3D NAND_3D NAND资讯

最近，铠侠首席技术官 (CTO) Hidefumi Miyajima表示，计划将在2031年批量生产超过 1,000 层的 3D NAND 存储器。不少人感叹，NAND终究是卷到了1000层。其实，在去年的IEEE论坛上，三星也提出了类似的观点，预测到2030年将出现1000层NAND。1000层NAND，是“勇者”的游戏。

半导体产业纵横

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04/23 09:30

NAND 3D NAND

闪存大会上几个好消息

每年春天，半导体产业最让人期待的盛会莫过于闪存大会和SEMICON。今天来聊聊闪存大会（CFMS | MemoryS 2024）。3月20日，2024年闪存大会在深圳前海举行，大会汇集了全球三大存储原厂以及众多产业链企业。据主办方透露，今年大会总参与企业超过1500家，预计到场人数超过4000人。

芯师爷

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03/25 08:40

闪存 3D NAND

千亿美元蛋糕！3D DRAM分食之战悄然开局

从目前公开的DRAM（内存）技术来看，业界认为，3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一，是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？

全球半导体观察

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01/31 16:22

dram 内存

使用SEMulator3D进行虚拟工艺故障排除和研究

SEMulator3D 工艺建模在开发早期识别工艺和设计问题，减少了开发延迟、晶圆制造成本和上市时间现代半导体工艺极其复杂，包含成百上千个互相影响的独立工艺步骤。在开发这些工艺步骤时，上游和下游的工艺模块之间常出现不可预期的障碍，造成开发周期延长和成本增加。本文中，我们将讨论如何使用 SEMulator3D®中的实验设计 (DOE) 功能来解决这一问题。在 3D NAND 存储器件的制造中，有

与非网编辑

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01/29 17:04

3D NAND 氮化硅

长江存储“亮剑”：在美起诉美光侵犯其8项3D NAND专利！

长江存储在起诉书中称，美光的128层、176层等诸多系列3D NAND侵犯了长江存储上诉8项专利。美光在未经授权的情况下利用长江存储的专利技术来与长江存储进行竞争，保护其市场份额，侵犯了长江存储的利益，遏制了其创新的动力。

芯智讯

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2023/11/13

3D NAND

3D NAND还是卷到了300层

近日，三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，据爆料，这款闪存将采用双层堆栈架构，并超过 300 层。同样在8月，SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。早在5月份，据欧洲电子新闻网报道，西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现8平面3D NAND设备以及超过300字线的3D NAND IC。3D NAND终究还是卷到了300层……

半导体产业纵横

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2023/08/30

NAND 3D NAND

长存被制裁一年后，三星、SK海力士宣布3D NAND将迈入300层！

2022年，美光、SK海力士、三星等相继量产了232层3D NAND Flash，但是在美方的制裁之下，长存128层及以上NAND Flash的供应链受到严重阻碍。在此背景之下，这些国际大厂纷纷加速迈向300层，希望能主导未来3D NAND Flash的技术路线。今年8月初，SK海力士公布了其最新的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品。近日三星也被爆出将会在明年推出拥有超过300层堆叠的第9代V-NAND技术，未来的第10代V-NAND技术将可能达到 430层芯片。

芯智讯

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2023/08/22

长江存储 3D NAND

使用新一代高度可调的低介电薄膜来解决串扰、隔离等制造挑战

很少有比半导体制造迭代得更快的行业，这对开发和整合日新月异的生产工艺组合提出了不断挑战。半导体行业一直面临着如3D整合等新问题和像串扰这样持续存在的问题，因而需要工程师们的智慧和创造力确保技术的与时俱进，也需要像SPARC这样的创新设备支持技术的实现，以确保“每条信息都被清楚听到”。

与非网编辑

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2023/08/04

集成电路 3D NAND

背面供电与DRAM、3D NAND三大技术的未来预测

最近有许多正在全球范围内研究和开发的技术，例如晶体管GAA（Gate All around）、背面供电以及3D IC。“VLSI研讨会2023”（VLSI2023）于2023年6月11日至16日在京都丽嘉皇家酒店举行。今年VLSI2023提交的论文数量为273篇，比去年夏威夷举办的232篇多了41篇。这273篇论文是近10年来提交论文数量最多的。录用论文数量达到89篇，创历史新高。然而，录用率只有33%。

半导体产业纵横

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2023/07/27

dram 3D NAND

泛林集团推出全球首个晶圆边缘沉积解决方案以提高芯片良率

近日，泛林集团 (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX产品，这是业界首个晶圆边缘沉积解决方案，旨在更好地应对下一代逻辑、3D NAND和先进封装应用中的关键制造挑战。随着半导体芯片关键尺寸的不断缩小，其制造变得越来越复杂，在硅晶圆上构建纳米级器件需要数百个工艺步骤。仅需一个工艺步骤，Coronus DX 可在晶圆边缘的两侧沉积一层专有的保护膜，有助于防止在先进半导体制造过程中经常

与非网编辑

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2023/06/29

晶圆厂 3D NAND

长江存储或将推迟武汉第二家晶圆厂建设

据消息人士透露，由于采购供应链中断，长江存储可能推迟在武汉的第二家晶圆厂的建设。据南华早报报道，清华大学集成电路学院教授魏少军上周在论坛上赞扬了长江存储的技术创新，但警告说，在美国对向中国出口尖端半导体技术实施制裁后，中国需要将重点转移到成熟的技术开发上。外国芯片专家表示，长江存储实现技术进步和批量生产的能力将受到其无法免费获得美国芯片制造工具和服务的阻碍。研究机构TrendForce也在一

集微网

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2023/01/29

晶圆厂长江存储

复享光学首次提出薄膜神经网络 3D NAND多层薄膜量测获突破

据知名半导体和微电子情报提供商TechInsights报道，长江存储的232层3D NAND闪存X3-9070已经实现量产，领先于三星、美光、SK海力士等厂商，这也是中国品牌在半导体领域首次领先于国际竞争者。中国半导体在先进制程制造上的持续重大突破，给国产量检测设备的发展提出了同样的要求，只有追求全产业链的整体提升，才能真正保持国际领先。复享光学作为国内集成电路核心光谱零部件供应商，配合设备厂商

与非网编辑

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2022/12/06

集成电路神经网络

业界首发，不二选择：美光推出全球首款232层NAND

半导体行业十分有趣，同时也充满挑战。俗话说，“打江山难，守江山更难”，这句话形容半导体行业十分贴切。我们需要顶住重重压力，不断突破物理、化学、制造和创新的极限，以推动逻辑、内存、存储等计算器件的发展。

与非网编辑

3291

2022/08/17

半导体行业美光

高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图

随着市场需求推动存储器技术向更高密度、更优性能、新材料、3D堆栈、高深宽比 (HAR) 刻蚀和极紫外 (EUV) 光刻发展，泛林集团正在探索未来三到五年生产可能面临的挑战，以经济的成本为晶圆厂提供解决方案。