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3D NAND

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3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。

3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。收起

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  • 利基需求升温叠加MLC转单效应，预估2H26 SLC NAND价格将上涨120-170%
    由于高层数3D NAND等高附加价值产品排挤成熟制程产能，MLC NAND供给极度短缺，迫使部分工控、车用和网通客户计划改采用SLC NAND，将导致原已吃紧的SLC供应情况更加紧绷。同时，AI边缘运算、数据中心、汽车电子等对SLC的需求持续提升，供需缺口急剧扩大，预估将推升2026年下半年SLC合约价格较上半年调涨120-170%，不排除有上修空间。 TrendForce集邦咨询表示，MLC合约
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    07/13 14:45
    AI 3D NAND
    利基需求升温叠加MLC转单效应，预估2H26 SLC NAND价格将上涨120-170%
  • 一文了解3D NAND存储芯片发展及工作原理与失效机制
    半导体技术发展趋势概述：ITRS历史：国际技术路线图（ITRS）最初由美国半导体行业协会发布，旨在协调全球半导体技术发展路径。随着摩尔定律放缓，ITRS被更名为IRDS，以反映更多系统级新技术。三大发展方向：延续摩尔：通过优化晶体管结构和材料、光刻技术等方式挖掘传统硅基CMOS技术潜力。扩展摩尔：通过系统级集成和功能多样化提升性能，不再仅依赖晶体管微缩。
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    06/22 08:43
    存储芯片 3D NAND
    一文了解3D NAND存储芯片发展及工作原理与失效机制
  • 上半年合约价涨幅皆破100%，2H26结构性缺货将带动NOR Flash、SLC NAND价格持续上
    由于存储器大厂的产能规划持续倾向HBM、高层数3D NAND等高附加价值产品，挤压NOR Flash、SLC NAND依赖的成熟制程产能，然而因需求稳定，已推动2026上半年NOR Flash、SLC NAND累积合约价涨幅分别突破100%。由于供应商未有大规模扩产计划，预估下半年两项产品的价格将随供需紧张而继续调升。 TrendForce集邦咨询说明，NOR Flash的核心价值为实时执行（XI
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    06/16 14:15
    存储器 NOR Flash
    上半年合约价涨幅皆破100%，2H26结构性缺货将带动NOR Flash、SLC NAND价格持续上
  • 正在演进的BiCS FLASH
    BiCS FLASH是铠侠自主研发的3D NAND闪存技术品牌，也是目前全球主流存储芯片的核心技术路线之一。BiCS的含义可以理解成Bit Cost Scaling，即位成本缩放，核心理念是通过三维垂直堆叠存储单元，在降低每比特存储成本的同时，突破传统2D NAND的物理微缩极限。 在芯片有限的面积内平地起高楼，让铠侠BiCS FLASH创造了许多可能性。如今，第八代BiCS FLASH在行业内广
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    06/15 10:35
    AI CMOS
    正在演进的BiCS FLASH
  • 上市只是开始，中国存储产业踏上新征程
    长鑫科技与长江存储双双冲刺IPO，标志着中国存储产业迈向资本化、规模化发展新阶段。长鑫科技专注DRAM研发，突破技术壁垒，产能稳步提升；长江存储聚焦3D NAND，依托自主创新的Xtacking架构，实现技术突破与市场份额增长。两者协同发展，推动中国存储产业在全球竞争中取得重要进展。
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    05/22 00:41
    dram 3D NAND
  • 价格狂飙，业绩爆发，2026年闪存市场迎来“泼天富贵”
    2026年全球闪存市场受AI驱动步入“超级周期”，价格飙升、业绩暴增，供需失衡加剧。3D NAND堆叠竞赛进入300层+时代，HBF技术崛起，重塑AI推理存储格局。各大存储巨头纷纷加大研发投入和技术布局，共同推动市场迈向全新高度。
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    05/18 14:42
    AI推理 3D NAND
    价格狂飙，业绩爆发，2026年闪存市场迎来“泼天富贵”
  • 1952-2025，闪存发展时间史
    从1952年麻省理工学院的Dudley Buck在其硕士论文中首次提出VNM概念以来，到1984年Flash原型完成，到1987年首颗NOR Flash出货，到1992年首颗NAND Flash出货，到2013年24层3D NAND Flash量产，到2025年321层3D NAND的量产。说明闪存已经成为现代信息社会不可或缺的基石，从物联网设备到手机平板，再到企业级数据中心，闪存已经遍布我们生活的每个角落，影响着每个人的生活。
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    02/13 11:12
    闪存 3D NAND
    1952-2025，闪存发展时间史
  • 产业丨CoP技术遇困境，三星将使用长江存储专利技术
    对于长江存储而言，此次向三星等顶尖存储技术企业授予专利许可，标志着中国存储产业历史上的一个里程碑。深入分析此次合作的背景，可以发现这并非仅仅是[巨头的屈服]，而是一次对技术定义权进行重新分配的重要变革。
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    2025/03/22
    存储技术 3D NAND
    产业丨CoP技术遇困境，三星将使用长江存储专利技术
  • 国芯筑梦 南天门启航 科摩思发布旗舰SSD性能高达7100MB/s
    超盈智能科技蛰伏存储行业13年，专注于产品封测和嵌入式存储解决方案，强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控，产品稳定性得到高度保证。现旗下科摩思品牌首次推出消费类存储固态硬盘赤霄白帝KM7000，搭载PCIe 4.0 NVMe 2.0协议，以高性能和超大容量存储为游戏玩家、内容创作者提供高速存储新体验。 科摩思消费类存储产品研发以问天战甲为理念，从南天门计划构思中研发出赤霄白帝、天河玄女及承
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    2024/07/16
    电源管理 3D NAND
    国芯筑梦 南天门启航 科摩思发布旗舰SSD性能高达7100MB/s
  • 1000层NAND，是“勇者”的游戏
    最近，铠侠首席技术官 (CTO) Hidefumi Miyajima表示，计划将在2031年批量生产超过 1,000 层的 3D NAND 存储器。不少人感叹，NAND终究是卷到了1000层。其实，在去年的IEEE论坛上，三星也提出了类似的观点，预测到2030年将出现1000层NAND。1000层NAND，是“勇者”的游戏。
    1229
    2024/04/23
    NAND 3D NAND
    1000层NAND，是“勇者”的游戏
  • 闪存大会上几个好消息
    每年春天，半导体产业最让人期待的盛会莫过于闪存大会和SEMICON。今天来聊聊闪存大会（CFMS | MemoryS 2024）。3月20日，2024年闪存大会在深圳前海举行，大会汇集了全球三大存储原厂以及众多产业链企业。据主办方透露，今年大会总参与企业超过1500家，预计到场人数超过4000人。
    629
    2024/03/25
    闪存 3D NAND
    闪存大会上几个好消息
  • 千亿美元蛋糕！3D DRAM分食之战悄然开局
    从目前公开的DRAM（内存）技术来看，业界认为，3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一，是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？
    836
    2024/01/31
    dram 内存
    千亿美元蛋糕！3D DRAM分食之战悄然开局
  • 使用SEMulator3D进行虚拟工艺故障排除和研究
    SEMulator3D 工艺建模在开发早期识别工艺和设计问题，减少了开发延迟、晶圆制造成本和上市时间 现代半导体工艺极其复杂，包含成百上千个互相影响的独立工艺步骤。在开发这些工艺步骤时，上游和下游的工艺模块之间常出现不可预期的障碍，造成开发周期延长和成本增加。本文中，我们将讨论如何使用 SEMulator3D®中的实验设计 (DOE) 功能来解决这一问题。 在 3D NAND 存储器件的制造中，有
    728
    2024/01/29
    3D NAND 氮化硅
    使用SEMulator3D进行虚拟工艺故障排除和研究
  • 长江存储“亮剑”：在美起诉美光侵犯其8项3D NAND专利！
    长江存储在起诉书中称，美光的128层、176层等诸多系列3D NAND侵犯了长江存储上诉8项专利。美光在未经授权的情况下利用长江存储的专利技术来与长江存储进行竞争，保护其市场份额，侵犯了长江存储的利益，遏制了其创新的动力。
    692
    2023/11/13
    长江存储 3D NAND
    长江存储“亮剑”：在美起诉美光侵犯其8项3D NAND专利！
  • 3D NAND还是卷到了300层
    近日，三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，据爆料，这款闪存将采用双层堆栈架构，并超过 300 层。同样在8月，SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。早在5月份，据欧洲电子新闻网报道，西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现8平面3D NAND设备以及超过300字线的3D NAND IC。3D NAND终究还是卷到了300层……
    951
    2023/08/30
    NAND 存储市场
    3D NAND还是卷到了300层
  • 长存被制裁一年后，三星、SK海力士宣布3D NAND将迈入300层！
    2022年，美光、SK海力士、三星等相继量产了232层3D NAND Flash，但是在美方的制裁之下，长存128层及以上NAND Flash的供应链受到严重阻碍。在此背景之下，这些国际大厂纷纷加速迈向300层，希望能主导未来3D NAND Flash的技术路线。今年8月初，SK海力士公布了其最新的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品。近日三星也被爆出将会在明年推出拥有超过300层堆叠的第9代V-NAND技术，未来的第10代V-NAND技术将可能达到 430层芯片。
    925
    2023/08/22
    长江存储 3D NAND
    长存被制裁一年后，三星、SK海力士宣布3D NAND将迈入300层！
  • 使用新一代高度可调的低介电薄膜来解决串扰、隔离等制造挑战
    很少有比半导体制造迭代得更快的行业，这对开发和整合日新月异的生产工艺组合提出了不断挑战。半导体行业一直面临着如3D整合等新问题和像串扰这样持续存在的问题，因而需要工程师们的智慧和创造力确保技术的与时俱进，也需要像SPARC这样的创新设备支持技术的实现，以确保“每条信息都被清楚听到”。
    738
    2023/08/04
    集成电路 3D NAND
    使用新一代高度可调的低介电薄膜来解决串扰、隔离等制造挑战
  • 背面供电与DRAM、3D NAND三大技术的未来预测
    最近有许多正在全球范围内研究和开发的技术，例如晶体管GAA（Gate All around）、背面供电以及3D IC。“VLSI研讨会2023”（VLSI2023）于2023年6月11日至16日在京都丽嘉皇家酒店举行。今年VLSI2023提交的论文数量为273篇，比去年夏威夷举办的232篇多了41篇。这273篇论文是近10年来提交论文数量最多的。录用论文数量达到89篇，创历史新高。然而，录用率只有33%。
    1068
    2023/07/27
    dram 3D NAND
    背面供电与DRAM、3D NAND三大技术的未来预测
  • 泛林集团推出全球首个晶圆边缘沉积解决方案以提高芯片良率
    近日，泛林集团 (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX产品，这是业界首个晶圆边缘沉积解决方案，旨在更好地应对下一代逻辑、3D NAND和先进封装应用中的关键制造挑战。随着半导体芯片关键尺寸的不断缩小，其制造变得越来越复杂，在硅晶圆上构建纳米级器件需要数百个工艺步骤。仅需一个工艺步骤，Coronus DX 可在晶圆边缘的两侧沉积一层专有的保护膜，有助于防止在先进半导体制造过程中经常
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    2023/06/29
    晶圆厂 3D NAND
    泛林集团推出全球首个晶圆边缘沉积解决方案以提高芯片良率
  • 长江存储或将推迟武汉第二家晶圆厂建设
    据消息人士透露，由于采购供应链中断，长江存储可能推迟在武汉的第二家晶圆厂的建设。 据南华早报报道，清华大学集成电路学院教授魏少军上周在论坛上赞扬了长江存储的技术创新，但警告说，在美国对向中国出口尖端半导体技术实施制裁后，中国需要将重点转移到成熟的技术开发上。 外国芯片专家表示，长江存储实现技术进步和批量生产的能力将受到其无法免费获得美国芯片制造工具和服务的阻碍。 研究机构TrendForce也在一
    688
    2023/01/29
    晶圆厂 长江存储

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