业自愿发起筹建的“第三代半导体产业技术创新战略联盟”（简称“联盟”）正式成立。

  与非网记者

  2015/09/10

  SiC 半导体产业
• 第三代半导体碳化硅衬底分类_技术指标_生长工艺_产业链_下游应用等解析

  1、第三代半导体特性 (1)碳化硅 根据《中国战略性新兴产业：新材料(第三代半导体材料)》，与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性: ①耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。 ②耐高温：半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效。禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3

  老虎说芯

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  2025/01/15

  碳化硅 第三代半导体

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