芯耀
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从1952年麻省理工学院的Dudley Buck在其硕士论文中首次提出VNM概念以来，到1984年Flash原型完成，到1987年首颗NOR Flash出货，到1992年首颗NAND Flash出货，到2013年24层3D NAND Flash量产，到2025年321层3D NAND的量产。说明闪存已经成为现代信息社会不可或缺的基石，从物联网设备到手机平板，再到企业级数据中心，闪存已经遍布我们生活的每个角落，影响着每个人的生活。
从1987年160万美元的年营收，到2025年超过700亿美元的年营收，年均增幅高达130%。
中国军团后发先至，长江存储晶栈®Xtacking成为行业标杆。
编译来源：FMS: the Future of Memory and Storage官网有部分标红内容为编者添加。
1952年
麻省理工学院 (MIT) 的 Dudley Allen Buck 在其硕士论文中首次提出，利用铁电晶体制造半导体非挥发性存储器的概念。
1955年
贝尔实验室(Bell Lab)的Walter J. Merz和Philip Warren Anderson创造了单片256位FRAM，这是第一个单片存储器芯片。
1961年
飞兆半导体(Fairchild)的萨支唐(C. T. "Tom" Sah)设想使用MOS四极管晶体管栅电极上的电荷存储来实现浮栅NVM。
1966年
西屋电气(Westinghouse)的Edgar A. Sack、Ting L. Chu及其他同事使用金属氮化物-硅(Metal-Nitride-Oxide-Silicon, MNOS)结构作为电荷捕获元件。
1967年
贝尔实验室(Bell Lab)的Dawon Kahng和施敏(Simon Sz)发明了非易失性存储器浮栅；这项工作以"浮栅及其在存储器设备中的应用"发表在《贝尔系统技术杂志》。
西屋电气(Westinghouse)的John R. Szedon和Ting L. Chu在IEEE SSDRC(固态设备研究会议)上发表论文《Tunnel inspection and trapping of electrons in Aluminum-Silicon Nitride-Silicon Sioxide-Silicon (MNOS) capacitors》提出使用电荷捕获制造非易失性存储器的概念。
1968年
Stanford R. Ovshinsky宣布了双向存储开关，这是英特尔和美光在2015年宣布的3D XPoint内存的基础，后来英特尔将其产品化为Optane。
1969年
伯克利大学(UC Berkeley)的Dov Frohman-Bentchkowsky博士论文《MNOS结构中的电荷传输和捕获及其存储器应用Charge Transport and Storage in Metal-Nitride-Oxide-Silicon (MNOS) Structures and Its Memory Applications》中建立了一个9位的原型。
1970年
英特尔(Intel)的Dov Frohman-Bentchkowsky发明了可擦除可编程只读存储器(EPROM)。
英特尔(Intel)的Gordon Moore与Stanford R. Ovshinsky合作后，为《电子杂志》撰写了一篇关于相变存储器的首次演示的文章。
1971年
英特尔(Intel)的Dov Frohman Bentchkowsky在ISSCC发表了《A fully-decoded 2048-bit electrically-programmable MOS ROM一种全解码2048位电可编程MOS ROM》，描述了其在1970年发明的EPROM；他在《应用物理快报Applied Physics Letters》上发表的《Memory Behavior in a Floating-Gate Avalanche-Injection MOS (FAMOS) Structure浮栅雪崩注入MOS(FAMOS)结构中的存储行为》论文引用了1967年贝尔实验室的浮栅概念。
1972年
东芝(Toshiba)的H. Iizuka和Fujio Masuoka等人在国际固态设备和材料会议上介绍了第一个具有浮栅电擦除功能的双层多晶硅存储器，即堆叠雪崩注入型MOS(Stacked-Gate Avalanche-Injection Type MOS, SAMOS)存储器。
1974年
通用仪器(General Instrument)出货的EAROM是第一个商业EEPROM。
1975年
日立(Hitachi)为NAND型MROM申请专利，并在ESSCIRC发表论文"Minimum Size ROM Structure Compatible to Silicon Gate E/D MOS LSI"。
伊士曼柯达(Eastman Kodak)应用电子研究中心的Steven J.Sasson发明了便携式数码相机，在磁带上存储数字图像。原型机名称为"手持电子照相机",宽20.9厘米，厚15.2厘米，高22.5厘米），重3.9 千克，拍摄的时候需要16节AA电池供应电力，而存储介质则采用了标准300英尺的飞利浦数码磁带。
1976年
休斯微电子(Hughes Microelectronics)的Eli Harari为首个实用的浮栅EEPROM申请专利，该EEPROM使用薄二氧化硅和隧道效应进行编程和擦除。
1977年
休斯微电子(Hughes Microelectronics)的Eli Harari在《应用物理快报Applied Physics Letters》发表了《Conduction and Trapping of Electrons in Highly Stressed Thin Films of Thermal SiO2热硅氧烷高应力薄膜中的电子传导和捕获》。
飞兆半导体(Fairchild)的P. C. Y Chen在IEEE Transactions on Electron Devices发表《Threshold-alterable Si-gate MOS devices》论文，介绍了SONOS电荷捕获NVM单元。
德州仪器(Texas Instruments, TI)的Gerald Rogers获得专利，其掩膜ROM被配置为NAND阵列以减少芯片面积和成本。
1978年
休斯微电子(Hughes Microelectronics)的Eli Harari在《Journal of Applied Physics》发表了"Dielectric Breakdown in Electrically Stressed Thin Films of Thermal SiO2热SiO2电应力薄膜的介电击穿"。
美光(Micron)由Ward Parkinson, along with his brother Joe Parkinson, Dennis Wilson和Doug Pitman共同成立。
休斯微电子(Hughes Microelectronics)在ISSCC上发表论文《A 256-bit nonvolatile static RAM》，介绍第一个采用隧道效应浮栅EEPROM的CMOS NOVRAM 256位芯片(非挥发性SRAM)。
英特尔(Intel)的George Perlegos设计的2816成为第一个商业上成功的EEPROM。
1979年
德州仪器(Texas Instruments, TI)的D.C. Guterman、I.H. Rimawi、Te-Long Chiu、R.D. Halvorson、D.J. McElroy在IEEE Transactions on Electron Devices杂志发表了题为"使用浮栅结构的电可改变的NVM单元An electrically alterable nonvolatile memory cell using a floating-gate structure"的论文。
日立(Hitachi)在ISSCC上发表论文《A 16Kb electrically erasable programmable ROM》，描述了使用硅栅MNOS电荷捕获技术的16K EEPROM。
1980年
休斯微电子(Hughes Microelectronics)推出3108，第一个采用Fowler Nordheim tunneling技术的CMOS EEPROM 8Kb芯片。
英特尔(Intel)在ISSCC上推出了2816，这是一款16Kb的HMOS EEPROM，采用了Fowler-Nordheim隧道的FLOTX(浮栅隧道氧化物)结构。
富士通(Fujitsu)针对1975年发明的MROM的改进进行申请专利。
1981年
英国科学家和发明家Kane Krame设计了第一个基于磁记忆芯片的数字音频播放器IXI，应该可以算做后来iPod的雏形。
1982年
SEEQ技术公司推出了5213，第一款带有片上电荷泵的EEPROM，用于系统内的写入和擦除，这是所有闪存器件中使用的一项发明。
Ramtron推出首款商用FRAM。
1983年
英特尔(Intel)推出了2817A，16Kb EEPROM。
1984年
东芝(Toshiba)的Fujio Masuoka在IEDM上发表了第一篇描述闪存EEPROM的论文。
英特尔(Intel)开始闪存工艺开发。
安特梅尔(ATMEL)由George Perlegos创立。
Exel申请第一个NOR FLASH单元专利。
1985年
NEC的Yoshishige Kitamura在日本申请首个MLC EPROM专利。
1986年
英特尔(Intel)推出的带有ECC和卡上控制器的闪存卡概念。
英特尔(Intel)成立固态硬盘部门。
RCA的R. G. Stewart在VLSI Technology上发表第一篇关于NAND配置的UV-EPROM的论文《A High Density EPROM Cell, and Array》。
1987年
东芝(Toshiba)的Fujio Masuoka在IEDM发表关于NAND闪存的论文《New ultra high density EPROM and flash EEPROM with NAND structure cell》。
英特尔(Intel)推出了NOR闪存芯片。
1988年
使用150毫米的晶圆。
Sundisk(闪迪)由Eli Harari、Sanjay Mehrotra和Jack Yuan创立，开发新的"系统闪存"架构，将嵌入式控制器、固件和闪存结合起来，模拟磁盘存储，并申请第一个MLC(多级单元)闪存专利。
英特尔(Intel)的设计团队Richard Pashlet, Stefan Lai, Bruce McCormic和Niles Kynett制作出第一个闪存1Mb NOR芯片样品。
英特尔(Intel)和Psion设计基于flash的移动PC。
富士(Fuji)展示第一台基于闪存的数码相机DS-1P。
1989年
闪迪(SunDisk)为"系统闪存"申请专利，描述了片上单元管理，，结合嵌入式控制器、固件和闪存来模拟磁盘存储。
M-Systems由Dov Moran和Aryeh Mergi创立，并引入了闪存盘概念(闪存SSD的前身)。
英特尔(Intel)提供512Kb和1Mb的NOR闪存。
Psion推出基于闪存的移动PC。
微软(Microsoft)与英特尔(Intel)联合推出Flash文件系统。
DigiPro在Comdex上推出8MB NOR闪存盘。
西部数据(WDC, Wester Digital)和闪迪(SunDisk)的先驱基于NOR的SSD完全模拟ATA HDD。
Silicon Storage Technology(SST)公司成立，生产与CMOS逻辑工艺兼容的NOR超级闪存。
PC存储卡国际协会(PCMCIA)成立。
1990年
索尼(Sony)推出了使用闪存的EReader。
柯达(Kodak)展示基于闪存的相机原型。
英特尔(Intel)的1MB和4MB线性闪存PCMCIA卡问世。
英特尔(Intel)推出2Mb NOR芯片。
东芝(Toshiba)验证了NAND闪存原型设计，并开始4Mb和16Mb NAND闪存芯片的开发。
PCMCIA为ATA PC卡的形式因素和引脚设置了标准，使用SunDisk的"系统闪存"规范以实现对硬盘的完全兼容。
1991年
东芝(Toshiba)发布全球首个4Mb NAND闪存。
闪迪(SunDisk)推出首款NOR闪存固态硬盘，容量为20MB，尺寸为2.5英寸，完全兼容conner外围的2.5"ATA硬盘。
柯达(Kodak)推出第一台数码相机DCS-100，售价13000美元。
Spring Comdex上展示的使用闪存卡的Zenith、Poqet和惠普掌上型笔记本电脑。
1992年
东芝(Toshiba)大规模生产的NAND闪存芯片(4Mb)。
超微半导体(AMD)推出首款NOR产品。
富士通(Fujitsu)推出首款NOR产品。
M-Systems推出了TrueFSS，第一个闪存卡FTL，后来被PCMCIA采用。
英特尔(Intel)推出第二代FFS2。
英特尔(Intel)推出了8Mb NOR闪存芯片和4MB-20MB的线性闪存卡。
英特尔(Intel)推出了1Mb的"引导块"NOR闪存，其中有用于BIOS应用的扇区--首次使用内部写状态机来管理闪存写入算法。
闪迪(SunDisk)推出首个用于SSD应用的串行9Mb NOR闪存芯片。
PC开始使用闪存进行BIOS存储。
联合图像专家组(Joint Photographic Experts Group)发布了JPEG标准，使数码相机能够使用闪存等介质存储压缩照片。
信息存储设备推出基于闪存的录音芯片。
1993年
东芝(Toshiba)出货的16Mb NAND闪存芯片，通过第一批PCMCIA卡实现了便携式存储。
苹果(Apple)推出基于NOR闪存的Newton PDA。
英特尔(Intel)推出16Mb和32Mb NOR闪存。
英特尔(Intel)和Conner Peripherals推出联合开发的5MB/10MB ATA闪存盘驱动器。
超微半导体(AMD)推出使用负栅极擦除的5V NOR。
Datalight推出了"Card Trick"闪存管理软件。
1994年
宣布采用500纳米工艺节点。
闪迪(SunDisk)推出CF(CompactFlash)存储卡。
Norris Communications推出了Flashback，这是第一款带有闪存的便携式数字录音机。
闪迪(SunDisk)推出用于SSD应用的18Mb串行NOR闪存芯片。
M-Systems推出了基于NOR的DiskOnChip。
1995年
三菱(Mitsubishi)推出DiNOR闪存，具有NAND的高度可集成性，又具有NOR的高速随机存取性。
闪迪(SunDisk)将名称改为SanDisk，并在同年在纳斯达克上市；和西门子共同研发出 MP3播放器。
卡西欧(Casio)推出QV-11数码相机，使用闪存而不是胶片或软盘。
紧凑型闪存协会(CompactFlash Association, CFA)成立。
1996年
宣布采用350纳米工艺节点。
三星(Samsung)开始出货NAND闪存。
东芝(Toshiba)推出SmartMedia存储卡(也叫固态软盘卡)。
柯达(Kodak)推出第一台带有CompactFlash卡的数码相机DC-25。
Datalight推出了"FlashFX"闪存管理软件，该软件在单个驱动器中支持NOR和NAND。
闪迪(SanDisk)推出了采用MLC串行NOR技术的第一张CF存储卡(80Mb)。。
Palm推出基于闪存的PDA。
Lexar Media从Cirrus Logic分拆出来。
USB协会(USBA)成立。
1997年
使用200毫米的晶圆。
安特梅尔(Atmel)推出了基于SPI NOR和8引脚接口的DataFlash，从而广泛应用于消费品。
英特尔(Intel)推出64Mb MLC StrataFlash芯片。
M-Systems推出了基于NAND的DiskOnChip。
闪迪(SanDisk)和西门子(Siemens)推出的多媒体卡(MMC)，符合移动存储的需要。
SaeHan Information Systems推出基于flash的MPMan MP3播放器。
闪迪(SanDisk)和西门子(Siemens)推出多媒体卡(MMC和MMCplus)。
闪迪(SanDisk)开始从NOR闪存向NAND闪存过渡。
闪迪(SanDisk)开始在其CompactFlash(CF)卡中使用256Mb MLC闪存芯片。
索尼(Sony)推出记忆棒。
首批带有闪存的手机上市。
1998年
宣布采用250纳米工艺节点
苹果(Apple)iMac推出时没有软盘，但有USB，鼓励基于USB的外部存储。
Diamond Rio推出PMP300 MP3播放器。
SaeHan Information Systems和被许可公司Eiger推出了第一款大规模生产的32MB的MP3播放器(MPMan)。
USB实施论坛首次发布了USB大容量存储类规范(1999年定稿)，以规范USB存储。
多媒体卡协会由14家公司成立。
1999年
美光(Micron)宣布推出NOR产品。
松下(Panasonic、Matsushit)、闪迪(SanDisk)和东芝(Toshiba)推出SD存储卡。
东芝(Toshiba)和闪迪(SanDisk)成立闪存制造合资企业。
Hagiwara Sys Com开始出货FlashGate，一种USB SmartMedia闪存卡驱动器。
Lexar Media将CompactFlash引入USB跳线。
2000年
宣布采用160纳米工艺节点。
英特尔(Intel)交付其第10亿个闪存单元。
M-Systems(与IBM合作)和Trek Technology推出USB闪存驱动器。
基于SLC NAND的SD卡以8MB到64MB的容量推出。
松下(Panasonic、Matsushit)、闪迪(SanDisk)和东芝(Toshiba)成立了SD卡协会(Secure Digital Card Association, 安全数字卡协会)，以规范和推广安全数字存储卡。
2001年
日立(Hitachi)推出AG-AND。
三星(Samsung)开始大规模生产512Mb闪存设备。
闪迪(SanDisk)推出首款NAND"系统闪存"产品。
东芝(Toshiba)和闪迪(SanDisk)宣布了1Gb MLC NAND。
赛凡半导体(Saifun)开发了具有电荷陷阱闪存结构的NROM，这是Spansion MirrorBit的基础。
2002年
宣布采用130纳米工艺节点。
超微半导体(AMD)推出了使用基于热电子注入的电荷陷阱闪存的MirrorBit。
赛普拉斯(Cypress)推出了可编程片上系统(PSoC)，该系统使用基于量子力学隧穿的电荷陷阱闪存，具有第一个嵌入式SONOS。
M-Systems推出了移动芯片磁盘，这是第一个芯片中的固态硬盘；它被诺基亚、摩托罗拉和爱立信的手机所采用。
奥林巴斯(Olympus)和富士胶片(Fujifilm)推出xD Picture Card。
索尼(Sony)和闪迪(SanDisk)联合推出记忆棒PRO和半尺寸记忆棒PRO Duo卡。
由MMCA(多媒体卡协会)推出的MMCmobile卡。
2003年
三星(Samsung)在IEDM上介绍了TaNOS结构，该结构由金属钽、高K材料氧化铝、氮化物、氧化物和硅组成。TaNOS结构的采用，标志着三星在行业内首次成功地将金属层和高k材料结合应用于NAND器件中，这项技术后来被用于3D NAND。
闪迪(SanDisk)推出miniSD卡。
索尼(Sony)和闪迪(SanDisk)联合推出记忆棒PRO Micro。
飞索(Spansion)从AMD和富士通分拆出来。
2004年
宣布采用90纳米工艺节点。
飞思卡尔(Freescale)推出第一个商用MRAM非易失性存储器，后来分拆为Everspin。
海力士(Hynix)和意法半导体(STM)成立闪存合资企业。
海力士(Hynix)NAND产品推出。
英飞凌(InfineonNAND产品基于Saifun CTF推出。
松下(Panasonic、Matsushit)、和三洋(Sanyo)推出了第一款基于闪存的摄像机。
惠普(HP)的Pankaj Megra和Sam Fineberg在IPDPS(International Parallel and Distributed Processing Symposium)上发表了持久性内存论文。
闪迪(SanDisk)和摩托罗拉(Motorola)推出TransFlash卡，现在是microSD卡。
闪迪(SanDisk)推出Flash Sansa MP3播放器。
飞索(Spansion)宣布MirrorBit Quad 4-bit NOR。
闪迪(SanDisk)和M-Systems推出的USB闪存盘U3软件系统。
Datalight推出了多线程的"FlashFX Pro"管理软件，以支持多媒体NAND设备。
2005年
使用300毫米的晶圆。
宣布采用70纳米工艺节点。
苹果(Apple)推出了首两款基于闪存的iPod：iPod shuffle和iPod nano。
美光(Micron)推出NAND产品。
微软(Microsoft)推出混合硬盘概念。
MMCA推出的MMC微型卡。
2006年
宣布采用56纳米工艺节点。
首届闪存峰会(FMS)在圣何塞举行。
英特尔(Intel)和美光(Micron)联合成立IMFT由，用于制造NAND闪存。
英特尔(Intel)推出了罗布森缓存内存(现在称为涡轮内存)。
美光(Micron)收购Lexar Media。
微软(Microsoft)推出ReadyBoost。
M-Systems宣布推出QLC技术。
恒亿(Numonyx)和三星(Samsung)推出相变NVM。
三星(Samsung)和希捷(Seagate)展示了第一款混合硬盘。
闪迪(SanDisk)宣布推出TLC NAND技术。
闪迪(SanDisk)宣布推出microSDHC卡。
飞索(Spansion)推出ORNAND闪存。
闪迪(SanDisk)收购Matrix Semiconductor。
闪迪(SanDisk)收购M-Systems。
STEC收购Gnutech。
开放NAND闪存接口(ONFi)V1.0规范发布。
2007年
东芝(Toshiba)VLSI Technology上展示了3D闪存BiCS存储器。
苹果(Apple)推出了iPhone。
BiTMICRO推出容量为1.6TB的3.5英寸SSD(用于军事应用)。
戴尔(Dell)为笔记本电脑型号引入了SSD选项。
Fusion-io宣布推出基于640GB ioDrive MLC NAND的PCIe X4板。
IMFT开始出货50nm NAND闪存。
微软(Microsoft)推出基于flash的Zune Player。
希捷(Seagate)宣布成立混合存储联盟。
希捷(Seagate)推出第一个混合HHD-Momentus PSD。
飞索(Spansion)收购赛凡半导体(Saifun)。
东芝(Toshiba)推出eMMC NAND。
东芝(Toshiba)推出首款基于SATA的MLC SSD。
售价低于200美元的上网本电脑，配备闪存存储。
MMCA/JEDEC e.MMC规范发布。
非易失性存储器主机控制器接口(NVMHCI)工作组成立，英特尔的Amber Huffman担任主席。
多家公司推出带MLC SSD记本电脑，存储容量高达128GB。
2008年
武汉新芯第一片NOR Flash晶圆下线。
兆易创新成功推出国内第一颗SPI NOR Flash。
英特尔(Intel)和美光(Micron)宣布推出34nm工艺。
苹果(Apple)推出了基于SSD的MacBook Air，没有HDD选项。
苹果(Apple)在3天内售出了100万部基于闪存的iPhone。
EMC宣布将基于闪存的SSD用于企业SAN应用程序。
HGST(Hitachi Global Storage Technologies)发布首款配备SAS接口的SSD。
IBM演示了第一个“百万IOPS”阵列。
英特尔(Intel)和STM分拆出Numonyx。
美光(Micron)推出首款串行NAND闪存。
美光(Micron)、三星(Samsung)和太阳微系统(Sun Microsystems)宣布推出高耐久性闪存。
英特尔(Intel)发布的NVMHCI 1.0规范。
三星(Samsung)宣布推出150GB 2.5英寸MLC SSD，带SATA II接口。
闪迪(SanDisk)推出ABL，以实现高速MLC、TLC和X4 QLC NAND。
几家公司宣布为笔记本电脑应用程序提供高达256GB的MLC闪存SSD。
东芝(Toshiba)推出首款基于512GB MLC SATA的SSD。
Violin Memory推出了第一款完全基于闪存的存储设备。
多媒体存储卡标准协会(MMCA)并入JEDEC。
SNIA固态存储倡议小组(Solid State Storage Initiative, SSSI)成立。
2009年
英特尔(Intel)和美光(Micron)推出34nm TLC NAND。
NVELO推出首款PC闪存缓存软件“Dataplex”。
Pillar Data将Axiom SAN转换为SSD。
三星(Samsung)推出首款配备64GB SSD的全高清摄像机。
SandForce推出首款基于压缩的SSD控制器。
闪迪(SanDisk)和东芝(Toshiba)在ISSCC展示了QLC闪存。
闪迪(SanDisk)推出闪迪时光盒™(SanDisk® memory vault)，美好时光百年珍存。
希捷(Seagate)进入SSD市场。
Virident和Schooner为数据中心推出了第一款基于闪存的应用设备。
西部数据(WDC, Wester Digital)收购SiliconSystems并进入SSD业务。
AggA推出支持NAND的DIMM。
2010年
英特尔(Intel)、美光(Micron)推出25nm TLC和MLC NAND。
微芯科技(Microchip)收购SST。
美光(Micron)收购恒亿(Numonyx)。
三星(Samsung)开始生产64Gb TLC NAND。
三星(Samsung)推出了采用切换模式DDR NAND存储器的高速512GB SSD。
希捷(Seagate)宣布推出首款自我管理混合硬盘Momentus XT，配备4GB NAND闪存和500GB硬盘存储。
东芝(Toshiba)推出基于16芯片堆栈的128GB SD卡。
三星完全退出NORFlash市场，将所有存储产能集中于市场空间更大的NANDFlash和DRAM存储器。
JEDEC发布了固态硬盘的两个规范：“SSD要求和耐久性测试方法”和“SSD耐久性工作负载”。
通用闪存协会(Universal Flash Storage Association, UFSA)成立。
2011年
苹果(Apple)收购了信号处理控制器IP公司Anobit。
Fusion-io收购了支持虚拟化的闪存缓存软件公司io Turbine。
IMFT推出20nm NAND闪存。
英特尔(Intel)宣布推出适用于PC的智能响应技术(SRT)SSD缓存。
英特尔(Intel)的1988年NOR闪存设计团队成员Richard Pashley、Stefan Lai、Bruce McCormick和Niles Kynett组成，获得了首个FMS终身成就奖。
LSI收购SandForce。闪迪收购Pliant。
希捷(Seagate)宣布推出第二代Momentus XT混合硬盘，配备8GB NAND闪存和750GB硬盘存储。
脸书(Facebook)启动了开放计算项目(OCP)，以实现开源软件和可扩展的节能数据中心硬件的广泛行业合作。
SNIA发布了两个固态存储性能规范：企业版和客户端版。
JEDEC发布串行闪存可发现参数(SFDP)规范。
JEDEC发布了第一个通用闪存(UFS)规范。
NVMHCI更名为“NVM Express”(NVMe)，成立NVM Express工作组；NVMe 1.0版发布。
2012年
美光(Micron)和英特尔(Intel)推出了采用高k平面单元的20nm 128Gb NAND芯片。
闪迪(SanDisk)和东芝(Toshiba)在ISSCC宣布了128Gb 19nm工艺。
DensBits Technologies推出内存调制解调器。
尔必达(Elpida)推出ReRAM。
IDT推出首款NVMe SSD控制器芯片。
英特尔(Intel)收购Nevex并推出CacheWorks。
LSI推出了带有MegaRAID Cache Cade缓存软件的Nytro闪存。
旺宏(Macronix)和华邦(Winbond)进入NAND业务。
美光(Micron)推出2.5英寸PCIe企业级SSD。
MOSAID的333GB/s HL-NAND送样。
Proximal Data引入了自动缓存。
希捷(Seagate)推出固态混合硬盘(SSHD),结合闪存的HHD。
海力士半导体(Hynix)在SK电讯收购后更名SK海力士(SK Hynix)。
三星(Samsung)收购NVELO。
闪迪(SanDisk)收购FlashSoft。
IBM收购德州仪器(TI)存储系统公司。
Adesto收购ATMEL的Serial NOR业务。
赛普拉斯(Cypress)收购Ramtron。
西部数据(WDC, Wester Digital)收购HGST。
EMC收购XtremIO。
OCZ收购Sanrad。
Ultrabook附带智能响应技术(SRT)SSD缓存。
JEDEC和ONFi引入了切换模式。
SNIA形成NVM编程TWG。
2013年
三星(Samsung)在FMS上宣布推出24层3D VNAND。
Diablo Technologies宣布推出内存通道存储技术。
SMART存储系统将Diablo Tech设计融入ULLtraDiMM。
SNIA NVDIMM SIG形成了许多NVDIMM产品。
西部数据(WDC, Wester Digital)和闪迪(SanDisk)推出使用iSSD与硬盘驱动器相结合的SSHD。
东芝(Toshiba)推出SSHD系列。
Everspin宣布STT MRAM出货量。
美光(Micron)和其他公司对16nm闪存进行送样。
闪迪(SanDisk)发布CFast 2.0专业视频存储卡。
西部数据(WDC, Wester Digital)收购sTec、Virident和Veiobit。
闪迪(SanDisk)收购SMART存储系统。
美光(Micron)收购尔必达(Elpida)。
英特尔(Intel)推出缓存加速软件。
东芝(Toshiba)在8GB时首次送样UFS设备。
松下(Panasonic、Matsushit)、在MCU中推出了第一款商用嵌入式ReRAM。
Adesto推出Mavrig CBRAM：首款商用独立ReRAM。
兆易创新推出第一款SPI NAND Flash
Agilent、Dell、Fastor Systems、HGST、IDT、Intel、Samsung、SanDisk、sTec、Teledyne LeCroy、Western Digital等11家公司参加首届NVMe Piugfest。
NVMdurance引入软件来延长闪存寿命。
SNIA发布NVM编程模型V1.0。
M.2 PCIe接口正式化。
2014年
三星(Samsung)、闪迪(San Diska)和东芝(Toshiba)宣布建立3D NAND生产设施。
三星(Samsung)推出32层第二代3D V-NAND。
三星(Samsung)开始大规模生产基于第二代32层3D V-NAND的SSD。
闪迪(SanDisk)推出4TB企业级SSD。
英特尔(Intel)推出首款NVMe SSD。
闪迪(SanDisk)宣布128GB microSD卡，在设备10周年之际容量增加了1000倍。
IBM宣布使用闪迪(SanDisk)的ULLtraDIMM实现Diabio内存通道存储技术的eXFlash DlMM。
飞索(Spansion)推出了具有333 MB/s HyperBus的HyperFlash NOR。
Everspin扩大ST-MRAM生产。
东芝(Toshiba)以3500万美元收购OCZ。
SK海力士(SK Hynix)收购Violin Memory的PCle SSD业务。
希捷(Seagate)收购LSl/Avago存储业务。
闪迪(SanDisk)收购fusion-io。
HGST(Hitachi Global Storage Technologies)收购Skyera。
三星(Samsung)收购了Proximal Data。
Adesto出货100万个CBRAM。
2015年
东芝(Toshiba)/闪迪(SanDisk)、三星(Samsung)宣布推出48层3D NAND。
英特尔(Intel)和美光(Micron)宣布推出256Gb 3D NAND。
英特尔(Intel)和美光(Micron)宣布推出3D XPoint内存。
美光(Micron)推出3D NAND阵列(CUA)下的CMOS器件。
三星(Samsung)推出首款NVMe m.2固态硬盘。
闪迪(SanDisk)推出200GB microSDXC UHS-1存储卡。
闪迪(SanDisk)推出Infiniflash存储系统。
英特尔(Intel)宣布推出基于3D XPoint的“Optane”DIMM和SSD。
赛普拉斯(Cypress)推出4MB串行FRAM。
赛普拉斯(Cypress)收购飞索(Spansion)。
Mellanox及其合作伙伴展示了预标准NVMe over Fabric(NVMe-oF)。
Pure Storage成功在纽交所完成首次公开募股(IPO)。(2015年10月)
JEDEC发布了第一个DDR4 NVDIMM-N持久内存模块规范。
Linux内核中添加了LightNVM和开放通道SSD支持。
2016年
长江存储(YMTC)破土动工建设中国第一家3D NAND闪存工厂。
三星(Samsung)、东芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)和英特尔(Intel)主要供应商都提供3D NAND产品。
美光(Micron)推出768Gb 3D NAND。
三星(Samsung)推出48层3D NAND。
东芝(Toshiba)在16管芯堆叠NAND中引入了硅通孔(TSV)。
Everspin宣布推出256Mb MRAM芯片。
IBM将TLC应用于PCM。
至少有12家供应商演示了NVMe产品。
Spin Transfer Technologies提供功能齐全的ST-MRAM样品。
美光(Micron)推出Xccela Consortium。
东芝(Toshiba)推出业界首款NVMe BGA“片上SSD”。
西部数据(WDC, Wester Digital)展示了第一张1TB SDXC卡的原型。
西部数据(WDC, Wester Digital)以190亿美元收购闪迪(SanDisk)，该交易于2015年10月21日宣布。
Adesto推出基于CBRAM的Moneta系列ReRAM。
NVMe-oF(NVM Expressover Fabrics)1.0版发布。
2017年
长江存储(YMTC)推出32层MLC 3D NAND。
SK海力士(SK Hynix)宣布推出72层3D NAND。
东芝(Toshiba)将所有新SSD迁移到64层BICS FLASH™TLC。
西部数据(WDC, Wester Digital)在64层3D NAND上开发了TLC。
三星(Samsung)和东芝(Toshiba)/西部数据(WDC, Wester Digital)宣布推出96层3D NAND。
英特尔(Intel)推出Optane(3D XPoint)SSD。
美光(Micron)推出首款串堆叠式3D NAND。
微芯科技(Microchip)发布了其第750亿个基于SST Superflash的设备。
Everspin的1Gb STT MRAM芯片进行送样。
HPE收购Nimbie Storage和Simprivity。
ScaleFlux率先部署生产级计算存储。
NGD Systems推出NVMe 24TB计算存储设备(CSD)。
Global Foundries推出嵌入式eMRAM。
英特尔(Intel)的“Ruler标准”捐赠给了企业和数据中心SSD外形尺寸(EDSFF)工作组。
2018年
长江存储(YMTC)推出64层 "晶栈®Xtacking®" TLC 3D NAND，全球首家采用混合键合技术制造3D NAND。
赛普拉斯(Cypress)推出16MB FRAMS。
三星(Samsung)推出高速Z-SSD。
美光(Micron)发布使用QLC和1Tb 3D NAND芯片的企业级SSD。
英特尔(Intel)样品Optane(3D XPoint)DC持久内存DIMM。
海派世通(Hyperstone)推出带Aland机器学习的闪存控制器。
Gyrfalcon Technology推出的Al加速器首次使用了台积电的еMRAM。
东芝(Toshiba)180亿美元出售内存业务给贝恩资本牵头财团。
微芯科技(Microchip)收购美高森美(Microsemi)。
NVMe WG批准的NVMe/TCP传输绑定规范。
SNlA成立了计算存储技术工作组(TWG)。
SNlA发布了固态存储和真实磨损存储工作负载的性能规范。
2019年
长江存储(YMTC)宣布128层 "晶栈®Xtacking®2.0" NAND。
主要供应商都发货或提供96层NAND样品；SK海力士、三星和美光的128层NAND送样。
英特尔(Intel)发布Optane(3D XPoint)DIMMS。
武汉新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash产品系列。
所有领先的代工厂都生产嵌入式MRAM(eMRAM)。
美光(Micron)推出首批QLC企业级固态硬盘。
英特尔(Intel)的SSD同时提供Optane(3D XPoint)和QLC NAND。
东芝(Toshiba)存储器更名为铠侠(KIOXIA)。
群联(Phison)和超微半导体(AMD)推出首款PCle 4.0 x4 NVMe SSD和主板解决方案。
NGD Systems推出了首款基于ASiC的可扩展计算存储NVMe SSD。
Lightbits Labs推出了第一款商业NVMe/TCP软件定义的分解存储。
Eidicom推出了第一款基于NVMe的计算存储处理器。
开放通道SSD开始向NVMe分区命名空间(ZNS)过渡。
推出了计算机快速链接(CXL)，CXL联盟合并，并发布了V1.0和V1.1规范。
2020年
兆易创新推出全国产化24nm SPI NAND Flash。
君正完成收购ISSI，顺利进入汽车存储芯片市场。
西部数据(WDC, Wester Digital)将112层BiCS 3D NAND作为512 Gbit TLC部件发货。
美光(Micron)发布搭载176层TLC 3D NAND的Crucial SSD。
铠侠(KIOXIA)推出了第一款512GB密度的汽车UFS。
英飞凌(Infineon)以90亿欧元收购赛普拉斯(Cypress)。
铠侠(KIOXIA)以11.8亿美元完成收购建兴电子(Lite-On)旗下SSD及固态存储技术业务。
铠侠(KIOXIA)推出首款PCle4.0 x4企业级NVMe SSD。
戴乐格(Dialog Semiconductor)收购Adesto Technologies。
IBM是第一个将企业存储仅基于QLC闪存的公司。
Lightbits Labs推出首款集群、冗余、横向扩展的NVMe/TCP软件解决方案。
NVMe ZNS命令集规范V1.0发布。
NVMe计算存储任务组成立。
开放计算项目(OCP)发布了NVMe云SSD规范V1.0: NVMe云固态硬盘和NVMe数据中心固态硬盘。(第一个云SSD规范)。
JEDEC发布了第一个DDR4 NVDIMM-P持久内存模块规范。
JEDEC发布了DDR5 SDRAM标准和通用闪存(UFS)卡扩展3.0标准。
SNlA发布了原生NVMe oF和云数据管理接口(CDMI)的规范。
DNA数据存储联盟正式启动。
2021年
铠侠(KIOXIA)和西部数据(WDC, Wester Digital)宣布推出162层3D NAND。
SK海力士(SK Hynix)开始大规模生产176层“4D”NAND。
SK海力士(SK Hynix)完成了对英特尔NAND和SSD业务收购的第一阶段，更名为Solidigm，英特尔退出闪存业务。
三星(Samsung)宣布推出基于DDR5的CXL上运行的第一款基于DRAM的内存。
英伟达(NVIDIA)推出GPUDirect Storage(GDS)，提供NVMe到GPU的直接数据路径。
铠侠(KIOXIA)和三星(Samsung)宣布推出PCIe 5.0 x4企业NVMe SSD。
瑞萨电子(Renesas)收购戴乐格(Dialog Semiconductor)。
华邦(Winbond)双缓冲NAND与SPI接口被广泛应用于汽车代码存储，包括高级驾驶辅助系统(ADAS)和空中下载(OTA)更新。
三星(Samsung)推出SmartSSD计算存储驱动器(CSD)。
东芝(Toshiba)展示了MAS-MAMR(微波辅助开关-微波辅助磁记录)硬盘。
JEDEC发布了XFM(交叉闪存)嵌入式和可移动存储设备标准。
NVMe 2.0标准发布，加入ZNS分区命名空间、KV命令集、同时支持NVMe和NVMe over Fabric(NVMe-oF)技术通用的各种底层传输协议等新功能。
SNIA发布了传输层安全(TLS)规范V2.0。
2022年
长江存储(YMTC)宣布推出232层 "晶栈®Xtacking®3.0" TLD 3D NAND。
NAND闪存诞生35周年纪念。
美光(Micron)推出首款 176 层 QLC 3D NAND，并宣布推出 232 层 TLC 3D NAND。
SK海力士(SK Hynix)宣布推出238层TLC 3D NAND。
美光(Micron)发布的Crucial SSD配备了232层TLC 3D NAND，该3D NAND采用6平面架构。
Lightbits Labs推出了第一款集群NVMe/TCP软件定义的公共云存储解决方案。
思得(Solidigm)展示了Penta Level Cell(PLC)SSD的原型。
PCI-SIG 发布 PCIe 6.0规范。
发布芯粒互连快速(UCIe)V1.0规范，以标准化芯粒与芯粒互连。
JEDEC 发布了高带宽内存(HBM)DRAM标准的 HBM3 更新。
NVMe启动规范发布。
JEDEC发布了UFS 4.0标准和汽车SSD标准。
DNA数据存储联盟作为技术附属公司加入SNIA。
SNIA发布了计算存储架构和编程模型V1.0。
2023年
SK海力士(SK Hynix)采用外围单元下(PUC)布局，推出238层TLC “4D” NAND。
铠侠(KIOXIA)和西部数据(WDC)宣布采用4平面CMOS直接键合到阵列(CBA)技术的218层TLC和QLC 3D NAND。
SK海力士(SK Hynix)在FMS上展示了世界上第一个321层NAND的样品。
思得(Solidigm)为P5430企业级SSD提供192层QLC NAND。
美光(Micron)推出业界首款8高24GB HBM3E内存。
三星(Samsung)推出32Gb/s GDDR7 DRAM。
西部数据(WDC, Wester Digital)宣布计划拆分硬盘和闪存业务。
美光(Micron)在IEDM上展示了带有铁电电容器的3D堆叠NVDRAM。
IBM提供3592 JF 50TB盒式磁带，压缩容量高达150TB。
JEDEC发布JESD317:CXL附加内存模块(CMM)规范。
SNIA宣布成立SNIA SCSI贸易协会论坛(STA Forum)，STA Forum将继续与T10（INCITS SCSI存储接口技术委员会）标准组织保持现有关系，为行业制定营销要求。
SNIA Swordfish V1.2.4a成为ISO标准。
SNIA发布计算存储API V1.0。
2024年
长江存储(YMTC)宣布推出294层 "晶栈®Xtacking®4.0" TLD 3D NAND。
SK海力士(SK Hynix)推出321层TLC闪存，采用“3-deck三甲板”工艺，容量为1Tb。
美光(Micron)2500 SSD正式搭载232层QLC 3D NAND。
三星(Samsung)、SK海力士(SK hynix)和美光(Micron)开始批量生产HBM3E。
NEO半导体推出3D X-AI，这是第一款具有AI处理功能的3D存储器。
SK海力士(SK Hynix)发布了Zoned UFS(ZUFS 4.0)移动NAND，支持设备上的AI应用程序。
美光(Micron)推出了首款汽车级四端口SSD，用于自主和人工智能工作负载。
西部数据(WDC, Wester Digital)/铠侠(Kioxia)为BiCS8 3D NAND切换到2个晶圆(逻辑+阵列)。
联想推出第一台配备压缩连接内存模块(CAMM)的笔记本电脑ThinkPad P1 Gen 7。
SNIA DNA数据存储联盟发布DNA数据存储遏制系统的DNA稳定性评估方法V1.0。
计算存储规范发布：NVMe计算程序V1.0和NVMe子系统本地存储器V1.0。
JEDEC发布了GDDR7，使用脉冲幅度调制(PAM)进行高频DRAM操作。
超加速器链路(UALink)联盟成立，旨在定义人工智能加速器互通行业标准。
2025年
铠侠(KIOXIA)正式出货第8代218层BiCS 3D闪存SSD，采用CBA晶圆键合技术，并预告第10代332层闪存。
SK海力士(SK Hynix)宣布已成功完成321层2Tb QLC NAND闪存的研发，并正式启动量产。 这一里程碑式成果标志着全球首次在QLC闪存技术中实现300层以上的3D堆叠，创下闪存存储密度的新纪录。
SK海力士(SK Hynix)完成90亿美元收购英特尔的NAND和SSD业务。
群联(Phison)展示了带有基于NAND的AI缓存的E28 SSD控制器，以加速GPU推理速度。
希捷(Seagate)的Exos M HAMR(热辅助磁记录)32TB硬盘投入生产。
西部数据(WDC, Wester Digital)完成闪存业务分拆，闪迪(SANDISK)恢复独立运营。
三星(Samsung)展示了结合DRAM和NAND的混合CXL内存模块(CMM-H)，用于持久和分层内存。
英伟达(NVIDIA)推出Spectrum-X网络平台，通过传统以太网加速AI网络性能。
LTO Consortium的线性磁带开放10(LTO-10)驱动器和介质(30TB本机/75TB压缩)开始发货。
思得(Solidigm)推出冷板液冷热插拔E1.S外形尺寸SSD。
Twist Bioscience推出基于DNA的Atlas数据存储。
西部数据(WDC, Wester Digital)支持混合HDD和SSD的分类存储，并投资于陶瓷数据存储先驱Cerabyte。
SD卡协会庆祝建立SD存储卡标准25周年。
OCP、SNIA和IEEE合作成立原子以太网行业协会(Atomic Ethernet Industry Association, AEIA)，旨在支持从芯粒到全球连接的架构。
PCIe 7.0提供128 GT/s的原始比特率和512 GB/s的双向传输。
在Coldago Research的调查中，闪存被评为过去25年来的第一大存储创新。
UALink联盟发布Ultra Accelerator Link™200G 1.0规范，为人工智能集群提供了可扩展的互连。
JEDEC发布了JESD270-4:HBM4标准，速度为8 Gb/秒，带宽为2 TB/秒。
2026年主流3D NAND闪存芯片供应商都将采用类似长江存储晶栈®Xtacking®混合键合技术。
